【解決手段】透明基板と、遷移金属、ケイ素、窒素及び酸素を含有する材料からなるハーフトーン位相シフト膜パターンとを有し、ハーフトーン位相シフト膜パターンの組成が、遷移金属とケイ素との原子比（Ｍｅｔ／Ｓｉ）が０．１８以上０．２５以下、窒素含有率が２５原子％以上５０原子％以下、かつ酸素含有率が５原子％以上２０原子％以下であり、累積１０ｋＪ／ｃｍ²以上のＡｒＦエキシマレーザー光が照射されたハーフトーン位相シフトマスクを用い、ＡｒＦエキシマレーザー光を光源として、光パターンを照射する。
【効果】従来と比べて、光パターンの大幅なパターン寸法変動劣化なしに、光リソグラフィーにおける光パターン照射を長時間実施することができる。 （もっと読む）

【課題】ナノインプリント用テンプレートの欠陥部を荷電ビームにより修正する欠陥修正方法であって、荷電ビームによる電荷の滞留を低減し、電荷滞留による修正箇所の位置ずれがなく所望の欠陥修正をすることが可能な欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】テンプレートの欠陥部を含む一主面上に導電性高分子を塗布して導電膜を形成する工程と、前記導電膜を形成したテンプレートを走査型電子顕微鏡を有する装置内に設置し、欠陥検査装置の検査データをもとにして前記欠陥部を検出し、欠陥部の修正すべき領域を決定する工程と、修正すべき領域に荷電ビームを照射し、修正すべき領域の導電膜部分を除去し、欠陥部を露出させる工程と、露出させた欠陥部にアシストガスを吹き付けながら荷電ビームを照射し、欠陥部をエッチングして修正する工程と、導電膜を除去する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 位相欠陥修正時における欠陥位置を正確に検出することができ、位相欠陥の修正精度の向上をはかる。
【解決手段】 マスク上の欠陥を検出する機構及び欠陥を修正する機構を備えたマスク欠陥修正装置を用い、マスク上の欠陥を修正する反射型マスクの欠陥修正方法であって、マスクの欠陥を、ウェハ転写光学像を模擬することにより欠陥合否判定を行うＡＩＭＳにて検出した後、マスクの検出された欠陥２０の近傍位置にマスク欠陥修正装置で検出可能なマーカ３０を形成する。次いで、マスク欠陥修正装置でマーカ３０を検出すると共に、該マーカ３０の位置を基準にして欠陥２０を修正する。そして、欠陥２０が修正されたマスクからマーカ３０を除去する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン酸化物加工方法に関し、有害物質を用いることなく且つ加工屑を発生させることなく、シリコン酸化物の微細加工を可能にする。
【解決手段】 シリコン酸化物からなる被加工物上に水素と６個以上の炭素を含む有機化合物を供給しながら、エネルギビームを照射して、照射部位における前記シリコン酸化物をシリコン含有炭素化合物に変換し、前記変換したシリコン含有炭素化合物をハロゲンを含まない雰囲気中で化学反応により除去する。 （もっと読む）

【課題】 パターン欠陥修正方法及びパターン欠陥修正装置に関し、炭素系汚染の洗浄プロセスにおける欠陥修正材料の消失を防止する。
【解決手段】 減圧雰囲気中で被修正マスクの修正部位に原料ガスを供給するとともにエネルギビームを照射してエネルギビーム誘起化学蒸着によりシリコンを含有する材料を堆積させる工程と、前記堆積した材料の少なくとも一部に対して酸化処理、窒化処理、或いは、酸窒化処理のいずれかを行う工程とを設ける。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ露光の照射光の反射率を局所的に向上させることができるＥＵＶ露光用マスクの修正方法を提供する。
【解決手段】基板上にモリブデンおよびケイ素からなるＭｏ／Ｓｉ多層膜２０が積層され、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜上に形成された保護膜３０および保護膜上に形成された吸収膜を有するＥＵＶ露光用マスクの修正方法は、保護膜の露出領域におけるＭｏ／Ｓｉ多層膜の欠陥位置を特定し、平面視において欠陥位置を覆う範囲にＥＵＶ露光光の波長以下の径に絞られた光線を照射して、ＥＵＶ露光用マスクの上面に、最大幅が波長以下の孔２を複数形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子照射による欠陥修正技術を好適に適用できるとともに、電磁界（EMF: ElectroMagnetics Field）効果に起因するバイアスを小さくすることのできるマスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｒＦエキシマレーザー露光光が適用される転写用マスクを作成するために用いられ、透光性基板上に、転写パターンを形成するための遮光膜を有するマスクブランク１０であって、遮光膜２は、透光性基板側から下層と上層の少なくとも二層構造からなり、前記下層は、遷移金属、ケイ素および窒素を主成分とし、かつ窒素含有量が２１原子％以上であり、かつ屈折率ｎが１．９以下である材料からなり、前記上層は、遷移金属、ケイ素および窒素を主成分とし、屈折率ｎが２．１以下である材料からなり、前記上層の表層は、酸素を含有しており、窒素含有量が１４原子％以上であることを特徴とするマスクブランク１０。 （もっと読む）

【課題】本発明は、堆積膜形成により白欠陥が修正された反射型マスクであって、転写特性の良好な反射型マスク、およびその製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収体とを有する反射型マスクであって、上記吸収体が、吸収層と、上記吸収層の欠落に起因する白欠陥部に形成され、上記吸収層よりも厚い堆積膜とを有し、上記堆積膜が非金属系材料を含有し、上記堆積膜の厚みが１２５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であり、上記堆積膜の側面での上記堆積膜の頂部から３分の１の厚みの位置および３分の２の厚みの位置を結ぶ直線と、上記基板面に対して垂直な線とのなす角度が６度〜４０度の範囲内であることを特徴とする反射型マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】ＥＢ欠陥修正を好適に適用でき、なお且つ遮光膜の薄膜化を可能とするマスクブランクを提供する。
【解決手段】ＡｒＦ露光光が適用される転写用マスクを作成するために用いられ、透光性基板１上に遮光膜２を有するマスクブランク１０であって、遮光膜２は、遷移金属、ケイ素、及び窒素を含む材料を主成分とする下層と、遷移金属、ケイ素、及び窒素を含む材料を主成分とする上層の少なくとも二層構造からなる。対象部分にフッ素を含有する物質を供給し、かつ荷電粒子を照射して行うエッチングにおける上層のエッチングレートに対する下層のエッチングレートの比が１．０以上５．０以下である。 （もっと読む）

【課題】ＥＢ欠陥修正を好適に適用でき、なお且つ遮光膜の薄膜化を可能とするマスクブランクを提供する。
【解決手段】ＡｒＦ露光光が適用される転写用マスクを作成するために用いられ、透光性基板１上に遮光膜２を有するマスクブランク１０であって、遮光膜２は、遷移金属及びケイ素に更に酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１つ以上の元素を含む材料を主成分とする。この遮光膜は、フッ素を含有する物質に対する荷電粒子の照射を受けない状態におけるエッチングレートが０．３ｎｍ／ｓｅｃ以下である。 （もっと読む）

【課題】難除去薄膜の問題を回避しつつ、露光後の酸化洗浄にも耐性を有する材料を用いてＥＵＶマスクの白欠陥を修正する方法を提供する。
【解決手段】反射層（１２）とその上に形成された吸収パターン（１１）と含んだＥＵＶマスクの白欠陥（１３）を修正する方法である。前記白欠陥に隣接する反射層に、酸素ラジカルにより除去可能な修正補助膜（１４）を形成する工程と、前記白欠陥にＳｉ含有材料または金属含有材料を埋め込んで、白欠陥修正膜（１５）を形成する工程と、前記修正補助膜を酸素ラジカルにより除去して、前記反射層を露出する工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より効率的な処理により、欠陥箇所にパターンが描画されにくくすることが可能な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、描画対象となる試料の描画領域を所定のサイズでメッシュ状に仮想分割した複数の小領域の小領域毎に、配置されるパターンの面積密度を算出する面積密度算出部６４と、試料の欠陥箇所が定義された欠陥情報を入力し、試料の配置位置を回転させて、欠陥箇所と重なる小領域の面積密度が最小となる試料の配置方向を探索する探索部６５と、探索された欠陥箇所と重なる小領域の面積密度が最小となる試料の配置方向になるように試料を配置した状態で、荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】反射層に損傷を与えず、修正痕を残さずに吸収体パターンを精度良く補正し、位相欠陥の影響をなくして良好な転写パターンが得られる反射型マスクの位相欠陥補正方法および製造方法を提供する。
【解決手段】反射型マスクブランクの吸収体層上にハードマスク層を設け、ブランク欠陥用のアライメントマークを作成し、ブランクの表面欠陥検査を行い、表面欠陥の位置をマスクブランク欠陥情報として記録する工程と、ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程と、前記欠陥情報に基づき、ＡＦＭを用いて表面欠陥の位置と大きさを計測する工程と、補正すべきハードマスクパターンを選定し、補正位置と補正量を決定する工程と、欠陥修正装置によりハードマスクパターンを補正する工程と、補正したハードマスクパターンをマスクにして吸収体パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】欠陥を吸収体パターンの領域内に包含させた描画データで欠陥が存在する基板を描画可能な装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、ＥＵＶ光の吸収体膜が形成されていると共に、光学的に読取可能なＩＤが形成された基板からＩＤを読み取る読取装置１２１と、ＩＤに対応付けされた、欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報と、描画用のパターンデータとを記憶する記憶装置１０９と、パターンデータのうちの少なくとも欠陥が含まれる領域分の部分パターンデータと、欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報とを入力し、パターニング後に吸収体膜が残る領域に欠陥が位置するようにパターンレイアウトが構成されているかどうかを検証する検証部６６と、パターニング後に吸収体膜が残る領域に欠陥が位置するようにパターンレイアウトが構成されているパターンデータに基づいて、電子ビームを用いて基板にパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、コンタミネーションクリーニングを行っても転写特性を維持することが可能であり、白欠陥を良好に修正することが可能な反射型マスクおよびその製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層とを有する反射型マスクであって、上記多層膜上に上記吸収層が形成されている吸収領域と、上記多層膜上に上記吸収層が形成されていない反射領域と、上記吸収層の欠落に起因する白欠陥部に位置する上記多層膜が除去された白欠陥修正領域とを有し、上記吸収領域および上記白欠陥修正領域が隣接するパターンを有することを特徴とする反射型マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】白欠陥の補正が、やり直し可能なマスク修正方法を提供する。
【解決手段】実質的に光を遮光する第１領域と、実質的に光を透過する第２領域とを有するマスクの白欠陥を修正するマスク修正方法において、第２領域上であって白欠陥部の近傍に形成され、白欠陥部の近傍の透過率が、白欠陥部が存在しないときに得られる第１透過率になるように透過率を調整する補助パターンを求める工程と、補助パターンを形成し、白欠陥部の近傍の第２透過率を求める工程と、第１透過率と第２透過率とを比較し、比較結果が基準値を満たすか否かを判定する工程と、比較結果が基準値を満たさない場合、比較結果が基準値を満たすように、比較結果に応じて補助パターンを修正または変更する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦエキシマレーザを露光光源とし、変形照明による投影露光に用いられる補助パターンを有するフォトマスクにおいて、補助パターンが転写対象面に解像されてしまう場合のフォトマスクを、確実で比較的容易な方法により補助パターンを修正するフォトマスクの修正方法および修正されたフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板１１の一主面上に、投影露光により転写対象面に転写される主パターン１２と、主パターン１２の近傍に形成された補助パターン１３とを有するフォトマスク１０において、前記投影露光により補助パターン１３が転写対象面に解像されてしまう場合のフォトマスクの修正方法であって、解像されてしまう補助パターン１３の表面をエッチングもしくは研削し、補助パターン１３が転写対象面に解像されなくなるまで、解像されてしまう補助パターン１３の膜厚を薄くすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザー光やイオンビームを用いたフォトマスクの黒欠陥部の修正方法において生じる、ガラス基板ダメージ、ガリウムステイン、リバーベッド、透過率低下等の問題のない修正方法を提供する。
【解決手段】黒欠陥部３の下がガラス基板１であり、フォトマスク上にポジ型レジストを塗布してレジスト膜４を形成する工程と、該レジスト膜４を形成したフォトマスク基板を走査型電子顕微鏡を有する装置内に設置し、前記黒欠陥部の二次電子像を取り込み修正すべき領域を決定する工程と、前記修正すべき領域にアシストガス７を吹きつけながら電子線８を照射し、修正すべき領域のレジスト部分を除去し黒欠陥部３を露出する工程と、該露出した黒欠陥部３をエッチング除去する工程と、前記レジスト膜４を除去する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンが形成されたリソグラフィ原版についても、異物を除去することができるリソグラフィ原版の異物除去方法及びこの異物除去方法を用いたリソグラフィ原版の製造方法を提供する。
【解決手段】フォトマスクに付着した異物の除去方法であって、電子ビームが照射されることにより異物Ｐ又はフォトマスクの凹部１３の底面がエッチングされるようなエッチングガス雰囲気中において、異物Ｐに電子ビームを照射する。又は、電子ビームが照射されることにより固体材料が生成されるデポジションガス雰囲気中において、異物Ｐに電子ビームを照射して異物Ｐ上に固体材料を堆積させ、この固体材料に対してＡＦＭの探針により力を印加する。 （もっと読む）

【課題】 ＥＵＶマスクの欠陥修正工程において吸収層膜材の過度のエッチングを抑制し、高精度な修正が可能となるＥＵＶマスクの欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】 欠陥を、所望のパターンエッジから所定の距離までの領域を第二の領域、前記第二の領域外の領域を第一の領域に分ける工程と、前記第一の領域に対しエッチングガス雰囲気中で荷電粒子ビームを照射し、前記第一の領域の前記反射防止層及び前記吸収層を除去する工程と、前記第一の領域を除去することにより露出した前記第二の領域の吸収層側面を酸化する工程と、前記第二の領域に対しエッチングガス雰囲気中で荷電粒子ビームを照射し、前記第二の領域の前記反射防止層及び前記吸収層を除去する工程と、前記第二の領域を除去することにより露出した前記吸収層側面を酸化する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）