【課題】歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法および露光補正方法を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、露光工程、検出工程および補正工程を含む半導体装置の製造方法が提供される。露光工程は、基板上に形成される層毎に、ショット領域の合わせズレを測定するための合わせズレ測定用パターンが外周側に形成されたフォトマスクによって、複数のショット領域のそれぞれを順次露光する。検出工程は、各層毎に、フォトマスクによってショット領域に形成された合わせズレ測定用パターンの位置を検出する。補正工程は、検出工程によって検出された合わせズレ測定用パターンの位置に基づいて、各層毎に露光工程における露光条件の補正を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体作製におけるパターン位置精度に関して、異なるレイヤー間の重ね合わせ精度を向上させたマスクパターンデータ生成方法を提供する。
【解決手段】設計データの所定のレイヤーが、重ね合わせする際の基準となる基準層であるか否かを選定する工程と、基準層であると選定したレイヤーにおいて、マスク描画の座標基準として基準格子を選択し、基準層であるレイヤーの設計データをマスク描画データに変換する工程と、基準層であるレイヤーのマスクを作製する工程と、作製された基準層であるレイヤーのマスクパターンの位置座標を第２の基準格子として設定する工程と、を有し、基準層でないと選定したレイヤーのマスク描画の座標基準として前記第２の基準格子を選択し、基準層でないレイヤーの設計データをマスク描画データに変換する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】露光マスクを用いて形成されるパタンと、合せ先の工程において形成されたパタンとの合せずれを低減し、歩留りの低下を抑えることが可能な半導体装置の製造方法、露光マスクの出荷判定方法及び作製方法を提供する。
【解決手段】露光後合せずれ測定パタンと、本体集積回路内のパタンとを含む第１のパタンを有する第１のマスクを作製し、第１のパタンにおける、露光後合せずれ測定パタンの位置ずれと、本体集積回路内のパタンの位置ずれをそれぞれ測定した後、これらの位置ずれの差分である第１の差分を算出し、第１の差分を、第１のマスクを用いてウエハを露光処理する際の、合せパラメータに反映させる。 （もっと読む）

【課題】基準点に対する像内の構造の位置を決定する方法、更に、この方法を実施するための位置測定装置を提供する。
【解決手段】対称中心を有する構造の基準点に対する像内の位置を決定する方法を提供し、本方法は、構造を含み、かつ基準点を有する像を準備する段階と、基準点に対する像の少なくとも１つの対称操作を実施し、それによって構造に対して合同である鏡像反転構造を有する少なくとも１つの鏡像が得られる段階と、構造と１つの鏡像反転構造又は２つの鏡像反転構造との間の少なくとも１つの変位ベクトルを決定する段階と、構造の位置を少なくとも１つの変位ベクトルから基準点に対する構造の対称中心の位置として計算する段階とを含む。更に、基準点に対する像内の構造の位置を決定するための位置測定装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング用フォトマスクの欠陥判定及び欠陥影響度を検証するフォトマスクの検査方法及びフォトマスクの検査装置を提供する。
【解決手段】複数のフォトマスクを使って描画パターンを形成するためのフォトマスク群の検査方法であって、複数のフォトマスクについてフォトマスク画像を取得するフォトマスク画像取得工程と、フォトマスク画像を重ね合わせ、重ね合わせ画像を取得する画像重ね合わせ工程と、重ね合わせ画像から描画パターンへの影響を検査する検査工程と、を備えることを特徴とするフォトマスク群の検査方法。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の各レイヤの３次元構造を考慮しつつ、半導体集積回路を作製するために用いられるパターンデータを検証する。
【解決手段】スペック設定部１５ａは、半導体集積回路の各レイヤの３次元構造に基づいて、各レイヤに配置されるレイアウトパターンのレイアウトに関するスペックを設定し、検証処理部１５ｂは、半導体集積回路の各レイヤのレイアウトパターンがスペックを満たしているかどうかを検証する。 （もっと読む）

【課題】複数の近似形状の画像パターン同士から欠陥パターンを抽出するパターン検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパターン検査方法は、画像中に含まれる複数の画像パターン同士を各々すべて比較し、相関値マトリックスを生成して合計相関値を比較する。これにより、複数の近似形状の画像パターン同士から欠陥パターンを自動的に抽出することが可能となり、欠陥パターンの測定を効率良く、高精度に実施することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】従来不可能であったフォトマスクのランダムなマスクパターンの位置誤差を、簡便かつ有効な方法で補正するフォトマスクのパタン位置の補正方法およびパタン位置が補正されたフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板の主面上にパタンを形成したフォトマスクのパタン位置補正方法であって、フォトマスクのパタン位置を測定してパタン設計位置からのずれ量を求め、前記ずれ量が予め定めた許容値を超えているパタン位置を位置補正の対象とし、前記補正対象のパタン位置の近傍にフェムト秒レーザを照射して前記透明基板の内部に空孔を形成し、該空孔形成による応力で前記ずれ量を補正することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大きな黒欠陥であっても効率的に、しかも精度良く修正することができる欠陥修正工程を有するフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板上に遮光膜が形成されたフォトマスクブランクを用意する工程と、遮光膜上に形成したレジスト膜をパターニングしてレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングし遮光膜パターンを形成する工程と、形成された遮光膜パターンの欠陥検査を行い、余剰物による黒欠陥が存在したときに該欠陥部分を修正する工程とを有する。欠陥部分を修正する工程は、フォトマスク上に再度レジスト膜を形成し、欠陥部分を含む所定領域に所定のパターン描画を行い、現像して修正用レジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとしてエッチングを施して欠陥部分の余剰物を除去する。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィマスク内の配置誤差を評価するための方法、システム及びコンピュータプログラム製品を提供すること。
【解決手段】 リソグラフィマスク内の配置誤差を評価するための方法は、基準要素の基準対のポイント間の距離を表す基準結果を与え又は受け取り、上記リソグラフィマスクの複数の間隔を置いた要素に関連した複数対のポイントからの各対のポイントについて、上記対のポイント間の距離を測定して複数の測定結果を与え、測定結果と上記基準結果との間の差が相対配置誤差を示すものであり、更に、上記基準結果と上記測定結果の各々との間の関係に応答して相対配置誤差を決定することを含む。 （もっと読む）

【課題】多重露光後の最終パターン上での寸法精度を改善することが可能なフォトマスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】このフォトマスクの製造方法は、パターンを形成するのに用いられる第１及び第２のフォトマスクのうち前記第１のフォトマスクを、対応する設計データに基づいて第１のマスクパターンを描画して製造し、前記第１のフォトマスクの前記第１のマスクパターンの位置誤差を測定し、前記第１のマスクパターンの位置誤差から系統的位置誤差を算出する算出し、前記第２のフォトマスクに対応する設計データに基づいて、前記系統的位置誤差が反映された座標系を基準に第２のマスクパターンを描画して前記第２のフォトマスクを製造する。 （もっと読む）

【課題】同一レイヤーへのダブルパターニング技術において、ウエハ等の試料への露光時に欠陥となりうるパターンについてパターン間の位置関係の評価を可能にするレチクル検査技術を提供する。
【解決手段】ダブルパターニング技術で用いられる二枚のレチクルを検査するレチクル検査装置において、測定対象のパターンの座標情報を入力する座標情報入力機能１０２と、得られた座標情報をもとに前記二枚のレチクルパターンの画像データを取得する画像入力機能１０３、１０５と、前記二枚のレチクルの前記画像データを同一座標について重ね合わせる画像重畳機能１０６と、前記二枚のレチクルのパターン間の位置関係を求める位置関係算出機能１０７と、前記位置関係に基づく前記重ね合わせ精度の指標を割り当て、前記二枚のレチクルの修正の要否を評価する評価機能１０８と、評価した結果を出力する評価結果出力機能１０９とを具備する。 （もっと読む）

【課題】半透光部に半透光膜を用いたグレートーンマスクの製造段階で生じ得るアライメントずれを定量的に検査できるグレートーンマスクの検査方法を提供する。
【解決手段】少なくとも２回の描画工程を含むパターニング工程を用いて透明基板上に形成した膜にパターンを形成することにより製造される遮光部と透光部と半透光部を有するグレートーンマスクの検査方法であって、１度目の描画工程によって得られる第一レジストパターンは第一マークを含み、２度目の描画工程によって得られる第二レジストパターンは第二マークを含み、第一レジストパターンにおける第一マーク又は該第一マークに相当する膜パターンのエッジと、第二レジストパターンにおける第二マーク又は該第二マークに相当する膜パターンのエッジとの距離を測定し、当該距離が所定範囲内であるか否かを検査する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク基板の法線が、測定用ステージの回転軸に対しずれているような場合でも、精度よく表面および裏面のマーク等の位置ずれを測定することができる方法・装置を提供する。
【解決手段】回転可能な測定用ステージ１０上にフォトマスク基板１を載置した第１状態で、該測定用ステージ１０の１８０°回転前後の２回の測定によりフォトマスク基板１の表面及び裏面のパターンの第１の位置ずれ量を求める第１位置ずれ量測定ステップと、該第１状態からフォトマスク基板１自身を９０°もしくは１８０°回転させた第２状態で、該測定用ステージ１０の１８０°回転前後の２回の測定によりフォトマスク基板１の表面及び裏面のパターンの第２の位置ずれ量を求める第２位置ずれ量測定ステップと、該第１の位置ずれ量と該第２の位置ずれ量とから真の位置ずれ量を算出するステップと、からなることを特徴とする基板表裏面パターン位置測定方法である。 （もっと読む）

【課題】よりパラメータ数を抑えた演算により高精度な位置合わせを行う検査装置を提供する。
【解決手段】一態様の試料検査装置は、パターンが形成された被検査試料の光学画像を取得する光学画像取得部１５０と、光学画像と比較する参照画像を作成する参照回路１１２と、光学画像と参照画像との画素単位で疎アライメントされた位置からの平行移動量と伸縮誤差係数と回転誤差係数と階調値の定数と像強度変動率とを各パラメータとしたモデル式を用いて、最小二乗法により前記各パラメータを演算する最小二乗法パラメータ演算部３７０と、各パラメータに基づいて、画素単位で疎アライメントされた位置からの位置ずれ量分参照画像の位置をずらした補正画像を生成する補正画像生成回路３９０と、補正画像と光学画像とを比較する比較回路１０８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な測定系によってフォトマスク基板などの比較的厚い基板の、基板表裏面パターンの位置ずれを観測することができる位置合わせパターンを有する光学基板を提供する。
【解決手段】本発明は、フォトマスク基板１のフォトマスク基板表面２とフォトマスク基板裏面３に設けられ、フォトマスク基板１の同一法線上に略形成される位置あわせパターンであって、裏面に形成される透過パターン４と、表面に形成される遮光パターン５とからなり、透過パターン４の面積が遮光パターン５の面積より大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】投影レンズの収差に起因した転写位置のずれや、パターン非対称による計測誤差に起因したアライメント誤差、及び重ね合わせ検査精度の低下を改善できるフォトマスクを提供すること。
【解決手段】アライメントマーク及び重ね合わせ検査マークは各々、本体マーク部５と、この本体マーク部５の相対する２つの側端部それぞれに沿って形成された第１、第２の補助パターン部６とを含む。本体マーク部５は感光性膜に解像する線幅を有する、遮光膜を開孔したスペースパターン、又は遮光膜を残したラインパターンのいずれか一方で構成する。第１、第２の補助パターン部６は各々補助パターンを含み、補助パターンは感光性膜に解像しない線幅を有する、遮光膜を開孔したスペースパターンの繰り返しパターン、又は遮光膜を残したラインパターンの繰り返しパターンのいずれか一方で構成する。繰り返しパターンのピッチＰ_Ａは、デバイスパターンの最小ピッチＰ_Ｄと等しくする。 （もっと読む）

【課題】 露光用マスクのパターンのローカルばらつきを、顕微鏡を用いることなく回折光の測定だけで簡易に検査する。
【解決手段】 露光用マスク２０に形成され、投影露光装置によりウエハ上に転写されるマスクパターンに対し、該パターンのローカルばらつきを検査するマスクパターンのローカルばらつき検査方法であって、マスク２０に形成された規則パターン２１に点光源１０からの光を照射し、点光源１０に対する回折光をモニタする工程と、シミュレーションによって規則パターン２１の寸法及び位置に対するローカルばらつきのスペック限界を算出する工程と、スペック限界に対応するローカルばらつきを持つマスク２０での点光源１０に対する回折光を計算する工程と、モニタされた回折光と計算された回折光とを比較する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターン画像と前記検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査装置であって、前記データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、前記検査対象パターン画像を生成する生成手段と、前記検査対象パターン画像のエッジを検出する手段と、前記検査対象パターン画像のエッジと前記線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、前記検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、前記検査対象パターン画像を検査する検査手段は、検査対象パターンごとの変形量を使用して検査する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク自体の精度、及び、半導体露光装置の重ね合わせ精度のそれぞれを独立的に観測でき、ハードマスクプロセス環境を用いることなくマスク製造誤差の検証を行うことが可能となる多重露光技術におけるマスク製造誤差検証方法を提供する。
【解決手段】本発明は、複数のフォトマスクを用いて多重パターンニングを行う多重露光技術におけるマスク製造誤差検証方法であって、非描画領域にグローバル用の位置精度検出マークが設けられた複数のフォトマスク（１、２）と、描画領域にローカル用の位置精度検出マークが設けられた複数のフォトマスク（１、２）と、を用いて露光を行った露光像の、グローバル用の位置精度検出マークによる露光像の重なり具合とローカル用の位置精度検出マークによる露光像の重なり具合とを観測して、フォトマスクの精度及び半導体露光装置の重ね合わせ精度の検証を行う。 （もっと読む）