【課題】電界効果移動度が高く、オフ電流が小さい有機薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】有機半導体層の内部のうち、ソース電極の真上又は真下に位置する部分を第１の部分とし、ドレイン電極の真上又は真下に位置する部分を第２の部分とし、第１の部分と第２の部分とは異なる部分を第３の部分とした場合に、ドーピング領域が、第３の部分、第１の部分と第３の部分、又は第２の部分と第３の部分に存在する有機薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】コモンコンタクト部と対向基板との電気的な接続を良好にするコンタクト構造を提供する。
【解決手段】第１の導電膜３１８と、第１の導電膜上に設けられた絶縁膜３１９と、絶縁膜に設けられた開口部と、開口部において第１の導電膜と電気的に接続された第２の導電膜３２３と、導電性スペーサ４０１と、が設けられたコモンコンタクト部と、コモンコンタクト部上に対向して設けられた第３の導電膜２５２と、を有し、第２の導電膜と第３の導電膜は、導電性スペーサにより電気的に接続されており、第３の導電膜上には、第４の導電膜５０１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタに含まれる不純物による汚染の問題を解決する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に接続されるソース電極及
びドレイン電極と、薄膜トランジスタ、ソース電極及びドレイン電極上の第１の絶縁膜と
、第１の絶縁膜上のカラーフィルタと、カラーフィルタ上の第２の絶縁膜と、第２の絶縁
膜上の画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコンを有し、カラーフィルタは第１の
開口部を有し、第２の絶縁膜は第２の開口部を有し、第２の開口部は第１の開口部の内側
に設けられ、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介してソース電極及びドレイ
ン電極の一方に電気的に接続され、カラーフィルタは、画素電極、ソース電極及びドレイ
ン電極に接触しない。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能な絶縁ゲート型ＦＥＴによる駆動回路で表示装置を形成し、さらに、単位画素当たりの画素電極の面積を小さくしても十分な保持容量が得られるアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】単結晶半導体を活性層とした絶縁ゲート型電界効果トランジスタによるアクティブマトリクス回路を備えた半導体装置において、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタ上に有機樹脂絶縁層を形成し、該有機樹脂絶縁層上に形成された遮光層と、該遮光層に密接して形成された誘電体層と、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタに接続された光反射性電極とから保持容量を形成する。 （もっと読む）

【課題】コモンコンタクト部と対向基板との電気的な接続を良好にする。
【解決手段】本願図９（又は図７）のように、コモンコンタクト部上に対向して設けられ
た第３の導電膜２５２の上に、第４の導電膜が設ける。ＴＦＴ基板側のコモンコンタクト
部の構造を本願図１３に示すような、コモンコンタクト部の構成としてもよい。この場合
、本願図１３のコモンコンタクト部１６において、基板２３と対向電極２４の間に、実施
例２、３で示す導電膜５０１、６０１を形成すればよい。 （もっと読む）

【課題】 アクティブマトリクス型の表示装置の作製工程又は完成品における静電気によ
る不良の発生を抑制する。
【解決手段】 本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の角の部分に隣接し
て、前記アクティブマトリクス回路に接続されていない格子状の放電パターンが形成され
ていることを特徴とする。また、本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の
周辺に、前記アクティブマトリクス回路を構成するゲイト線又はソース線と交わる放電パ
ターンが形成され、前記放電パターンの長さは、前記アクティブマトリクス回路の画素ピ
ッチよりも長いことを特徴とする。これらにより、各種静電破壊によるアクティブマトリ
クス型表示装置の不良の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｔａ−Ｗ系スパッタリングターゲットにおいて、面内の抵抗ばらつきが小さいと共に、下地膜との密着力に優れたＴａ−Ｗ合金膜を再現性よく得ることを可能にする。
【解決手段】Ｔａ−Ｗ系スパッタリングターゲットは、０．０５〜２質量％の範囲のＷを含有し、残部が実質的にＴａからなると共に、ターゲット全体としてのＷ含有量のばらつきが±２０％以内とされている。このようなＴａ−Ｗ系スパッタリングターゲットを用いて成膜したＴａ−Ｗ合金膜は、例えばＴＦＤ素子１の第１の電極３に適用される。ＴＦＤ素子１は第１の電極３／陽極酸化膜４／第２の電極５によるＭＩＭ構造を有し、液晶表示装置のスイッチング素子等に適用される。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタに含まれる不純物による汚染の問題を解決する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極と、薄膜トランジスタ、ソース電極及びドレイン電極上の第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上のカラーフィルタと、カラーフィルタ上の第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上の画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコンを有し、カラーフィルタは第１の開口部を有し、第２の絶縁膜は第２の開口部を有し、第２の開口部は第１の開口部の内側に設けられ、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介してソース電極及びドレイン電極の一方に電気的に接続され、カラーフィルタは、画素電極、ソース電極及びドレイン電極に接触しない。 （もっと読む）

【課題】工程数及びコストを増加させずに製造でき、静電気による誤動作を短時間で確実に解消できるアクティブ駆動方式の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】アクティブ駆動方式の液晶表示装置は、基板の面方向に印加される電界により駆動され、第３族または第１３族金属と少なくとも１種の液晶分子とを含む液晶相溶性粒子を、混合液晶材料に添加してなる第３族または第１３族金属液晶相溶性粒子添加液晶を用いる。液晶相溶性粒子は、少なくとも１種の他の金属を含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】複板処理を採用した場合にも高品位にマーキングを施すことができる液晶パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に基づく液晶パネルの製造方法は、ガラス基板１１の表面１１ａ上に下部層５１としての金属膜および上部層としての各種の保護膜５２〜５６を有する積層体からなるマーキング領域を含むマーキングパッド５０を設ける工程と、マーキングパッド５０のマーキング領域の主表面と距離をもって対向するようにガラス基板１１にガラス基板２１を貼り合わせる工程と、ガラス基板１１の裏面１１ｂ側からガラス基板１１を介してマーキングパッド５０のマーキング領域にレーザ光１００を照射することにより、マーキングパッド５０のマーキング領域に貫通孔５８を設けてマーキングを行なう工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】シリコン基板上に設けられた酸化シリコン膜と、単結晶シリコン基板の一部よりなりＴＦＴの活性層となる単結晶の島状シリコン層となる前の単結晶シリコン基板を熱酸化して得られ、酸化シリコン膜に貼り合わせ界面にて貼り合わせて設けられた膜厚が０．０５μｍ〜０．５μｍの酸化シリコン膜と、活性層を熱酸化して設けられた他の面の酸化シリコン膜と、により取り囲まれた活性層と、活性層上に設けられたゲート電極と、を有し、単結晶の島状シリコン層は、膜厚が０．０５μｍ〜０．５μｍの酸化シリコン膜を介して水素が導入された単結晶シリコン基板を水素が導入された部分で分断して得られたものである半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、ソース／ドレイン領域へのコンタクトの方法を改良することにより、配線抵抗を減らす。
【解決手段】酸化珪素膜上の第１及び第２のシリサイド、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を有する結晶性珪素膜と、チャネル形成領域上のゲイト絶縁膜と、ゲイト絶縁膜上のゲイト電極と、ゲイト電極の側面に設けられた側壁と、第１のシリサイドに接して設けられた第１の金属配線と、第２のシリサイドに接して設けられた第２の金属配線と、を有し、第１のシリサイドは、ソース領域の上面の一部及び側面に設けられ、第２のシリサイドは、ドレイン領域の上面の一部及び側面に設けられ、第１の金属配線と第２の金属配線は同一金属膜をエッチングして形成された構造であり、第１及び第２のシリサイドは、金属膜に用いられる金属を用いて形成されたシリサイドである。 （もっと読む）

【課題】遮蔽膜とコモン線とを接続しないで良質な画像表示を行うことができるアクティブマトリクス型表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素ＴＦＴと、前記画素ＴＦＴに電気的に接続された画素電極と、遮蔽膜とが設けられた基板を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、遮蔽膜はフローティングになっており、画素電極と前記遮蔽膜との間に第１の誘電体を有し、遮蔽膜と前記コモン線との間に第２の誘電体を有する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム系の配線材料として用いた場合でも、十分な耐ヒロック性に備えるとともに、ドライエッチングを適用でき、さらに、レジストマスクを剥離する際に用いる剥離液によって、配線がエッチングされることのない電気的固体装置、電気光学装置、および電気的固体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、素子基板１０上に走査線３ａなどの配線を形成するにあたって、ネオジウムを２ａｔｍ％未満含有するアルミニウム合金膜を用いるとともに、走査線３ａの上面および側面を酸化して表面保護膜３１ａを形成する。このため、走査線３ａは、耐ヒロック性が高いとともに、表面保護膜３１ａ、３１ｅによってアルカリ性の剥離液から保護される。 （もっと読む）

【課題】反射型表示装置の製造工程を大幅に簡略化する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタの上方に配置された絶縁層及び画素電極を有し、画素電極は、薄膜トランジスタに電気的に接続され、表面に凹凸を有し、かつ、反射機能を有し、絶縁層は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素及び有機性樹脂から選ばれた材料を積層した構造を有し、絶縁層の少なくとも一層はカーボン系材料及び顔料の少なくともいずれか一を含む遮光膜である表示装置とする。 （もっと読む）

【課題】動作性能及び信頼性を向上させた半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板の一部からなる単結晶シリコン薄膜を、単結晶シリコン基板を熱酸化して得られた第１の酸化シリコン膜上に有し、第１の酸化シリコン膜が、シリコン基板上に設けられた第２の酸化シリコン膜に貼り合わされたシリコン基板を用いる半導体装置の作製方法であって、単結晶シリコン薄膜から複数の島状シリコン層を形成し、複数の島状シリコン層の熱酸化工程後に、複数の島状シリコン層上にポリシリコンでなるゲート電極を形成し、ゲート電極の側面にサイドウォールを形成し、複数の島状シリコン層にソース領域及びドレイン領域を形成し、ゲート電極、ソース領域、ドレイン領域に金属膜を形成し、加熱してゲート電極、ソース領域、ドレイン領域にシリサイドを形成し、複数の島状シリコン層を覆って、層間絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】単結晶シリコン薄膜を熱酸化膜からなる第１の酸化シリコン上に有し、第１の酸化シリコンを第２の酸化シリコン上に有し、第２の酸化シリコンを表面上に有する単結晶シリコン基板を用いる半導体装置の作製方法であって、単結晶シリコン薄膜から複数の島状シリコン層を形成し、複数の島状シリコン層の側面に熱酸化により第３の酸化シリコン膜を形成し、複数の島状シリコン層上にポリシリコンでなるゲート電極を形成し、ゲート電極の側面にサイドウォールを形成し、複数の島状シリコン層にソース領域及びドレイン領域を形成し、ゲート電極、ソース領域、ドレイン領域に金属膜を形成し、加熱してゲート電極、ソース領域、ドレイン領域にシリサイドを形成し、複数の島状シリコン層を覆って、層間絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ技術で形成された単結晶シリコン薄膜から応力に起因する準位や欠陥を除去するための方法を提供する。
【解決手段】まずＳｍａｒｔ−ＣｕｔやＥＬＴＲＡＮといった代表的な貼り合わせＳＯＩ技術を用いて単結晶シリコン薄膜１０６を形成する。次に単結晶シリコン薄膜１０６をパターニングして島状シリコン層１０８とした後、ハロゲン元素を含む酸化性雰囲気中で熱酸化処理を行うことで、トラップ準位や欠陥の除去された島状シリコン層１０９を得る。 （もっと読む）

【課題】画素電極とソース配線、さらには画素電極とＴＦＴとの電気的な干渉を抑制する構造を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの活性層、ゲイト絶縁膜、及びゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上に形成され、前記活性層に接続されたソース配線及びドレイン電極と、前記ソース配線及び前記ドレイン電極上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜上に形成された電磁シールド用の導電膜と、前記導電膜上に形成された第３の層間絶縁膜と、前記第３の層間絶縁膜上に形成され、前記ドレイン電極に接続された画素電極とを有し、前記導電膜は前記ソース配線と前記画素電極との間に設けられている。 （もっと読む）