【課題】 液晶の配置位置において対向する表示用電極間に放電が発生してしまうことを防止することにより、液晶内における泡の発生を防止する。
【解決手段】 両透明基板２の内面であってシール材１８の配置位置よりも外側の位置に、コモン電極３またはセグメント電極４に連設され、かつ両透明基板２間において対向するようにコモン側放電用電極７およびセグメント側放電用電極８を設け、両放電用電極７、８のうちセグメント側放電用電極８に、対向するコモン側放電用電極７に対して放電するための放電用突起９を設ける。また、放電用突起９の突出高さ寸法を、液晶表示パネル１におけるギャップ寸法の２０〜８０％とする。 （もっと読む）

【課題】静電気分散配線を通じて、工程進行時に発生する静電気による悪影響を低減させたアレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】水平方向に延長された第１テスト配線と、前記第１テスト配線と平行する第２テスト配線と、最外郭部分で各々が連結し、前記第１テスト配線と連結しながら、垂直方向に延長された第１ソース配線群と、前記第２テスト配線と連結しながら、垂直方向に延長された第２ソース配線群と、水平方向に延長された複数のゲート配線と、前記第１ソース配線群及び前記第２ソース配線群とゲート配線によって定義される領域のそれぞれに形成されたスイッチング素子とを有する。 （もっと読む）

【課題】 所定の機械的強度を保持しながら薄型化を実現し、且つノイズ対策を施した液晶表示装置及びこれを用いた携帯情報端末を提供すること。
【解決手段】 表裏両面へそれぞれ光を導出する導光板１１の一面に第１液晶表示パネル１５、他面に前記第１液晶表示パネル１５より小型の第２液晶表示パネル３０を配設して積層された液晶表示装置１０において、前記導光板１１と前記第２液晶表示パネル３０との間には、前記第１、第２液晶表示パネル１５、３０を制御し表面及び裏面の少なくとも一方にアース用接触部２２ａ、２２ｂを有する回路基板１８が介在され、前記アース用接触部２２ａ、２２ｂが、前記回路基板１８の表面及び裏面の少なくとも一方に設けられる金属部材（２５、４０）に接触している液晶表示装置及びこれを用いた携帯情報端末。 （もっと読む）

【課題】 多面取りマザー基板から切り出される液晶表示パネルの切断面でのＩＴＯ付きカレットによるリーク発生率を簡単な方法によって可及的に低く抑える。
【解決手段】 透明電極２を有するパネル基板の各々がマザー基板１上でそれぞれ多面的に形成され、少なくとも一方のマザー基板１には、製造工程で透明電極２に帯電される静電気を放電させる一対の放電電極を含むアレスタＡ１〜Ａ３が形成されており、周辺シール材を介して貼り合わされたマザー基板から各パネル基板がその外形を画定する切り出し線に沿って個々に切り出される液晶表示パネルにおいて、アレスタＡ１〜Ａ３の少なくとも一方の放電電極を尖鋭突起状とし、その一方の放電電極をパネル基板１０側において切り出し線ＣＬに面して配置される構成とする。 （もっと読む）

【課題】 サージ電圧から内部回路を良好に保護することができる保護回路を構成でき、過大電圧により破壊された場合にも回路動作に不具合を生じることがない、信頼性に優れた保護回路素子を具備した薄膜半導体装置を提供する。
【解決手段】 基体と、該基体上に形成された半導体膜とを具備した薄膜半導体装置において、前記基体上に内部回路（主回路部）１７と、保護回路部１８と、端子部１９とが設けられており、前記保護回路部１８に、前記半導体膜を有するＰＩＮダイオードと、該ＰＩＮダイオードのＩ層と絶縁膜を介して対向配置された浮遊電極とを備えた保護回路素子１８１，１８２が設けられている構成とした。 （もっと読む）

【課題】画像が表示されるアクティブ領域と、画像非表示領域である外郭部を含む液晶表示装置が提供される。
【解決手段】液晶表示装置は、前記アクティブ領域にアレイ素子とカラーフィルタが形成された第１基板と、前記外郭部に形成された静電気放電(ＥＳＤ)回路及び前記静電気放電回路上に形成されたパターンスペーサと、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と第２基板を合着するシーラントとを含む。 （もっと読む）

【課題】例えば液晶表示装置の入出力保護に好適なＴＦＴ構造および回路配置を提供する。
【解決手段】本発明の実施の形態によれば、Ｓi薄膜（７１）により形成されたソース領域（７３）、チャネル領域（７４）、およびドレイン領域（７５）を有し、チャネル領域上部にゲート絶縁膜（７６）およびゲート電極（７７）を有するＴＦＴ（７０）であって、チャネル領域の中央部およびソース側端部は実質的に単結晶の半導体により形成され、チャネル領域のドレイン側端部（８２）は多結晶またはアモルファス半導体により形成されているＴＦＴが提供される。かかるＴＦＴを保護回路部（１３６）に使用することにより、保護回路部におけるサージ電圧の吸収を可能にする。 （もっと読む）

【課題】ゲート両側入力方式のアクティブマトリクス基板製造時に、静電気による歩留まりの低下を抑止する。
【解決手段】ゲート層に形成され、互いに平行に延びる複数のゲート線１と、ゲート層にゲート絶縁膜８を介して設けられたソース層に形成され、ゲート線１と交差する方向に互いに平行に延びる複数のソース線２と、複数のソース線２の両側方の領域にそれぞれ配置されると共にゲート層に形成され、各ゲート線１の一方の端部から引き出された複数のゲート引き出し線１ｂと、ソース層に形成され、各ソース線２から引き出された複数のソース引き出し線２ｂと、ゲート層に形成され、各ゲート線１の間にそれぞれ配置された複数の容量線３とを備え、隣り合う各容量線３の一方の端部は、ゲート層に形成された接続部３ｃにより互いに連結されると共に、ゲート層に形成された容量引き出し線１ｂにより引き出されている。 （もっと読む）

【課題】
静電破壊を防止した配線基板を提供し、表示不良を抑制した表示装置を提供する。
【解決手段】
ＴＦＴアレイ基板１００において、ゲート伝送配線１０５とコモン伝送配線１０７が交差する位置の近傍に、切り欠き部１１０を有し、この切り欠き部１１０に静電破壊防止部２００が形成されている。この切り欠き部１１０のコーナー部を鈍角または円弧状にすることによって、コーナー部における電荷の集中を抑制し、ＥＳＤによる静電破壊の発生を防止することができる。このＴＦＴアレイ基板１００を表示装置に用いることによって、静電破壊に起因した表示不良を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、静電気流入による層間短絡などの障害が生じたとしても容易に修復することのできる表示装置用基板を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１上の表示領域内に配設され、表示領域の内方より表示領域の外方に向けて引き出し形成される第１の配線部１０を有する。さらに、基板１上の表示領域の外の第１の配線部１０と絶縁膜を介して交差して形成される第２の配線部７０を有する。さらに、第２の配線部７０に形成され、少なくとも交差する第１の配線部１０と重なり合う領域に開口した開口部７２を有する。さらに、開口部７２の両端に形成され、絶縁膜を介して第１及び第２の配線部１０、７０が重なり合う重畳部７４を有する。 （もっと読む）

【課題】駆動回路内蔵表示装置における静電破壊を防止する。
【解決手段】保護回路を入力端子部だけでなく、回路中あるいは配線末端にも配置する。あるいは入力端子直後と配線末端にそれぞれ保護回路を設置し、その間に回路を挟む。さらに消費電流の大きな回路の周囲に保護回路を設置する。 （もっと読む）

【課題】
アモルファスシリコンの光による抵抗変化によって、静電破壊保護素子が機能しなくなることを防止する。
【解決手段】
アレイ基板１１１とＦＰＣ１６との接続部において、各接続端子２１間を接続する静電破壊保護素子２３が形成されている。静電破壊保護素子２３はアモルファスシリコンで形成された配線であり、光によって抵抗値が変化する。静電破壊保護素子２３はＦＰＣの可撓性基板に覆われており、アモルファスシリコンへの光の照射量を低減することができる。また、静電破壊保護素子２３の抵抗値を適切な値に設定することによって、バックライトなどからの光によって抵抗値が低下しても、静電破壊保護素子として効果的に機能することができる。 （もっと読む）

【課題】ノイズの影響を抑制して高画質化を図る。
【解決手段】 複数の走査線及び複数のデータ線の各交点に対応してスイッチング素子が設けられ、前記データ線に供給される画像信号に基づいて前記スイッチング素子を駆動して画像表示を行う表示部１００に対して、複数の前記スイッチング素子を所定のブロック毎に駆動する相展開による駆動制御を行う駆動手段１３０，１４０，１５０と、前記データ線に供給する画像信号を伝送するための信号配線１１ａと、相展開の１データ系列を伝送する前記信号配線毎に、前記信号配線に沿って形成されるシールド線１６とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

シリコン酸化膜３１上のソース電極及びドレイン電極は、それぞれ透明電極であるＩＴＯ膜３２及びＩＴＯ膜３２上に形成された金属膜３３の２層構造を有する。ソース電極とドレイン電極との間には、ソース電極及びドレイン電極が存在しないギャップ３５が形成されている。ソース電極及びドレイン電極上並びにギャップ３５内には、ゲート絶縁膜であるシリコン窒化膜３４が形成されている。このシリコン窒化膜３４は、厚さが比較的厚い領域Ｄ₁部と厚さが比較的薄い領域Ｄ₂部を有する。シリコン窒化膜３４にＤ₂部にＭＩＭ構造が設けられる。シリコン窒化膜３４上には、ゲートバス層３６が形成されている。これにより、Ｄ₂部には、ＭＩＭ構造が構成される。

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【課題】 少ない回数のフォトリソグラフィで横電界型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】 横電界型液晶表示装置の製造方法において、逆スタガ型薄膜トランジスタのゲート電極および共通電極を形成する工程と、ゲート絶縁膜と半導体層とソース・ドレイン電極と画素電極とを形成する工程と、ゲート絶縁膜と薄膜トランジスタ上に形成したパッシベーション膜に所定の開口を形成する工程とから成り、開口形成後、共通配線結束線と各ドレイン配線と高抵抗を介して接続する連結線とを各線の端部に形成した前記開口を介して導電ぺーストで接続するようにした。 （もっと読む）

【課題】 予備配線同士、あるいは予備配線と隣接する走査線または信号線との間に接続された第１保護回路の短絡破壊を防止し、表示不良の発生を抑えることのできるアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】 信号線４および走査線３に非接続となるダミー予備配線１１が予備配線７に隣接して設けられている。第１保護回路１０の高電圧印加による損傷を防止すべく、予備配線７とダミー予備配線１１との間には第２保護回路１２が接続されている。第２保護回路１２は、第１保護回路１０よりも高電圧印加により短絡しやすい特性を有している。 （もっと読む）