【課題】 ピクセル口径比（開口率）を増大し、静電容量性クロストークを減少させたＴＦＴアレイ、およびそのＴＦＴアレイを有するアクティブ・マトリックス方式の液晶ディスプレイ、および製造方法を提供すること。
【解決手段】 複数のコンタクト・バイアス３５あるいは開口部を有するフォトイメージ形成型絶縁層をアドレス線５、７とピクセル電極３間に設け、両者を重複可能とする。この絶縁層により静電容量性クロストークを減少し、かつピクセル開口率を増加させる。望ましい一実施例では、クロストークを減少するために絶縁層の誘電率は約３．０未満である。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタ表示板の製造工程を簡素化する。また、画素電極の断線を防止できる薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、基板上にゲート線を形成する段階と、前記ゲート線上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成する段階と、前記半導体層上にオーミック接触部材を形成する段階と、前記オーミック接触部材上にデータ線及びドレイン電極を形成する段階と、前記データ線及び前記ドレイン電極上に保護膜を蒸着する段階と、前記保護膜上に第１感光膜を形成する段階と、前記第１感光膜をマスクとして前記ゲート絶縁膜及び前記保護膜をエッチングすることによって、前記ドレイン電極の少なくとも一部と前記基板の少なくとも一部を露出させる段階と、導電体膜を蒸着する段階と、並びに前記第１感光膜を除去し、前記ドレイン電極の露出した部分上に画素電極を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】 スタックコンタクトにおける接触抵抗を抑制させる。
【解決手段】 基板と、基板上に設けられた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタの上層側に設けられた配線と、該配線と薄膜トランジスタの少なくとも半導体層とを層間絶縁する層間絶縁層と、該層間絶縁層に掘られており且つ基板面上で平面的に見て長手状に延びる第１の穴、及び、夫々、第１の穴の底部から層間絶縁層を貫通して半導体層の表面に至り且つ第１の穴の長手方向に沿って配列された複数の第２の穴を含んでおり、配線と半導体層とを層間絶縁層を介して接続するコンタクトホールとを備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ表示板の製造工程を単純化する。また、薄膜トランジスタ表示板の生産費用及び生産時間を節減する薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１配線を形成する段階と、前記第１配線上に第１絶縁膜及び半導体層を順次積層する段階と、一回のフォトリソグラフィ工程で前記半導体層及び前記第１絶縁膜を異なる形状にパターニングする段階と、第２配線を形成する段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ソース／ドレイン電極間の電気的疎通を円滑にすることが可能な，薄膜トランジスタ，その製造方法及び該薄膜トランジスタを備える平板ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る薄膜トランジスタは，基板１１０と，基板１１０上に形成されたゲート電極１２０と，ゲート電極１２０上に形成されるゲート絶縁層１３０と，ゲート電極１２０と絶縁されるようにゲート絶縁層１３０上に形成されるソース／ドレイン電極１４０ａ，１４０ｂと，ソース／ドレイン電極１４０ａ，１４０ｂと接するとともに，ゲート電極１２０と絶縁される有機半導体層１５０と，を含み，ソース／ドレイン電極１４０ａ，１４０ｂの少なくとも有機半導体層１５０と接する部分には酸化部１４０´ａ，１４０´ｂが設けられ，酸化部１４０´ａ，１４０´ｂを構成する物質は，有機半導体層１５０のＨＯＭＯエネルギー準位より大きい仕事関数を有する物質を含む。 （もっと読む）

導電性層(5)を基板(1)の上に製造する方法は、絶縁体たとえば感光性絶縁体(2)のような材料を基板(1)の上に堆積させること、絶縁材料上に導電層のための溝(3)を画成すること、溝(3)を先駆体で埋めること、そして導電層を与えるための先駆体を処理することを有する。
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【課題】 本発明は薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法と液晶表示装置及びその製造方法とエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法に関するものであり、均一性と性能に優れた薄膜トランジスタ及びその製造方法を生産性が高く低コストで提供することを目的とする。
【解決手段】 ゲート電極側面に側壁を形成することによって、自己整合的にＬＤＤまたはオフセット領域を形成し、また、層間絶縁膜を複数の層で形成し、これら複数の層間絶縁膜上にソース・ドレイン電極とソースバス配線と画素電極を一括して形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。
【解決手段】 本発明では、チャネル・エッチ型のボトムゲートＴＦＴ構造を採用し、ソース領域１１９及びドレイン領域１２０のパターニングとソース配線１２１及び画素電極１２２のパターニングを同じフォトマスクで行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 優れた特性を有する多結晶シリコン膜を備えた半導体装置を高い歩留まりで製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 石英ガラスや無アルカリガラスなどの基板１上に、非晶質シリコン膜２ａを形成する。その非晶質シリコン膜２ａ上にＷシリサイド膜（導電膜）４ｂを形成する。そして、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂに対し、高周波やＹＡＧレーザービームなどの電磁波を照射することにより、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂを発熱させ、この熱を利用して、非晶質シリコン膜２ａを多結晶シリコン膜２に変える。 （もっと読む）

【課題】斜めからの入射光１１０、及び入射光１１０が乱反射を起こすことにより間接的に入射する光についても、遮光可能な薄膜トランジスタの構造及びその構造を工程数を増やすことなく簡易なプロセスで製造可能な製造方法を提供する。
【解決手段】 活性層となるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１０４の両側のそれぞれにおいて、ゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５及び下地ＳｉＯ２膜１０３を遮光ＷＳｉ２膜１０２が露出するまで選択的異方性エッチングし、コンタクト開口部１０６を形成する。その後、ゲートＷＳｉ２層１０７をスパッタ成膜し、さらに、フォトレジスト１０８をマスクとしてドライエッチングを実施し、ゲートＷＳｉ２電極１１１とＷＳｉ２からなるサイドウォール１０９を同時に形成する。これにより、サイドウォール１０９の下端を遮光ＷＳｉ２膜１０２に接触させ上端をゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５上面とほぼ同一高さに位置させる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板上にグラフォエピタキシャル成長させた単結晶シリコン層を能動領域に用いるトップゲート型の薄膜絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（トップゲート型にはスタガー型とコプラナー型が含まれる。）と受動領域を有する液晶表示装置などに好適な構造及び方法を提供する。
【解決手段】 基板１に形成した段差４をシードにして、多結晶シリコン又はアモルファスシリコンを溶解した低融点金属層６（６Ａ）からグラフォエピタキシャル成長により単結晶シリコン層７を形成し、これを表示部−周辺駆動回路一体型のＬＣＤなどの電気光学装置のトップゲート型ＭＯＳＴＦＴに用いる。 （もっと読む）