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Fターム[2H092QA14]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 液晶の動作原理 (3,287) | 電界効果型 (3,247) | 永久双極子型 (266) | 反強誘電性型 (103)

Fターム[2H092QA14]に分類される特許

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【課題】 簡易な構成で表示品位および視野角が改善されたIPS型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】
第1偏光膜と、第1と第2位相差領域と、液晶セルと、第2偏光膜とがこの順序で配置され、第1位相差領域の面内レターデーション(Re)が70nm〜330nm、厚み方向のレターデーション(Rth)を用いてNz=Rth/Re+0.5で定義されるNz値が0を超え0.4未満であり、第2位相差領域のReが50nm以下で光学軸が面内に含まれずRthが10nm〜140nmであり、第1位相差領域の遅相軸が第1偏光膜の透過軸に直交かつ第1偏光膜の透過軸が黒表示時の液晶分子の遅相軸方向に平行で、第1および第2偏光膜は液晶層に近い側の面に下記式(I)および(II)を満たすセルロースアシレートフィルムを有する。(I)0≦Re(630)≦10、かつ、|Rth(630)|≦25(II)|Re(400)−Re(700)|≦10、かつ、|Rth(400)−Rth(700)|≦35 (もっと読む)


【課題】回路性能に応じて適切な構造の薄膜トランジスタを配置し、保持容量の占有面積を小さくして高性能で画像の明るい半導体装置を提供する。
【解決手段】動作速度を重視する回路とゲート絶縁耐圧を重視する回路とでゲート絶縁膜の厚さを異ならせたり、ホットキャリア対策を重視する薄膜トランジスタとオフ電流対策を重視する薄膜トランジスタとでLDD領域の形成位置を異ならせる。これにより高性能な半導体装置を実現する。また、遮光膜とその酸化物を用いて保持容量を形成することで保持容量の面積を最小限に抑え、明るい画像表示の可能な半導体装置を実現する。 (もっと読む)


【課題】 ガラス基板を用いたタッチパネル等の入力装置において、入力操作時の入力荷重の低減及び検出精度の向上が可能で、且つ製造工程時の基板の取り扱い性も良好な入力装置を提供する。
【解決手段】 本発明の入力装置4は、座標入力面を有する第1の基板8aと該第1の基板8aに対向する第2の基板8bとを備え、前記第1の基板8aの前記座標入力面上の位置を直接指示することによって、その指示位置における座標情報を入力可能とした入力装置である。本発明において、前記第1の基板8a及び前記第2の基板8bは共にガラス基板からなり、前記第1の基板又は前記第2の基板の少なくとも一方の基板に、前記座標情報を検出するための導電膜(面状電極12a,12b、低抵抗膜14)がスパッタ法又は蒸着法により形成されている。 (もっと読む)


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