【課題】 例えばＴＦＴ等の薄膜半導体装置において、耐電圧性を高め、オフリーク電流を低減する。
【解決手段】 チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を含むと共に島状の平面パターンを有する半導体膜と、この上又は下に積層されたゲート絶縁膜と、これを介してチャネル領域に対向配置されたゲート電極とを備える。ゲート絶縁膜は、半導体膜における島状の平面パターンの周辺領域とゲート電極との層間に挟持される第１部分において、局所的に厚く形成されている。 （もっと読む）

【課題】 同一基板上に形成されたＴＦＴと容量素子に対して、高い耐電圧を確保するとともに、容量素子の静電容量を向上可能な薄膜半導体装置、電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】 ＴＦＴアレイ基板１０において、誘電体膜２ｃは、第１領域１ｃの外側領域には、第１領域２０１ｃよりも膜厚が厚い第２領域２０２ｃを備えているので、蓄積容量７０の耐電圧が高い。従って、蓄積容量７０では、高い耐電圧が得られるとともに、耐電圧を高くするために誘電体膜２ｃの膜厚を厚くしたことに起因する静電容量の低下を最小限に止めることができる。よって、同一基板上に形成されたＴＦＴ３０と蓄積容量７０に対して、高い耐電圧を確保するとともに、蓄積容量７０の静電容量を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】透過型液晶表示装置として使用したとき、及び反射型液晶表示装置として使用したときのいずれにおいても良好な表示品質が得られる半透過型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】１つの画素毎に、反射電極１２０と、透明電極１２２と、反射電極１２０に接続されたＴＦＴ１１６と、透明電極１２２に接続されたＴＦＴ１１７とを形成する。そして、反射電極１２０にＴＦＴ１１６を介して第１のデータ信号を書き込み、透明電極１２２にＴＦＴ１１７を介して第２のデータ信号を書き込む。このように、反射電極１２０及び透明電極１２２に個別のデータ信号を書き込むことにより、透過型液晶表示装置として使用したとき、及び反射型液晶表示装置として使用したときのいずれにおいても良好な表示品質が得られる。 （もっと読む）

【課題】 高い開口率を得ながら十分な保持容量（Ｃｓ）を確保し、また同時に容量配線の負荷(画素書き込み電流)を時間的に分散させて実効的に低減する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 ゲート電極１０６と異なる層に走査線１０２を形成し、容量配線１０７が信号線１０９と平行になるよう配置する。各画素はそれぞれ独立した容量配線１０７に誘電体を介して接続されているため隣接画素の書き込み電流による容量配線電位の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）