【課題】洗浄によるパターンの劣化を抑制することができるテンプレート処理方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のテンプレート処理方法は、主面を有する基板と、前記主面上に形成され、凹部を含む第１のパターンと、前記第１のパターンとは異なる位置に前記主面上に形成され、凹部を含む第２のパターンとを具備し、かつ、前記第１のパターンは第１の材料を含み、前記第２のパターンは前記第１の材料とは異なる第２の材料を含むテンプレート１を処理する。実施形態のテンプレート処理方法は、前記第１および第２の材料とは異なる第３の材料を含む被覆部材１１で前記第２のパターンを被覆する。次に、被覆部材１１で前記第２のパターンを被覆した状態で、テンプレート１を洗浄する。次に、被覆部材１１を除去して前記第２のパターンを露出させる。 （もっと読む）

【課題】被照射体を傾ける必要がなく、通常の密着露光装置または近接露光装置に被照射体と平行に設置して、１度の露光で複数の異なる角度の斜め露光を、被照射体に対して行うことができるフォトマスクを提供すること。
【解決手段】露光装置より照射されたフォトマスクに垂直な平行光を、被照射体に傾斜させて出射するフォトマスクであって、透明基板の照射面側に、回折光学素子が形成され、透明基板の出射面側に、回折光学素子からの回折光を選択的に透過する光透過部のパターンが形成される。 （もっと読む）

【課題】ネガ型フォトレジストとフォトマスクとの密着強度が高くても、フォトマスクと半導体ウェーハとを容易に分離可能な半導体素子の製造方法およびフォトマスクを提供する。
【解決手段】ウェーハの表面に、ネガ型フォトレジストを塗布する工程と、マスクパターンが設けられた面のうち、前記マスクパターンが設けられていない領域に設けられた溝部を有する第１のフォトマスクの前記面と、前記ネガ型フォトレジストと、を密着して露光する第１露光工程と、前記溝部を介して気体を導入させ、前記第１のフォトマスクと前記ネガ型フォトレジストが塗布された前記ウェーハとを分離する第１分離工程と、前記ネガ型フォトレジストを現像し、開口部を有する前記ネガ型フォトレジストのパターンを形成する現像工程と、前記開口部に露出した前記ウェーハの前記表面に、リフトオフ法を用いて電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】密着露光装置に使用してもグレイスケールの発現するバイナリータイプのフォトマスクを提供することである。
【解決手段】基板４上のレジスト３に密着させてパターン露光に用いるバイナリーグレイトーンフォトマスク１であって、フォトマスクの遮光層２は、波長がλである露光光の解像限界以下の複数の開口部７を内部に含む全体としては解像限界以上の開口部領域と解像限界以上の単純な開口部８とを有しており、且つ前記開口部領域を囲む遮光層２上と単純な開口部８を囲む遮光層２上にスペーサが形成されていることを特徴とするバイナリーグレイトーンフォトマスク。 （もっと読む）

【課題】新規な保護膜が形成されたレジストパターン形成用部材を提供する。
【解決手段】保護膜付きレジストパターン形成用部材は、酸化物を含む表面を有し、レジストパターン形成のためレジスト膜に密着して用いられるレジストパターン形成用部材と、レジストパターン形成用部材上に形成され、直鎖状で主鎖がパーフルオロポリエーテルを含み末端基に水酸基を含む両親媒性分子を含む保護膜とを有する （もっと読む）

【課題】エキシマレーザーのフォトマスクへの照射はフォトマスクの回路パターン面のパターン膜を改質させ、素子線幅を変動させてしまう不都合が生じる。また、一度納品したフォトマスクがフォトマスクメーカーに戻り再度洗浄される再洗浄品は、回路パターン膜が改質しているため、洗浄により素子線幅が更に変動する不都合が生じる。更に、洗浄による回路パターン膜の破壊や回路パターン膜と膜の間に異物がはまり込む等の理由から納品時の外観品質維持が極めて困難となる。
【解決手段】石英基板1aの回路パターン膜1b上に、石英もしくは金属とシリコンの金属間化合物等からなる透明な保護膜1cを回路パターン膜1bの膜厚以上の高さで成膜し、保護膜成膜時に形成される表面凹凸を研磨することにより除去してフォトマスク1を製造する。 （もっと読む）

【課題】遮光パターンの分布が微小立体形状同士が隣接する境界で偏らず、特定方向の回折現象が発生しない濃度分布マスクを得る。
【解決手段】ＸＹ平面に複数の微小立体形状を、Ｘ方向のピッチをＸｐにしＹ方向のピッチをＹｐにしてＸｐとＹｐを異ならせて配列して微小立体形状配列を形成する濃度分布マスクにおいて、前記ＸＹ平面にＸ方向のピッチが前記Ｘｐの（Ｘ方向分割数ｎ）分の１で、Ｙ方向のピッチが前記Ｙｐの（Ｙ方向分割数ｍ）分の１の格子点を設定し、前記格子点に、Ｘ方向の寸法がＹ方向の寸法の（Ｘｐ／Ｙｐ）×（ｍ／ｎ）倍の遮光パターンを階調に応じた寸法で形成する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクの基板から着膜層を簡易及び低コストな方法で剥離し、基板の再利用を図ることにより、フォトマスクの低コスト化を図る。
【解決手段】基板上にパターン層と保護膜層とが形成されたフォトマスクにて、上記基板から上記パターン層及び上記保護膜層を剥離する方法であって、上記フォトマスクの上記保護膜層側から所定の深さの切り込み部を形成する第一ステップと、上記パターン層を上記基板から剥離する溶剤を上記切り込み部から浸透させる第二ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】露光する光の波長の長さに関わらず、例えば可視光波長であったとしても、ナノメートル（好ましくは、シングルナノメートル）の加工分解能を実現するフォトリソグラフィ技術を提供することを目的とする。
【解決手段】透明基板に２以上のナノ金属微粒子が配置されたプラズモン共鳴を生じる金属構造体であって、前記ナノ金属微粒子同士のギャップが３０ｎｍ以下である、金属構造体を準備するステップ；基板表面に成膜された、波長Ｘの光に感光するフォトレジスト膜を準備するステップ；前記金属構造体をマスクとして、前記フォトレジスト膜に、前記波長Ｘよりも長い波長Ｙの光を露光するステップを含む、３０ｎｍ以下のナノパターンを含むフォトレジスパターンを作製する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ガラスマスクとの接着性がよく、保護膜とした場合に、保護膜のハードコート性が優れ、クラックが発生せず、エポキシ樹脂とシリコーン樹脂の不相溶による塗膜の白化を防止することができる。また、硬化剤としてアミン系化合物のみを含むため、保護液の保存安定性を向上させることができるガラスマスク用熱硬化型保護液を提供する。
【解決手段】ガラスマスク用熱硬化型保護液を、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂及びシリコーンオイルを含み、前記エポキシ樹脂としてフェノールノボラック型エポキシ樹脂を含むものとする。さらに、硬化剤としてアミン系化合物のみを含むものとする。 （もっと読む）

【課題】ガラスマスクとの接着性がよく、保護膜とした場合に、保護膜のハードコート性が優れ、クラックが発生せず、エポキシ樹脂とシリコーン樹脂の不相溶による塗膜の白化を防止し、透明性に優れるものとすることができる。また、硬化剤としてアミン系化合物のみを含むため、保護液の保存安定性を向上させることができるガラスマスク用熱硬化型保護液を提供する。
【解決手段】ガラスマスク用熱硬化型保護液を、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂及びシリコーンオイルを含み、前記シリコーン樹脂中に１５〜３５重量％がエステル変性シリコーン樹脂であるものとする。さらに、硬化剤としてアミン系化合物のみを含むものとする。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクを、パターンが描かれた中央部分とその周囲の力伝達部分とに分けて作成し、その後、接合することにより、材料費の低減および新たな設備投資の回避の可能性をもたらす。
【解決手段】フォトマスク１は、パターン表示領域５を含む中央部分３と、中央部分３の外周縁部を取り囲む力伝達部分４とに分けて作成される。両者は粘着テープ７で互いに接合される。力伝達部分４は、中央部分３を弾性的に変形させるための力付与手段と連結するための連結部（孔）８を有する。 （もっと読む）

【課題】 保護テープ基材の内部異物、凝集粒子やオリゴマーの発生が極めて少ないフォトマスク保護テープ用ポリエステルフィルムを提供する。
【解決手段】 下記式（１）および（２）を同時に満たす量のチタン化合物およびリン化合物を含み、アンチモン元素の含有量が１０ｐｐｍ以下であり、実質的に粒子を含まない二軸配向ポリエステルフィルムの両面に帯電防止層を有し、当該帯電防止層表面の表面固有抵抗がいずれも１．０×１０^１３Ω／□以下であることを特徴とする液状レジストフォトマスク保護テープ用二軸配向ポリエステルフィルム。
１≦Ｗ_ＴＩ≦２０ …（１）
１≦Ｗ_Ｐ≦３００ …（２）
（上記式中、Ｗ_ＴＩはポリエステルフィルム中のチタン元素含有量（ｐｐｍ）、Ｗ_Ｐはポリエステルフィルム中のリン元素含有量（ｐｐｍ）を示す） （もっと読む）

【課題】 階調マスクにおける、ハーフトーン領域を形成するハーフトーン膜パターン内の欠陥部を修正する、階調マスクの欠陥修正方法で、効率的に、且つ、均一に修正できる欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】 ハーフトーン膜パターン内の第１の欠陥部を整形して、該第１の欠陥部を含み、且つ、該ハーフトーン膜パターン領域内に矩形状の白欠陥部である第２の欠陥部を新たに形成し、該第２の欠陥部に対して、前記露光光を遮光する遮光膜からなり、且つ、転写しない線幅の、ラインパターンを、複数、前記ハーフトーン膜パターン領域内において隙間を開けて並列にして配し、複数のラインパターンからなるスリット状パターンを、透過率調整して、配設するもので、前記スリット状パターンの配設は、レーザＣＶＤにより、レーザ光をアパーチャを介して一括照射し、照射領域に前記ラインパターンを配設するものである。 （もっと読む）

【課題】 再剥離性（剥がした場合に被着体に糊残りしていない性能）に優れ、複雑で、ドットが小さく、線の細い、また線の間隔が狭いパターンの描かれたフォトマスクにフォトマスク保護用粘着テープを貼り付けても気泡が混入しない解像度の高いフォトマスク保護用粘着テープの提供。
【解決手段】 透明な基材（Ａ）の片面に、ＧＰＣ法によるポリスチレン換算分子量として測定される重量平均分子量が１００万〜２００万であるアクリル酸エステル系樹脂と、架橋剤とを含有してなる粘着剤からなる粘着剤層（Ｂ）が設けられてなるフォトマスク保護用粘着テープであって、アクリル酸エステル系樹脂が特定のものであり、粘着剤層（Ｂ）の引張剪断変位量が、８〜２５μｍであることを特徴とするフォトマスク保護用粘着テープによる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の表面に突起状の異物が存在しても、露光の際に遮光膜パターンを被処理基板の表面に形成されたフォトレジスト膜に密着、或いは密着に近い状態で接近させることが可能なアライナ用露光マスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光透過性を有する基板２１と、この基板の一面に設けられて所定のパターン形状を有する遮光膜１６ａと、基板の一面に、遮光膜が設けられている領域を残して設けられた凹部２４と、を有するアライナ用露光マスク２０である。凹部は、このアライナ用露光マスクを用いて被露光物を露光する際に、被露光物の表面に付着した異物を収容する収容部となる。 （もっと読む）

【課題】密着露光方法において、露光後のフォトマスクへのレジスト付着を防止しつつ、露光時間の延長や解像力低下を改善し、且つレジスト層表面のうねりや異物の付着、気泡の混入が生じた場合においても良好な露光を行うことができるレジスト基板及び密着露光方法を提供する。
【解決手段】本発明によって、基板１上にレジスト層２が形成されたレジスト基板４であって、前記レジスト層２の上面に密着するフォトマスク層３を具備することを特徴とするレジスト基板４が提供される。 （もっと読む）

【課題】周辺回路領域のパターン形成能力によってメモリセルアレイ領域中のパターンの微細化が律速されない半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、メモリセルアレイ領域１と、メモリセルアレイ領域の周辺に設けられた周辺回路領域と、メモリセルアレイ領域と周辺回路領域との間に設けられた所定幅を有する境界領域とを備え、メモリセルアレイ領域は、複数の不揮発性半導体メモリセルを含むセル領域と、セル領域内からその外側の領域に延在して設けられた複数の直線状配線と、境界領域で複数の直線状配線よりも下層に設けられ、複数の直線状配線と電気的に接続され、かつ配線幅が直線状配線の幅より太い複数の下層配線とを備え、周辺回路領域は、複数の下層配線を介して、複数の直線状配線に電気的に接続された複数のパターンを備え、境界領域は、複数の直線状配線、複数の直線状配線と同層の配線が設けられていないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】露光パターンにおける深さ方向の傾斜角を変化させる。
【解決手段】露光に用いられる光源１３０と、光源１３０からの光を透過する基板の同一の面に、光を透過しない光遮断層と、光の照射角度により透過率が変化し、光を基板に略垂直に照射した際、光を最も透過する光干渉層とを形成した露光マスク１０５と、露光マスク１０５の光干渉層及び前記光遮断層の形成されている面に、感光性材料を塗布等し、露光マスクの感光性材料の形成面の反対より光が照射するように固定する露光マスクステージ１３８と、露光マスク１０５に対し垂直方向を軸として、露光マスクステージ１３８を回転させる露光マスク回転機構と、光源１３０からの光を露光マスク１０５に対し垂直及び、斜めに照射するために、露光マスク１０５を傾斜させることが可能な露光マスク傾斜機構２４９を有することを特徴とする露光装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ゴム状弾性体を用いて近接場露光マスクを製造するに際し、マスク表面の歪みの発生を抑制することができ、平坦なマスクの形成が可能となる近接場露光マスクの製造方法、近接場露光方法及び近接場露光装置を提供する。
【解決手段】近接場露光マスクの製造に際し、
第１の基板を準備する工程と、前記第１の基板に剥離層を形成する剥離層形成工程と、前記剥離層上に照明光を遮光する遮光層を形成する遮光層形成工程と、前記遮光層に前記照明光の波長よりも短い幅を有する開口を形成する開口形成工程と、
前記開口が形成された遮光層上に前記照明光に対して透明なゴム状弾性体によるマスク母材を形成するマスク母材形成工程と、前記マスク母材上に前記照明光に対して透明な第２の基板を接合する第２基板接合工程と、
前記剥離層を介して前記遮光層から前記第１の基板を剥離する第１基板剥離工程と、を有する構成とする。 （もっと読む）