テンプレート処理方法
【課題】洗浄によるパターンの劣化を抑制することができるテンプレート処理方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のテンプレート処理方法は、主面を有する基板と、前記主面上に形成され、凹部を含む第１のパターンと、前記第１のパターンとは異なる位置に前記主面上に形成され、凹部を含む第２のパターンとを具備し、かつ、前記第１のパターンは第１の材料を含み、前記第２のパターンは前記第１の材料とは異なる第２の材料を含むテンプレート１を処理する。実施形態のテンプレート処理方法は、前記第１および第２の材料とは異なる第３の材料を含む被覆部材１１で前記第２のパターンを被覆する。次に、被覆部材１１で前記第２のパターンを被覆した状態で、テンプレート１を洗浄する。次に、被覆部材１１を除去して前記第２のパターンを露出させる。
【解決手段】実施形態のテンプレート処理方法は、主面を有する基板と、前記主面上に形成され、凹部を含む第１のパターンと、前記第１のパターンとは異なる位置に前記主面上に形成され、凹部を含む第２のパターンとを具備し、かつ、前記第１のパターンは第１の材料を含み、前記第２のパターンは前記第１の材料とは異なる第２の材料を含むテンプレート１を処理する。実施形態のテンプレート処理方法は、前記第１および第２の材料とは異なる第３の材料を含む被覆部材１１で前記第２のパターンを被覆する。次に、被覆部材１１で前記第２のパターンを被覆した状態で、テンプレート１を洗浄する。次に、被覆部材１１を除去して前記第２のパターンを露出させる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、インプリトに使用されるテンプレートの処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インプリント法を用いたパターン形成方法が注目されている。このパターン形成方法では、テンプレートと呼ばれる原版が使用される。テンプレートの表面（パターン面）には、被加工基板上に形成するべきパターンに対応する凹凸パターンと、テンプレートと被加工基板との位置合わせに利用されるアライメントマークとが形成されている。
【０００３】
半導体リソグラフィへの適用が最も期待されるインプリント方法の一つとしては光インプリト法がある。光インプリント法を用いたパターン形成方法は以下の工程を含む。
【０００４】
すなわち、被加工基板の表面上に液状の光硬化性樹脂を塗布する工程と、被加工基板の表面とテンプレートのパターン面とを位置合わせする工程と、液状の光硬化性樹脂にテンプレートのパターン面を接触させ、毛細管現象によってパターン面の凹部内に液状の光硬化性樹脂が浸透するように一定時間保持する工程と、光照射により光硬化性樹脂を硬化する工程と、硬化した光硬化性樹脂（樹脂パターン）からテンプレートを離す工程（離型）と、樹脂パターンをマスクにして被加工基板をエッチングする工程とを含む。
【０００５】
離型後、テンプレートの凹凸パターンに光硬化性樹脂が付着した状態が生じうる。そのため、テンプレートを洗浄する必要がある。その洗浄方法としては、プラズマを用いたドライプロセスや、薬液を用いたウェットプロセスがある。
【０００６】
テンプレートを洗浄するとき、凹凸パターンのみならず、アライメントマークもプラズマや薬液に晒される。そのため、テンプレートの洗浄によって、アライメントマークの劣化が生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１１−０２９６４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、洗浄によるパターンの劣化を抑制することができるテンプレート処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
実施形態のテンプレート処理方法は、主面を有する基板と、前記主面上に形成され、凹部を含む第１のパターンと、前記第１のパターンとは異なる位置に前記主面上に形成され、凹部を含む第２のパターンとを具備し、かつ、前記第１のパターンは第１の材料を含み、前記第２のパターンは前記第１の材料とは異なる第２の材料を含むテンプレートを処理する。実施形態のテンプレート処理方法は、前記第１および第２の材料とは異なる第３の材料を含む被覆部材で前記第２のパターンを被覆する。次に、前記被覆部材で前記第２のパターンを被覆した状態で、前記テンプレートを洗浄する。次に、前記被覆部材を除去して前記第２のパターンを露出させる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態に係るテンプレート処理方法が適用されるテンプレートの一例を模式的に示す図である。
【図２】第１の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く第１の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く第１の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く第１の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く第１の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く第１の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く第１の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図９】実施形態のテンプレート洗浄装置を模式的に示す図である。
【図１０】第２の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図１１】図１０に続く第２の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図１２】図１１に続く第２の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図１３】図１２に続く第２の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図１４】図１３に続く第２の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図１５】第３の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図１６】実施形態のテンプレート洗浄装置を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しながら実施形態を説明する。
【００１２】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るテンプレート処理方法が適用されるテンプレート１の一例を模式的に示す図である。本実施形態では、テンプレート１は、光インプリント法に使用されるものとして説明する。
【００１３】
テンプレート１は、透明基板２と、透明基板２の主面（光が照射される面と反対側の面）に設けられ、凹部および凸部を含むメインパターン（第１のパターン）３とを具備する。
【００１４】
透明基板２の母材は、例えば、石英である。メインパターン３は、透明基板２をエッチングして形成されるので、メインパターン３の材料（第１の材料）は、透明基板２の母材と同じである。メインパターン３は、ウェハ上に形成するべきデバイスパターンに対応するパターンを含む。図１では、簡単のため、メインパターン３は簡略化して示してある。
【００１５】
テンプレート１の主面上は、さらに、メインパターン３の材料とは異なる材料（第２の材料）４を含むとともに、メインパターン３とは異なる位置に形成されたアライメントマーク（第２のパターン）５が設けられている。
【００１６】
アライメントマーク５は、凹部および凸部を含む。アライメントマーク５の凹部はメインパターン３の凹部よりも浅い。アライメントマーク５の凹部の底面は第２の材料４で被覆されている。第２の材料４は、例えば、クロムである。
【００１７】
アライメントマーク５の凸部の上面（石英）と凹部の底面（クロム）とでは光の反射率が異なるので、アライメントマーク５からの反射光は特定の強度分布（コントラスト）を有する。したがって、テンプレートに光を照射してその反射光を検出することで、アライメントマーク５の位置は分かる。アライメントマーク５の凹部の底面の代わりに、アライメントマーク５の凸部の上面を第２の材料４で被覆しても構わない。
【００１８】
図１には、理解を容易にするために、アライメントマーク５は、メインパターン３の右隣りに示されているが、アライメントマーク５の位置は右隣りに限定されるわけではない。
【００１９】
テンプレート１は、さらに、ダミーパターン６を具備する。ダミーパターン６の凹部はメインパターン３の凹部よりも深い。ダミーパターン６は、例えば、図１に示すように、アライメントマーク５の隣りに設けられている。
【００２０】
テンプレート１の主面には汚染物７が付着している。汚染物７は、例えば、インプリントプロセスで使用された光硬化性樹脂である。
【００２１】
図２−図８は、本実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【００２２】
［図２］
周知のインプリント装置を用いて、ダミー基板（例えばウェハ）１０上に、インプリントレジストである液状の光硬化性樹脂１１（第３の材料）を例えばインクジョット方式の塗布装置を用いて滴下する。なお、以下の図において、必要な場合を除いて、テンプレート１は簡略化して示してある。
【００２３】
通常のインプリントプロセスでは、被加工基板と樹脂パターンとの間の密着性を高めるために、被加工基板上に密着層を形成することもあるが、ダミー基板１０の表面に密着層は形成しない。通常のインプリントプロセスにおいて、密着層を用いる理由は、被加工基板からテンプレートを離す工程（離型工程）において、光照射で硬化した光硬化性樹脂（樹脂パターン）が被加工基板から剥がれること（離型欠陥）を防止するためである。
【００２４】
次に、ダミー基板１０の上方にテンプレート１を配置し、光硬化性樹脂１１とアライメントマーク５とが対向するように、ダミー基板１０とテンプレート１との位置合わせを行う。
【００２５】
［図３］
周知のインプリント装置を用いて、テンプレート１のアライメントマークを液状の光硬化性樹脂１１に接触させ、毛細管現象によってアライメントマークの凹部内に液状の光硬化性樹脂１１が浸透するように一定時間保持する。
【００２６】
このとき、テンプレート１のメインパターンがダミー基板１０に接触（衝突）しないように、テンプレート１のアライメントマークを光硬化性樹脂１１に接触させる。これは、ダミー基板１０との接触（衝突）によって、メインパターンが傷ついたり、汚れる可能性があるからである。
【００２７】
メインパターンとダミー基板１０との接触（衝突）を回避するためには、例えば、図３に示すように、通常のインプリントプロセスよりも光硬化性樹脂１１の量を多くし、アライメントマークをダミー基板１０に接触させなくても、アライメントマークの凹部内を光硬化性樹脂１１で充填できるようにする。
【００２８】
ここでは、ダミー基板１０上に供給する光硬化性樹脂１１（第３の材料）の量を制御することにより、メインパターン（第１のパターン）を光硬化性樹脂１１に接触させないようにしたが、その代わりに、テンプレート１とダミー基板１０との間の距離を制御することにより、メインパターンを光硬化性樹脂１１に接触させないようにしても構わない。さらに、光硬化性樹脂１１の量、および、テンプレート１とダミー基板１０との間の距離の両方を制御することにより、メインパターンを光硬化性樹脂１１に接触させないようにしても構わない。
【００２９】
［図４］
周知のインプリント装置を用いて、テンプレート１の裏面（主面と反対側の面）から光１２を照射して、光硬化性樹脂１１を硬化する。
【００３０】
［図５］
周知のインプリント装置を用いて、硬化した光硬化性樹脂（被覆部材）１１からテンプレート１を離す（離型）。その結果、テンプレート１は、アライメントマークが被覆部材１１で被覆された状態となる。
【００３１】
ここで、上述したように、本実施形態の場合、ダミー基板１０の表面には密着層が形成されていないので、被覆部材１１はダミー基板１０から容易に離れる。そのため、アライメントマークが被覆部材１１で被覆された構造は容易に実現できる。
【００３２】
［図６］
図１に示したメインパターン３上の汚染物を除去するために、酸素ガス１３を用いてテンプレート１を洗浄する。アライメントマークは被覆部材１１で被覆されているので、酸素ガス１３によるアライメントマークの劣化（例えば、形状変化）は抑制される。アライメントマークの劣化が抑制されることにより、アライメント信号強度の変化が抑制され、もって、位置合わせの精度の低下を抑制できるようになる。
【００３３】
［図７］
引き続き、例えば、酸素ガス１３を用いた処理（樹脂除去処理）を行うことにより、上記被覆部材を除去し、アライメントマーク５を露出させる。
【００３４】
［図８］
図６の洗浄の工程で生じてテンプレート１上に残留した物質（残留物）を、ウエット処理により除去する。上記残留物は、例えば、汚染物である光硬化性樹脂を酸素ガスで除去したときに生じた炭化物である。ウエット処理は、酸を含む薬液を用いたウエット処理であり、より具体的には、例えば、硫酸を含む薬液を用いたウエット処理である。
【００３５】
次に、純水や超純水等の液体（リンス液）を用いてテンプレート１を濯ぎ（リンス処理）、その後、テンプレート１をホットプレートで加熱して乾燥させる。
【００３６】
図６−図７の工程（洗浄工程）は、例えば、図９に示す実施形態のテンプレート洗浄装置を用いて行う。
【００３７】
実施形態のテンプレート洗浄装置は、酸素ガスを用いて汚染物の除去を行うところの汚染物除去チャンバ２０と、酸を含む薬液を用いたウエット処理およびリンス液によりテンプレートのリンス処理を行うための処理チャンバ２１と、テンプレートの加熱を行うためのホットプレート２２と、汚染物除去チャンバ２０内に酸素ガスを供給するための供給ライン２３と、処理チャンバ２１内に薬液を供給するための供給ライン２４と、処理チャンバ２１内にリンス液を供給するための供給ライン２５と、図示しないロボットアームにより、汚染物除去チャンバ２０から処理チャンバ２１へのテンプレートの搬送、処理チャンバ２１からホットプレート２２へのテンプレートの搬送などを行うための搬送系２６とを具備する。
【００３８】
図５の工程（離型）の終了後、インプリント装置内からテンプレートが取り出され、その後、テンプレートは、実施形態のテンプレート洗浄装置の汚染物除去チャンバ２０内に搬送される。汚染物除去チャンバ２０内で、図６の酸素ガスによるテンプレート１の洗浄工程が行われる。次に、処理チャンバ２１内で、図８の薬液によるウエット処理が行われる。その後、処理チャンバ２１内で、図８のリンス液によるリンス処理が行われる。
【００３９】
以上述べたように本実施形態によれば、アライメントマークを被覆部材で被覆して保護した状態でテンプレートを洗浄することにより、アライメントマークの劣化を防止でき、もって、位置合わせの精度の低下を抑制できるようになる。
【００４０】
（第２の実施形態）
図１０−図１４は、本発明の第２の実施形態に係るテンプレート処理方法を説明するための断面図である。なお、以下の図において、既出の図と対応する部分には既出の図と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
【００４１】
［図１０］
周知のインプリント装置を用いて、ダミー基板１０上に、液状の光硬化性樹脂１１（１１ａ，１１ｂ）を滴下し、その後、ダミー基板１０とテンプレート１との位置合わせを行う。
【００４２】
第１の実施形態では、アライメントマーク５に対応する領域のダミー基板１０上に光硬化性樹脂１１（１１ａ）を滴下したが、本実施形態では、さらに、ダミーパターン７に対応する領域のダミー基板１０上にも光硬化性樹脂１１（１１ｂ）を滴下する。光硬化性樹脂１１ｂの滴下量は、ダミーパターン７の凹部内を充填しない程度の量である。光硬化性樹脂１１ａの滴下量は、例えば、第１の実施形態と同様に、メインパターンとダミー基板１０との接触（衝突）を回避できる程度の量である。
【００４３】
［図１１］
周知のインプリント装置を用いて、液状の光硬化性樹脂１１にテンプレート１のアライメントマークを接触させ、アライメントマークの凹部内を液状の光硬化性樹脂１１で充填する。
【００４４】
このとき、図１０に示した光硬化性樹脂１１ａと光硬化性樹脂１１ｂとは一体の光硬化性樹脂１１となって、ダミーパターン７の凹部の内面（底面および側面）を被覆する。これにより、メインパターンの光硬化性樹脂による汚染を効果的に抑制できるようになる。
【００４５】
［図１２］
周知のインプリント装置を用いて、テンプレート１を介して光硬化性樹脂１１に光１２を照射して光硬化性樹脂１１を硬化する。
【００４６】
［図１３］
周知のインプリント装置を用いて、硬化した光硬化性樹脂（被覆部材）１１からテンプレート１を離す（離型）。その結果、テンプレート１は、アライメントマークおよびダミーパターンが被覆部材１１で被覆された状態となる。
【００４７】
［図１４］
酸素ガス１３を用いてテンプレート１を洗浄する。このとき、第１の実施形態と同様に、アライメントマークは被覆部材１１で被覆されているので、アライメントマークの劣化および位置合わせの精度の低下は抑制される。
【００４８】
次に、第１の実施形態の図７の工程と同様に、引き続き、例えば、酸素ガス１３を用いた処理（樹脂除去処理）を行うことにより、上記被覆部材を除去し、アライメントマーク５を露出させる。この後は、第１の実施形態と同様に、残留物の除去、リンス処理、乾燥が行われる。
【００４９】
本実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果に加えて、アライメントマークを光硬化性樹脂（被覆部材）で被覆する際における光硬化性樹脂によるメインパターンの汚染を十分に抑制できるという効果も得られる。
【００５０】
（第３の実施形態）
第１および第２の実施形態では、被覆部材の材料(第３の材料)として光硬化性樹脂（インプリトレジスト）を用いたが、本実施形態では、光硬化性樹脂よりも洗浄耐性が高い材料を用いる。この種の材料としては、例えば、通常のインプリトプロセスで使用される離型剤があげられる。
【００５１】
離型剤からなる被覆部材を形成するには、例えば、テンプレートのアライメントマーク上に離型剤を供給し、その後、離型剤を加熱する。
【００５２】
離型剤を用いた場合、酸素ガス１３を用いてテンプレート１を洗浄した後、図１５に示すように、離型剤からなる被覆部材１１’は残り、また、被覆部材１１’下には汚染物７が残る。第１および第２の実施形態の場合は、図６に示したように、被覆部材および汚染物は残らない。
【００５３】
被覆部材１１’および汚染物７を除去するには、例えば、硫酸を含む薬液を用いたウエット処理を行い、その後、ホットプレートで脱イオン処理を行えばよい。
【００５４】
被覆部材１１’の形成、ならびに、被覆部材１１’および汚染物７の除去は、例えば、図１６に示すテンプレート洗浄装置を用いて行われる。
【００５５】
図１６のテンプレート洗浄装置は、処理チャンバ２１’内に薬液、リンス液を供給するための供給ライン２４，２５の他に、離型剤を供給するための供給ライン２７を具備する。チャンバ２１’内には、テンプレートの所望の領域に離型剤を吐出できる周知の吐出機構が設けられている。供給ライン２７からの離型剤は上記吐出機構に供給される。
【００５６】
処理チャンバ２１’内にテンプレートを搬送し、上記吐出機構によりテンプレートのアライメントマーク上に離型剤を吐出させ、その後、搬送機構２６によりテンプレートをホットプレート２２に移してテンプレートを加熱することにより、被覆部材１１’を形成することができる。
【００５７】
また、処理チャンバ２１’内にテンプレートを搬送し、処理チャンバ２１’内に薬液を供給し、その後、搬送機構２６によりテンプレートをホットプレート２２に移してテンプレートを加熱して脱イオン処理を行うことにより、被覆部材１１’を除去できる。
【００５８】
本実施形態は、第１および第２の実施形態のいずれにも適用可能であり、また、離型剤以外にもスピンオングラス（ＳＯＧ）も使用可能である。
【００５９】
第１−第３の実施形態では光インプリント法に使用されるテンプレートの場合について説明したが、実施形態の処理方法は熱インプリント法等の他のタイプのインプリント法に使用されるテンプレートに対しても同様に実施可能である。
【００６０】
以上述べたテンプレート処理方法の代表的な構成を以下に示す。
【００６１】
（１） 主面を有する基板と、前記主面上に形成され、凹部を含む第１のパターンと、前記第１のパターンとは異なる位置に前記主面上に形成され、凹部を含む第２のパターンとを具備し、かつ、前記第１のパターンは第１の材料を含み、前記第２のパターンは前記第１の材料とは異なる第２の材料を含むテンプレートを処理するためのテンプレート処理方法において、前記第１および第２の材料とは異なる第３の材料を含む被覆部材で前記第２のパターンを被覆する工程と、前記被覆部材で前記第２のパターンを被覆した状態で、前記テンプレートを洗浄する工程と、前記テンプレートを洗浄する工程の後に、前記被覆部材を除去して前記第２のパターンを露出させる工程とを含む。
【００６２】
（２） （１）において、前記第１のパターンは、被加工基板上に転写するべきデバイスパターンに対応するパターンであり、前記第２のパターンは、アライメントマークである。
【００６３】
（３） （１）または（２）において、前記テンプレートを洗浄する工程は、酸素ガス、または、酸を含む薬液を用いる。
【００６４】
（４） （３）において、前記酸は、硫酸である。
【００６５】
（５） （１）ないし（４）のいずれかにおいて、前記第２のパターンを前記被覆部材で被覆する工程は、インプリント装置を用いて行う。
【００６６】
（６） （５）において、前記第２のパターンを前記被覆部材で被覆する工程は、前記インプリント装置を用いて、前記第３の材料を基板上に供給する工程と、前記インプリント装置を用いて、前記第２のパターンを前記第３の材料に接触させる工程とを含む。
【００６７】
（７） （６）において、前記第２のパターンを前記第３の材料に接触させる工程において、前記第１のパターンを前記基板に接触させない。
【００６８】
（８） （７）において、前記基板上に供給する前記第３の材料の量、および、前記テンプレートと前記基板との間の距離の少なくとも一方を制御することにより、前記第１のパターンを前記基板に接触させない。
【００６９】
（９） （８）において、前記テンプレートは、前記第２のパターンに隣りに形成され、凹部を含む第３のパターンをさらに具備し、前記第２のパターンを前記被覆部材で被覆する工程は、前記インプリント装置を用いて、前記第３の材料を前記基板上に供給する工程と、前記第１のパターンが前記基板に接触しないように、前記インプリント装置を用いて、前記第２のパターンおよび前記第３のパターンを、前記第３の材料に接触させる工程とを含む。
【００７０】
（１０） （８）において、前記第３のパターンは、ダミーパターンである。
【００７１】
（１１） （５）ないし（１０）のいずれかにおいて、前記第３の材料は、インプリントレジストである。
【００７２】
（１２） （１）ないし（４）のいずれかにおいて、前記第２のパターンを前記被覆部材で被覆する工程は、テンプレート洗浄装置を用いて行う。
【００７３】
（１３） （１２）において、前記第２のパターンを前記被覆部材で被覆する工程は、前記テンプレート洗浄装置を用いて、前記第３の材料を前記第２のパターン上に供給する工程と、前記テンプレート洗浄装置を用いて、前記第２のパターン上の前記第３の材料を加熱する工程とを含む。
【００７４】
（１４） （１３）において、前記第３の材料は、インプリントレジストよりも高い洗浄耐性を有する材料である。
【００７５】
（１５） （１４）において、前記インプリントレジストよりも高い洗浄耐性を有する材料は、離型剤である。
【００７６】
（１６） （１）ないし（１５）のいずれかにおいて、前記第１の材料は、石英である。
【００７７】
（１７） （１６）において、前記第２の材料は、クロムである。
【００７８】
（１８） （１７）において、前記第２のパターンは、前記主面に形成された凹部および凸部と、前記凹部の底面または前記凸部の上面を被覆する、前記第２の材料としてのクロムを含む。
【００７９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００８０】
１…テンプレート、２…透明基板、３…メインパターン（第１のパターン）、４…第２の材料、５…アライメントマーク（第２のパターン）、６…ダミーパターン、７…汚染物、１０…ダミー基板、１１，１１ａ，１１ｂ…光硬化性樹脂（第３の材料）、１２…光、１３…酸素ガス、２０…汚染物除去チャンバ、２１，２１’…処理チャンバ、２２…ホットプレート、２３，２４，２５，２７…供給ライン、２６…搬送機構。
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、インプリトに使用されるテンプレートの処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インプリント法を用いたパターン形成方法が注目されている。このパターン形成方法では、テンプレートと呼ばれる原版が使用される。テンプレートの表面（パターン面）には、被加工基板上に形成するべきパターンに対応する凹凸パターンと、テンプレートと被加工基板との位置合わせに利用されるアライメントマークとが形成されている。
【０００３】
半導体リソグラフィへの適用が最も期待されるインプリント方法の一つとしては光インプリト法がある。光インプリント法を用いたパターン形成方法は以下の工程を含む。
【０００４】
すなわち、被加工基板の表面上に液状の光硬化性樹脂を塗布する工程と、被加工基板の表面とテンプレートのパターン面とを位置合わせする工程と、液状の光硬化性樹脂にテンプレートのパターン面を接触させ、毛細管現象によってパターン面の凹部内に液状の光硬化性樹脂が浸透するように一定時間保持する工程と、光照射により光硬化性樹脂を硬化する工程と、硬化した光硬化性樹脂（樹脂パターン）からテンプレートを離す工程（離型）と、樹脂パターンをマスクにして被加工基板をエッチングする工程とを含む。
【０００５】
離型後、テンプレートの凹凸パターンに光硬化性樹脂が付着した状態が生じうる。そのため、テンプレートを洗浄する必要がある。その洗浄方法としては、プラズマを用いたドライプロセスや、薬液を用いたウェットプロセスがある。
【０００６】
テンプレートを洗浄するとき、凹凸パターンのみならず、アライメントマークもプラズマや薬液に晒される。そのため、テンプレートの洗浄によって、アライメントマークの劣化が生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１１−０２９６４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、洗浄によるパターンの劣化を抑制することができるテンプレート処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
実施形態のテンプレート処理方法は、主面を有する基板と、前記主面上に形成され、凹部を含む第１のパターンと、前記第１のパターンとは異なる位置に前記主面上に形成され、凹部を含む第２のパターンとを具備し、かつ、前記第１のパターンは第１の材料を含み、前記第２のパターンは前記第１の材料とは異なる第２の材料を含むテンプレートを処理する。実施形態のテンプレート処理方法は、前記第１および第２の材料とは異なる第３の材料を含む被覆部材で前記第２のパターンを被覆する。次に、前記被覆部材で前記第２のパターンを被覆した状態で、前記テンプレートを洗浄する。次に、前記被覆部材を除去して前記第２のパターンを露出させる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態に係るテンプレート処理方法が適用されるテンプレートの一例を模式的に示す図である。
【図２】第１の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く第１の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く第１の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く第１の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く第１の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く第１の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く第１の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図９】実施形態のテンプレート洗浄装置を模式的に示す図である。
【図１０】第２の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図１１】図１０に続く第２の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図１２】図１１に続く第２の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図１３】図１２に続く第２の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図１４】図１３に続く第２の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図１５】第３の実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【図１６】実施形態のテンプレート洗浄装置を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しながら実施形態を説明する。
【００１２】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るテンプレート処理方法が適用されるテンプレート１の一例を模式的に示す図である。本実施形態では、テンプレート１は、光インプリント法に使用されるものとして説明する。
【００１３】
テンプレート１は、透明基板２と、透明基板２の主面（光が照射される面と反対側の面）に設けられ、凹部および凸部を含むメインパターン（第１のパターン）３とを具備する。
【００１４】
透明基板２の母材は、例えば、石英である。メインパターン３は、透明基板２をエッチングして形成されるので、メインパターン３の材料（第１の材料）は、透明基板２の母材と同じである。メインパターン３は、ウェハ上に形成するべきデバイスパターンに対応するパターンを含む。図１では、簡単のため、メインパターン３は簡略化して示してある。
【００１５】
テンプレート１の主面上は、さらに、メインパターン３の材料とは異なる材料（第２の材料）４を含むとともに、メインパターン３とは異なる位置に形成されたアライメントマーク（第２のパターン）５が設けられている。
【００１６】
アライメントマーク５は、凹部および凸部を含む。アライメントマーク５の凹部はメインパターン３の凹部よりも浅い。アライメントマーク５の凹部の底面は第２の材料４で被覆されている。第２の材料４は、例えば、クロムである。
【００１７】
アライメントマーク５の凸部の上面（石英）と凹部の底面（クロム）とでは光の反射率が異なるので、アライメントマーク５からの反射光は特定の強度分布（コントラスト）を有する。したがって、テンプレートに光を照射してその反射光を検出することで、アライメントマーク５の位置は分かる。アライメントマーク５の凹部の底面の代わりに、アライメントマーク５の凸部の上面を第２の材料４で被覆しても構わない。
【００１８】
図１には、理解を容易にするために、アライメントマーク５は、メインパターン３の右隣りに示されているが、アライメントマーク５の位置は右隣りに限定されるわけではない。
【００１９】
テンプレート１は、さらに、ダミーパターン６を具備する。ダミーパターン６の凹部はメインパターン３の凹部よりも深い。ダミーパターン６は、例えば、図１に示すように、アライメントマーク５の隣りに設けられている。
【００２０】
テンプレート１の主面には汚染物７が付着している。汚染物７は、例えば、インプリントプロセスで使用された光硬化性樹脂である。
【００２１】
図２−図８は、本実施形態のテンプレート処理方法を説明するための断面図である。
【００２２】
［図２］
周知のインプリント装置を用いて、ダミー基板（例えばウェハ）１０上に、インプリントレジストである液状の光硬化性樹脂１１（第３の材料）を例えばインクジョット方式の塗布装置を用いて滴下する。なお、以下の図において、必要な場合を除いて、テンプレート１は簡略化して示してある。
【００２３】
通常のインプリントプロセスでは、被加工基板と樹脂パターンとの間の密着性を高めるために、被加工基板上に密着層を形成することもあるが、ダミー基板１０の表面に密着層は形成しない。通常のインプリントプロセスにおいて、密着層を用いる理由は、被加工基板からテンプレートを離す工程（離型工程）において、光照射で硬化した光硬化性樹脂（樹脂パターン）が被加工基板から剥がれること（離型欠陥）を防止するためである。
【００２４】
次に、ダミー基板１０の上方にテンプレート１を配置し、光硬化性樹脂１１とアライメントマーク５とが対向するように、ダミー基板１０とテンプレート１との位置合わせを行う。
【００２５】
［図３］
周知のインプリント装置を用いて、テンプレート１のアライメントマークを液状の光硬化性樹脂１１に接触させ、毛細管現象によってアライメントマークの凹部内に液状の光硬化性樹脂１１が浸透するように一定時間保持する。
【００２６】
このとき、テンプレート１のメインパターンがダミー基板１０に接触（衝突）しないように、テンプレート１のアライメントマークを光硬化性樹脂１１に接触させる。これは、ダミー基板１０との接触（衝突）によって、メインパターンが傷ついたり、汚れる可能性があるからである。
【００２７】
メインパターンとダミー基板１０との接触（衝突）を回避するためには、例えば、図３に示すように、通常のインプリントプロセスよりも光硬化性樹脂１１の量を多くし、アライメントマークをダミー基板１０に接触させなくても、アライメントマークの凹部内を光硬化性樹脂１１で充填できるようにする。
【００２８】
ここでは、ダミー基板１０上に供給する光硬化性樹脂１１（第３の材料）の量を制御することにより、メインパターン（第１のパターン）を光硬化性樹脂１１に接触させないようにしたが、その代わりに、テンプレート１とダミー基板１０との間の距離を制御することにより、メインパターンを光硬化性樹脂１１に接触させないようにしても構わない。さらに、光硬化性樹脂１１の量、および、テンプレート１とダミー基板１０との間の距離の両方を制御することにより、メインパターンを光硬化性樹脂１１に接触させないようにしても構わない。
【００２９】
［図４］
周知のインプリント装置を用いて、テンプレート１の裏面（主面と反対側の面）から光１２を照射して、光硬化性樹脂１１を硬化する。
【００３０】
［図５］
周知のインプリント装置を用いて、硬化した光硬化性樹脂（被覆部材）１１からテンプレート１を離す（離型）。その結果、テンプレート１は、アライメントマークが被覆部材１１で被覆された状態となる。
【００３１】
ここで、上述したように、本実施形態の場合、ダミー基板１０の表面には密着層が形成されていないので、被覆部材１１はダミー基板１０から容易に離れる。そのため、アライメントマークが被覆部材１１で被覆された構造は容易に実現できる。
【００３２】
［図６］
図１に示したメインパターン３上の汚染物を除去するために、酸素ガス１３を用いてテンプレート１を洗浄する。アライメントマークは被覆部材１１で被覆されているので、酸素ガス１３によるアライメントマークの劣化（例えば、形状変化）は抑制される。アライメントマークの劣化が抑制されることにより、アライメント信号強度の変化が抑制され、もって、位置合わせの精度の低下を抑制できるようになる。
【００３３】
［図７］
引き続き、例えば、酸素ガス１３を用いた処理（樹脂除去処理）を行うことにより、上記被覆部材を除去し、アライメントマーク５を露出させる。
【００３４】
［図８］
図６の洗浄の工程で生じてテンプレート１上に残留した物質（残留物）を、ウエット処理により除去する。上記残留物は、例えば、汚染物である光硬化性樹脂を酸素ガスで除去したときに生じた炭化物である。ウエット処理は、酸を含む薬液を用いたウエット処理であり、より具体的には、例えば、硫酸を含む薬液を用いたウエット処理である。
【００３５】
次に、純水や超純水等の液体（リンス液）を用いてテンプレート１を濯ぎ（リンス処理）、その後、テンプレート１をホットプレートで加熱して乾燥させる。
【００３６】
図６−図７の工程（洗浄工程）は、例えば、図９に示す実施形態のテンプレート洗浄装置を用いて行う。
【００３７】
実施形態のテンプレート洗浄装置は、酸素ガスを用いて汚染物の除去を行うところの汚染物除去チャンバ２０と、酸を含む薬液を用いたウエット処理およびリンス液によりテンプレートのリンス処理を行うための処理チャンバ２１と、テンプレートの加熱を行うためのホットプレート２２と、汚染物除去チャンバ２０内に酸素ガスを供給するための供給ライン２３と、処理チャンバ２１内に薬液を供給するための供給ライン２４と、処理チャンバ２１内にリンス液を供給するための供給ライン２５と、図示しないロボットアームにより、汚染物除去チャンバ２０から処理チャンバ２１へのテンプレートの搬送、処理チャンバ２１からホットプレート２２へのテンプレートの搬送などを行うための搬送系２６とを具備する。
【００３８】
図５の工程（離型）の終了後、インプリント装置内からテンプレートが取り出され、その後、テンプレートは、実施形態のテンプレート洗浄装置の汚染物除去チャンバ２０内に搬送される。汚染物除去チャンバ２０内で、図６の酸素ガスによるテンプレート１の洗浄工程が行われる。次に、処理チャンバ２１内で、図８の薬液によるウエット処理が行われる。その後、処理チャンバ２１内で、図８のリンス液によるリンス処理が行われる。
【００３９】
以上述べたように本実施形態によれば、アライメントマークを被覆部材で被覆して保護した状態でテンプレートを洗浄することにより、アライメントマークの劣化を防止でき、もって、位置合わせの精度の低下を抑制できるようになる。
【００４０】
（第２の実施形態）
図１０−図１４は、本発明の第２の実施形態に係るテンプレート処理方法を説明するための断面図である。なお、以下の図において、既出の図と対応する部分には既出の図と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
【００４１】
［図１０］
周知のインプリント装置を用いて、ダミー基板１０上に、液状の光硬化性樹脂１１（１１ａ，１１ｂ）を滴下し、その後、ダミー基板１０とテンプレート１との位置合わせを行う。
【００４２】
第１の実施形態では、アライメントマーク５に対応する領域のダミー基板１０上に光硬化性樹脂１１（１１ａ）を滴下したが、本実施形態では、さらに、ダミーパターン７に対応する領域のダミー基板１０上にも光硬化性樹脂１１（１１ｂ）を滴下する。光硬化性樹脂１１ｂの滴下量は、ダミーパターン７の凹部内を充填しない程度の量である。光硬化性樹脂１１ａの滴下量は、例えば、第１の実施形態と同様に、メインパターンとダミー基板１０との接触（衝突）を回避できる程度の量である。
【００４３】
［図１１］
周知のインプリント装置を用いて、液状の光硬化性樹脂１１にテンプレート１のアライメントマークを接触させ、アライメントマークの凹部内を液状の光硬化性樹脂１１で充填する。
【００４４】
このとき、図１０に示した光硬化性樹脂１１ａと光硬化性樹脂１１ｂとは一体の光硬化性樹脂１１となって、ダミーパターン７の凹部の内面（底面および側面）を被覆する。これにより、メインパターンの光硬化性樹脂による汚染を効果的に抑制できるようになる。
【００４５】
［図１２］
周知のインプリント装置を用いて、テンプレート１を介して光硬化性樹脂１１に光１２を照射して光硬化性樹脂１１を硬化する。
【００４６】
［図１３］
周知のインプリント装置を用いて、硬化した光硬化性樹脂（被覆部材）１１からテンプレート１を離す（離型）。その結果、テンプレート１は、アライメントマークおよびダミーパターンが被覆部材１１で被覆された状態となる。
【００４７】
［図１４］
酸素ガス１３を用いてテンプレート１を洗浄する。このとき、第１の実施形態と同様に、アライメントマークは被覆部材１１で被覆されているので、アライメントマークの劣化および位置合わせの精度の低下は抑制される。
【００４８】
次に、第１の実施形態の図７の工程と同様に、引き続き、例えば、酸素ガス１３を用いた処理（樹脂除去処理）を行うことにより、上記被覆部材を除去し、アライメントマーク５を露出させる。この後は、第１の実施形態と同様に、残留物の除去、リンス処理、乾燥が行われる。
【００４９】
本実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果に加えて、アライメントマークを光硬化性樹脂（被覆部材）で被覆する際における光硬化性樹脂によるメインパターンの汚染を十分に抑制できるという効果も得られる。
【００５０】
（第３の実施形態）
第１および第２の実施形態では、被覆部材の材料(第３の材料)として光硬化性樹脂（インプリトレジスト）を用いたが、本実施形態では、光硬化性樹脂よりも洗浄耐性が高い材料を用いる。この種の材料としては、例えば、通常のインプリトプロセスで使用される離型剤があげられる。
【００５１】
離型剤からなる被覆部材を形成するには、例えば、テンプレートのアライメントマーク上に離型剤を供給し、その後、離型剤を加熱する。
【００５２】
離型剤を用いた場合、酸素ガス１３を用いてテンプレート１を洗浄した後、図１５に示すように、離型剤からなる被覆部材１１’は残り、また、被覆部材１１’下には汚染物７が残る。第１および第２の実施形態の場合は、図６に示したように、被覆部材および汚染物は残らない。
【００５３】
被覆部材１１’および汚染物７を除去するには、例えば、硫酸を含む薬液を用いたウエット処理を行い、その後、ホットプレートで脱イオン処理を行えばよい。
【００５４】
被覆部材１１’の形成、ならびに、被覆部材１１’および汚染物７の除去は、例えば、図１６に示すテンプレート洗浄装置を用いて行われる。
【００５５】
図１６のテンプレート洗浄装置は、処理チャンバ２１’内に薬液、リンス液を供給するための供給ライン２４，２５の他に、離型剤を供給するための供給ライン２７を具備する。チャンバ２１’内には、テンプレートの所望の領域に離型剤を吐出できる周知の吐出機構が設けられている。供給ライン２７からの離型剤は上記吐出機構に供給される。
【００５６】
処理チャンバ２１’内にテンプレートを搬送し、上記吐出機構によりテンプレートのアライメントマーク上に離型剤を吐出させ、その後、搬送機構２６によりテンプレートをホットプレート２２に移してテンプレートを加熱することにより、被覆部材１１’を形成することができる。
【００５７】
また、処理チャンバ２１’内にテンプレートを搬送し、処理チャンバ２１’内に薬液を供給し、その後、搬送機構２６によりテンプレートをホットプレート２２に移してテンプレートを加熱して脱イオン処理を行うことにより、被覆部材１１’を除去できる。
【００５８】
本実施形態は、第１および第２の実施形態のいずれにも適用可能であり、また、離型剤以外にもスピンオングラス（ＳＯＧ）も使用可能である。
【００５９】
第１−第３の実施形態では光インプリント法に使用されるテンプレートの場合について説明したが、実施形態の処理方法は熱インプリント法等の他のタイプのインプリント法に使用されるテンプレートに対しても同様に実施可能である。
【００６０】
以上述べたテンプレート処理方法の代表的な構成を以下に示す。
【００６１】
（１） 主面を有する基板と、前記主面上に形成され、凹部を含む第１のパターンと、前記第１のパターンとは異なる位置に前記主面上に形成され、凹部を含む第２のパターンとを具備し、かつ、前記第１のパターンは第１の材料を含み、前記第２のパターンは前記第１の材料とは異なる第２の材料を含むテンプレートを処理するためのテンプレート処理方法において、前記第１および第２の材料とは異なる第３の材料を含む被覆部材で前記第２のパターンを被覆する工程と、前記被覆部材で前記第２のパターンを被覆した状態で、前記テンプレートを洗浄する工程と、前記テンプレートを洗浄する工程の後に、前記被覆部材を除去して前記第２のパターンを露出させる工程とを含む。
【００６２】
（２） （１）において、前記第１のパターンは、被加工基板上に転写するべきデバイスパターンに対応するパターンであり、前記第２のパターンは、アライメントマークである。
【００６３】
（３） （１）または（２）において、前記テンプレートを洗浄する工程は、酸素ガス、または、酸を含む薬液を用いる。
【００６４】
（４） （３）において、前記酸は、硫酸である。
【００６５】
（５） （１）ないし（４）のいずれかにおいて、前記第２のパターンを前記被覆部材で被覆する工程は、インプリント装置を用いて行う。
【００６６】
（６） （５）において、前記第２のパターンを前記被覆部材で被覆する工程は、前記インプリント装置を用いて、前記第３の材料を基板上に供給する工程と、前記インプリント装置を用いて、前記第２のパターンを前記第３の材料に接触させる工程とを含む。
【００６７】
（７） （６）において、前記第２のパターンを前記第３の材料に接触させる工程において、前記第１のパターンを前記基板に接触させない。
【００６８】
（８） （７）において、前記基板上に供給する前記第３の材料の量、および、前記テンプレートと前記基板との間の距離の少なくとも一方を制御することにより、前記第１のパターンを前記基板に接触させない。
【００６９】
（９） （８）において、前記テンプレートは、前記第２のパターンに隣りに形成され、凹部を含む第３のパターンをさらに具備し、前記第２のパターンを前記被覆部材で被覆する工程は、前記インプリント装置を用いて、前記第３の材料を前記基板上に供給する工程と、前記第１のパターンが前記基板に接触しないように、前記インプリント装置を用いて、前記第２のパターンおよび前記第３のパターンを、前記第３の材料に接触させる工程とを含む。
【００７０】
（１０） （８）において、前記第３のパターンは、ダミーパターンである。
【００７１】
（１１） （５）ないし（１０）のいずれかにおいて、前記第３の材料は、インプリントレジストである。
【００７２】
（１２） （１）ないし（４）のいずれかにおいて、前記第２のパターンを前記被覆部材で被覆する工程は、テンプレート洗浄装置を用いて行う。
【００７３】
（１３） （１２）において、前記第２のパターンを前記被覆部材で被覆する工程は、前記テンプレート洗浄装置を用いて、前記第３の材料を前記第２のパターン上に供給する工程と、前記テンプレート洗浄装置を用いて、前記第２のパターン上の前記第３の材料を加熱する工程とを含む。
【００７４】
（１４） （１３）において、前記第３の材料は、インプリントレジストよりも高い洗浄耐性を有する材料である。
【００７５】
（１５） （１４）において、前記インプリントレジストよりも高い洗浄耐性を有する材料は、離型剤である。
【００７６】
（１６） （１）ないし（１５）のいずれかにおいて、前記第１の材料は、石英である。
【００７７】
（１７） （１６）において、前記第２の材料は、クロムである。
【００７８】
（１８） （１７）において、前記第２のパターンは、前記主面に形成された凹部および凸部と、前記凹部の底面または前記凸部の上面を被覆する、前記第２の材料としてのクロムを含む。
【００７９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００８０】
１…テンプレート、２…透明基板、３…メインパターン（第１のパターン）、４…第２の材料、５…アライメントマーク（第２のパターン）、６…ダミーパターン、７…汚染物、１０…ダミー基板、１１，１１ａ，１１ｂ…光硬化性樹脂（第３の材料）、１２…光、１３…酸素ガス、２０…汚染物除去チャンバ、２１，２１’…処理チャンバ、２２…ホットプレート、２３，２４，２５，２７…供給ライン、２６…搬送機構。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有する基板と、前記主面上に形成され、凹部を含む第１のパターンと、前記第１のパターンとは異なる位置に前記主面上に形成され、凹部を含む第２のパターンとを具備し、かつ、前記第１のパターンは第１の材料を含み、前記第２のパターンは前記第１の材料とは異なる第２の材料を含むテンプレートを処理するためのテンプレート処理方法であって、
前記第１および第２の材料とは異なる第３の材料を含む被覆部材で前記第２のパターンを被覆する工程と、
前記被覆部材で前記第２のパターンを被覆した状態で、前記テンプレートを洗浄する工程と、
前記テンプレートを洗浄する工程の後に、前記被覆部材を除去して前記第２のパターンを露出させる工程とを具備してなり、
前記第１のパターンは、被加工基板上に転写するべきデバイスパターンに対応するパターンであり、前記第２のパターンは、アライメントマークであり、
前記第２のパターンを前記被覆部材で被覆する工程は、インプリント装置を用いて、前記第３の材料を基板上に供給する工程と、前記インプリント装置を用いて、前記第２のパターンを前記第３の材料に接触させる工程とを含み、
前記テンプレートを洗浄する工程は、酸素ガス、または、酸を含む薬液を用いることを特徴とするテンプレート処理方法。
【請求項２】
主面を有する基板と、前記主面上に形成され、凹部を含む第１のパターンと、前記第１のパターンとは異なる位置に前記主面上に形成され、凹部を含む第２のパターンとを具備し、かつ、前記第１のパターンは第１の材料を含み、前記第２のパターンは前記第１の材料とは異なる第２の材料を含むテンプレートを処理するためのテンプレート処理方法であって、
前記第１および第２の材料とは異なる第３の材料を含む被覆部材で前記第２のパターンを被覆する工程と、
前記被覆部材で前記第２のパターンを被覆した状態で、前記テンプレートを洗浄する工程と、
前記テンプレートを洗浄する工程の後に、前記被覆部材を除去して前記第２のパターンを露出させる工程と
を具備してなることを特徴とするテンプレート処理方法。
【請求項３】
前記第１のパターンは、被加工基板上に転写するべきデバイスパターンに対応するパターンであり、前記第２のパターンは、アライメントマークであることを特徴とする請求項２に記載のテンプレート処理方法。
【請求項４】
前記テンプレートを洗浄する工程は、酸素ガス、または、酸を含む薬液を用いることを特徴とする請求項２または３に記載のテンプレート処理方法。
【請求項５】
前記第２のパターンを前記被覆部材で被覆する工程は、インプリント装置を用いて行うことを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１項に記載のテンプレート処理方法。
【請求項６】
前記第２のパターンを前記被覆部材で被覆する工程は、
前記インプリント装置を用いて、前記第３の材料を基板上に供給する工程と、
前記インプリント装置を用いて、前記第２のパターンを前記第３の材料に接触させる工程と
を含むことを特徴する請求項５に記載のテンプレート処理方法。
【請求項７】
前記第２のパターンを前記第３の材料に接触させる工程において、前記第１のパターンを前記基板に接触させないことを特徴とする請求項６に記載のテンプレート処理方法。
【請求項８】
前記基板上に供給する前記第３の材料の量、および、前記テンプレートと前記基板との間の距離の少なくとも一方を制御することにより、前記第１のパターンを前記第３の材料に接触させないことを特徴とする請求項７に記載のテンプレート処理方法。
【請求項９】
前記テンプレートは、前記第２のパターンに隣りに形成され、凹部を含む第３のパターンをさらに具備し、
前記第２のパターンを前記被覆部材で被覆する工程は、
前記インプリント装置を用いて、前記第３の材料を前記基板上に供給する工程と、
前記インプリント装置を用いて、前記第１のパターンを前記基板および前記第３の材料を接触させずに、前記第２のパターンおよび前記第３のパターンを前記第３の材料に接触させる工程と
を含むことを特徴する請求項８に記載のテンプレート処理方法。
【請求項１０】
前記第３の材料は、インプリントレジストであることを特徴する請求項５ないし８のいずれか１項に記載のテンプレート処理方法。
【請求項１１】
前記第２のパターンを前記被覆部材で被覆する工程は、テンプレート洗浄装置を用いて行うことを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１項に記載のテンプレート処理方法。
【請求項１２】
前記第３の材料は、インプリントレジストよりも高い洗浄耐性を有する材料であることを特徴する請求項１１に記載のテンプレート処理方法。
【請求項１】
主面を有する基板と、前記主面上に形成され、凹部を含む第１のパターンと、前記第１のパターンとは異なる位置に前記主面上に形成され、凹部を含む第２のパターンとを具備し、かつ、前記第１のパターンは第１の材料を含み、前記第２のパターンは前記第１の材料とは異なる第２の材料を含むテンプレートを処理するためのテンプレート処理方法であって、
前記第１および第２の材料とは異なる第３の材料を含む被覆部材で前記第２のパターンを被覆する工程と、
前記被覆部材で前記第２のパターンを被覆した状態で、前記テンプレートを洗浄する工程と、
前記テンプレートを洗浄する工程の後に、前記被覆部材を除去して前記第２のパターンを露出させる工程とを具備してなり、
前記第１のパターンは、被加工基板上に転写するべきデバイスパターンに対応するパターンであり、前記第２のパターンは、アライメントマークであり、
前記第２のパターンを前記被覆部材で被覆する工程は、インプリント装置を用いて、前記第３の材料を基板上に供給する工程と、前記インプリント装置を用いて、前記第２のパターンを前記第３の材料に接触させる工程とを含み、
前記テンプレートを洗浄する工程は、酸素ガス、または、酸を含む薬液を用いることを特徴とするテンプレート処理方法。
【請求項２】
主面を有する基板と、前記主面上に形成され、凹部を含む第１のパターンと、前記第１のパターンとは異なる位置に前記主面上に形成され、凹部を含む第２のパターンとを具備し、かつ、前記第１のパターンは第１の材料を含み、前記第２のパターンは前記第１の材料とは異なる第２の材料を含むテンプレートを処理するためのテンプレート処理方法であって、
前記第１および第２の材料とは異なる第３の材料を含む被覆部材で前記第２のパターンを被覆する工程と、
前記被覆部材で前記第２のパターンを被覆した状態で、前記テンプレートを洗浄する工程と、
前記テンプレートを洗浄する工程の後に、前記被覆部材を除去して前記第２のパターンを露出させる工程と
を具備してなることを特徴とするテンプレート処理方法。
【請求項３】
前記第１のパターンは、被加工基板上に転写するべきデバイスパターンに対応するパターンであり、前記第２のパターンは、アライメントマークであることを特徴とする請求項２に記載のテンプレート処理方法。
【請求項４】
前記テンプレートを洗浄する工程は、酸素ガス、または、酸を含む薬液を用いることを特徴とする請求項２または３に記載のテンプレート処理方法。
【請求項５】
前記第２のパターンを前記被覆部材で被覆する工程は、インプリント装置を用いて行うことを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１項に記載のテンプレート処理方法。
【請求項６】
前記第２のパターンを前記被覆部材で被覆する工程は、
前記インプリント装置を用いて、前記第３の材料を基板上に供給する工程と、
前記インプリント装置を用いて、前記第２のパターンを前記第３の材料に接触させる工程と
を含むことを特徴する請求項５に記載のテンプレート処理方法。
【請求項７】
前記第２のパターンを前記第３の材料に接触させる工程において、前記第１のパターンを前記基板に接触させないことを特徴とする請求項６に記載のテンプレート処理方法。
【請求項８】
前記基板上に供給する前記第３の材料の量、および、前記テンプレートと前記基板との間の距離の少なくとも一方を制御することにより、前記第１のパターンを前記第３の材料に接触させないことを特徴とする請求項７に記載のテンプレート処理方法。
【請求項９】
前記テンプレートは、前記第２のパターンに隣りに形成され、凹部を含む第３のパターンをさらに具備し、
前記第２のパターンを前記被覆部材で被覆する工程は、
前記インプリント装置を用いて、前記第３の材料を前記基板上に供給する工程と、
前記インプリント装置を用いて、前記第１のパターンを前記基板および前記第３の材料を接触させずに、前記第２のパターンおよび前記第３のパターンを前記第３の材料に接触させる工程と
を含むことを特徴する請求項８に記載のテンプレート処理方法。
【請求項１０】
前記第３の材料は、インプリントレジストであることを特徴する請求項５ないし８のいずれか１項に記載のテンプレート処理方法。
【請求項１１】
前記第２のパターンを前記被覆部材で被覆する工程は、テンプレート洗浄装置を用いて行うことを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１項に記載のテンプレート処理方法。
【請求項１２】
前記第３の材料は、インプリントレジストよりも高い洗浄耐性を有する材料であることを特徴する請求項１１に記載のテンプレート処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１３−１１０２０５（Ｐ２０１３−１１０２０５Ａ）
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２５２６５５（Ｐ２０１１−２５２６５５）
【出願日】平成２３年１１月１８日（２０１１．１１．１８）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月１８日（２０１１．１１．１８）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]