【課題】洗浄によるパターンの劣化を抑制することができるテンプレート処理方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のテンプレート処理方法は、主面を有する基板と、前記主面上に形成され、凹部を含む第１のパターンと、前記第１のパターンとは異なる位置に前記主面上に形成され、凹部を含む第２のパターンとを具備し、かつ、前記第１のパターンは第１の材料を含み、前記第２のパターンは前記第１の材料とは異なる第２の材料を含むテンプレート１を処理する。実施形態のテンプレート処理方法は、前記第１および第２の材料とは異なる第３の材料を含む被覆部材１１で前記第２のパターンを被覆する。次に、被覆部材１１で前記第２のパターンを被覆した状態で、テンプレート１を洗浄する。次に、被覆部材１１を除去して前記第２のパターンを露出させる。 （もっと読む）

【課題】黒欠陥の発生を抑制できる転写用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜は、ドライエッチングが可能な材料からなり、前記薄膜上にレジスト膜が形成されたマスクブランクを準備する準備工程と、前記レジスト膜に転写パターンを露光処理する露光工程と、前記露光処理されたレジスト膜に対し、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂよりも高く、ｐＨが８以上である現像液を用いて現像処理を行う現像工程と、前記現像処理されたマスクブランクに対し、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂ以下であり、ｐＨが８以上である第１のリンス液を用いて処理を行う第１リンス工程と、前記第１リンス工程後、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂ以下であり、ｐＨが６より大きく８未満である第２のリンス液を用いて処理を行う第２リンス工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】バッファ機能と反転機能とを統合運営できるバッファユニット、基板処理設備、及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明によるバッファユニット４０００は、ベースプレート４１１０と、ベースプレート４１１０に互いに離隔されて設置される第１垂直プレート４１２０と第２垂直プレート４１３０とを有するフレーム４１００と、フォトマスクＭが置かれ、第１及び第２垂直プレート４１２０，４１３０間に反転自在に設置される第１バッファ４２００と、及び第１及び第２垂直プレート４１２０，４１３０の外方に設置され、第１バッファ４２００に置かれるフォトマスクをグリップし、反転されるように第１バッファ４２００を駆動させる駆動部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】マスクの微小黒欠陥の発生要因となるマスクブランクの欠陥検査では検出されない潜在化したマスクブランクにおける欠陥の発生を抑制するマスクブランクの表面処理方法等を提供する。
【解決手段】基板上に転写パターンとなる薄膜を有するマスクブランクの表面に処理液を用いて表面処理を行うマスクブランクの表面処理方法であって、前記薄膜は、イオン主体のドライエッチングが可能な材料からなり、前記処理液に含まれるエッチング阻害物質の濃度が、０．３ｐｐｂ以下である。 （もっと読む）

【課題】洗浄処理において、基板への不必要なダメージや回路パターン倒れを防ぎつつ、特定箇所の異物を除去できる洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】洗浄処理に用いるための処理流体を基板５に噴出する処理流体ノズル７と、基板５から処理流体を回収する回収装置８とを具備している。基板５を処理流体ノズル７からの処理流体により局所的に洗浄処理することができるため、基板５に対して不必要なダメージ、回路パターン倒れを防ぎつつ、特定箇所の異物を除去できる。 （もっと読む）

【課題】高さが数ｎｍ、大きさが５μｍ〜２０μｍ程度の凸状欠陥の発生を抑制できるマスクブランク用ガラス基板の製造方法等を提供する。
【解決手段】マスクブランクス用ガラス基板表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて両面研磨する研磨工程を有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法において、前記研磨後の基板を、フッ酸、ケイフッ酸、またはフッ酸及びケイフッ酸を含む洗浄液で処理する洗浄工程を有すると共に、前記洗浄工程を行う前の基板を保管しておく純水槽内、または前記純水槽の純水循環経路に、紫外線を照射する手段を有する。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の欠陥の発生が極めて少ないフォトマスク関連基板を得られる洗浄方法及び洗浄装置提供することを目的とする。
【解決手段】フォトマスク関連基板の洗浄方法において、少なくとも、前記フォトマスク関連基板の表面の異物をあらかじめ除去する前処理工程と、該前処理工程の後に前記フォトマスク関連基板にＵＶ光を照射するＵＶ照射工程と、該ＵＶ照射工程の後に前記フォトマスク関連基板を湿式で洗浄する湿式洗浄工程とを行うことを特徴とするフォトマスク関連基板の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】露光用マスクの製造において、クロスコンタミネーションの影響を生じさせずに、洗浄後のマスク1枚毎の表面に残留するイオン濃度をモニターする方法およびモニターシステム、並びに１枚毎にイオン濃度値を保証した露光用マスクを提供する。
【解決手段】露光用マスクの洗浄後に、マスク表面に残留するイオン濃度のモニター方法であって、マスク洗浄装置内で、マスクを洗浄後に、マスク表面に純水または温純水を給水して盛り、表面張力で純水または温純水を一定時間保持後、マスク１枚毎にマスク表面から純水または温純水を回収し、回収した純水または温純水を順にイオン分析装置へ圧送し、マスク１枚毎に回収した純水または温純水のイオン濃度の分析を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上のパターンにダメージを与えることなくパターンが形成されていない部分を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに対し、侵入防止液を供給し、その後凝固対象液を基板表面Ｗｆに供給することにより、パターン間隙内部およびパターン近傍にＨＦＥを残留させる。その後、ＨＦＥは液体のままの状態を維持しながら、凝固対象液を凝固して、パターン間隙内部および近傍の領域を除いた基板表面Ｗｆを凍結洗浄する。パターン間隙内部およびパターン近傍については液体のＨＦＥが残留しているため、凝固対象液が凝固することにより生ずる力を受け流すことが可能となり、その力をパターンに直接伝えることがないため、パターンへのダメージを生ずることなくパターンが形成されていない基板表面Ｗｆ等の領域を洗浄することができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理装置および基板処理方法において、処理不良の基板が発生するのを未然に防止するとともに、無駄な凝固体の形成・解凍除去を抑制して稼動効率を高める。
【解決手段】基板の表面に形成される液膜の膜厚が所定範囲内となっている場合のみ、その基板に対して凍結処理（ステップＳ５）、凍結膜の解凍除去（ステップＳ６）および基板乾燥（ステップＳ７）を実行している。したがって、液膜の膜厚が所定範囲を超えて十分なパーティクル除去率が期待できない場合には、レシピの途中であるが、基板に対する凍結処理（ステップＳ５）、凍結膜の解凍除去（ステップＳ６）および基板乾燥（ステップＳ７）を行うことなく、基板処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を招くことなくパーティクルやミストの再付着を抑制するフォトマスクの洗浄装置を提供する。
【解決手段】処理槽１２の内側において、壁部２１の周方向に複数の第一案内翼２４を設ける。この第一案内翼２４は、その上端と下端とを周方向にずらしつつ、中央部を周方向に湾曲した曲面状に形成する。これにより、フォトマスク１９の洗浄時に供給され、フォトマスク１９の回転により壁部２１方向に移動したクリーンエアおよび処理液を、第一案内翼２４により下方に導く。また、第一案内翼２４の下方において、壁部２１の周方向に複数の第二案内翼２５を設ける。第二案内翼２５は、第一案内翼２４により導かれたクリーンエアを、処理槽１２の底部２２に接続さている排出管部１５に導く。これにより、パーティクルやミストなどを含むクリーンエアを処理槽１２から排出する。 （もっと読む）

【課題】従来の方法で作製されたフォトマスクは、193nmの波長の光を使って露光されるうちにマスク上に形成された素子が太くなることが報告されていた。このような現状から、素子寸法変動が抑制されたフォトマスクおよびその製造方法の確立が本発明の課題である。
【解決手段】透光性基板１００上に遮光性膜パターン１１１が形成されたフォトマスクであって、少なくとも遮光性膜パターン１１１が形成された側のフォトマスク表面における硫酸イオンや硫酸塩の残渣量を０．３０ｐｐｂ未満とすることによって素子寸法変動を抑制させられることが確認できた。これにより、素子寸法変動を懸念することなくフォトマスクを使用できる。 （もっと読む）

【課題】露光による回路パターン（素子）の寸法変動を抑制することにある。
【解決手段】透光性基板１０´上に遮光機能膜２１´，２２´及びレジスト膜２３が形成されたフォトマスク用ブランクに、少なくとも描画、エッチング及びレジスト剥離等の処理を行って所望の回路パターンが形成されるフォトマスクであって、
エッチング雰囲気中の不活性ガスもしくは硫黄を含まないエッチャントを使用して前記エッチング処理を行って前記回路パターンを形成し、かつ、前記レジスト剥離洗浄もしくは最終洗浄、或いはその両方の洗浄する際に硫酸溶液以外の洗浄液を用いて洗浄し前記回路パターンの寸法変動を抑制するフォトマスクである。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理方法および基板処理装置において、高いスループットを得られ、しかもパーティクル等を効果的に除去することのできる技術を提供する。
【解決手段】基板Ｗの裏面Ｗｂに、凝固点近傍まで冷却したＤＩＷ（冷水）を下面ノズル２７から供給する。このとき、ＤＩＷの凝固点よりも低温の窒素ガス（冷却ガス）と、ＤＩＷの蒸気または微小な液滴を含む高湿度の窒素ガス（高湿度ガス）との混合気体をＤＩＷに吹き付ける。高湿度ガス中のＤＩＷ蒸気または液滴が凍結してなる氷の粒がＤＩＷ中に混入され、これが核となってＤＩＷ注の氷の生成が促進される。氷の粒を含むＤＩＷが基板裏面Ｗｂに沿って流れることで基板に付着したパーティクル等の除去を効率よく行うことができる。 （もっと読む）

【課題】検査対象基板上の異物を確実に除去することができる基板検査装置の提供。
【解決手段】基板検査装置１は、マスク１１６、複数の粘着性粒子が離脱可能に設けられた剥離シート２０、および粘着部材２２が装着されるマスクホルダ１１７と、マスクホルダ１１７に対してマニピュレータ（例えばナノピンセット１０）と検出部４１とが設けられた検出ヘッド１１３を相対移動させる移動手段である鉛直方向駆動機構１２３および水平方向駆動機構１２４と、制御装置２００を備えている。制御装置２００は、剥離シート２０に設けられた複数の微小吸着粒子のいずれか一つをマニピュレータで保持して離脱させ、微小吸着粒子を保持したマニピュレータを異物の位置へ移動し、異物を粘着性粒子に付着させてマスク１１６から除去し、異物が付着した微小吸着粒子を粘着部材２２に付着させて移送する。 （もっと読む）

【課題】波長２００ｎｍ以下の露光光に対する耐光性を向上させ、転写マスクの寿命を改善できるフォトマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板上に、クロムを除く遷移金属およびケイ素を含有する材料からなるパタン形成用薄膜と、クロムを含有する材料からなるクロム系薄膜が順に積層したマスクブランクを用い、クロム系薄膜上にレジストパタンを形成する工程と、パタンを形成する工程と、パタンを有するクロム系薄膜をマスクとして、パタン形成用薄膜にパタンを形成する工程と、前記クロム系薄膜を除去して転写用マスクを作製し、作製した転写用マスクをアルカリ溶液洗浄、温水洗浄、オゾン含有水洗浄のうち１以上の洗浄工程を、前記パターン形成用薄膜のパターン幅が４ｎｍ減少するまで、あるいは前記パターン形成用薄膜のスペース幅が４ｎｍ増加するまで行う洗浄工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 基板へのダメージを抑制しつつ、基板の表面に対して超音波による洗浄処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置１は、基板Ｗを水平に保持して回転させるスピンチャック１０と、スピンチャック１０に保持された基板Ｗの上面に第１処理液（ＨＦＥ）、第２処理液（気体溶存水）をそれぞれ供給する第１処理液供給ノズル２０、第２処理液供給ノズル１７を備えている。スピンチャック１０に保持された基板Ｗの上面にＨＦＥおよび気体溶存水が供給され、基板Ｗの上面にＨＦＥの液膜が形成され、さらにその上層に気体溶存水の液膜が形成される。この状態で気体溶存水とＨＦＥの液膜に超音波振動が付与される。これにより、気体溶存水の液膜でのみ発生したキャビテーションによる衝撃エネルギーがＨＦＥの液膜で緩和されつつ、基板Ｗの洗浄処理が施される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置等の製造に用いる基板、例えばフォトマスク用基板、フォトマスクブランク、フォトマスク、あるいはそれらの製造中間体等を洗浄した場合に、異物の発生を極めて少なくすることができる基板の洗浄装置及び洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、超純水により基板を洗浄する際に超純水を噴出するための超純水噴出ノズルと、該超純水噴出ノズルから超純水を噴出して基板の洗浄を行う基板洗浄室とを有する、基板の洗浄を行うための洗浄装置であって、少なくとも、超純水による基板の洗浄の前後の待機中に前記超純水噴出ノズルを待機させるための、前記基板洗浄室とは隔壁により仕切られた超純水噴出ノズル待機室を有し、該待機室は、排水機構と前記超純水噴出ノズル待機室から前記基板洗浄室へのミスト拡散防止機構を具備するものであることを特徴とする基板の洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクに発生するウエハへの転写性を有する欠陥が歩留まりの低下を起こさないように適切なタイミングで洗浄に移行できるようにする。
【解決手段】フォトマスクを所定露光回数毎に検査し、ウエハへの転写性を有する欠陥を評価する。転写性を有する欠陥が検出されたらその大きさと個数を露光回数とともに記憶し、複数回のデータ（４回分）に基づいて露光回数Ｅｘの関数ｆ（Ｅｘ）として予測する。欠陥の大きさＳｎの関数ｆ（Ｅｘ）の値が予め設定したウエハの歩留まりが低下する欠陥の大きさＳｙに達する露光回数Ｅｙを算出し、以後はフォトマスクの検査を行わず、露光回数ＥｘがＥｙに達したらフォトマスクの洗浄を行う。これにより、適切なタイミングでフォトマスクの洗浄を行え、コスト低減を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】静電チャックによる支持により反射型マスクブランクスの導電膜表面に固着した異物を容易に除去することができるフォトマスクブランクスの洗浄方法の提供。
【解決手段】ガラス基板の一方の面にＣｒを主成分とする導電膜が形成された反射型マスクブランクスの洗浄方法であって、前記導電膜の膜厚をＬ（ｎｍ）とするとき、エッチング量が１０ｎｍ以上、Ｌ−２０ｎｍ以下となるように、硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液を用いて該導電膜をエッチング処理することを特徴とする反射型マスクブランクスの洗浄方法。 （もっと読む）