【課題】ダブルパターニングプロセスにおいて側壁部形成のための薄膜が堆積される対象構造を有機材料により形成した場合であっても、均一な側壁部を形成する。
【解決手段】基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜をアルカリ性の薬剤に曝す工程と、前記薬剤に曝された前記フォトレジスト膜を露光する工程と、露光された前記フォトレジスト膜を現像する工程とを含むフォトレジストパターン形成方法により上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト等のデバイスにレジストパターンを形成する際、レジスト層の厚さを均一化して露光を行なうことで、良好なレジストパターンを得る。
【解決手段】基板９１に感光性のレジストを塗布してレジスト層９３を形成する（レジスト塗布工程）。次に、アッシング用処理ガスを、大気圧近傍の放電空間１３に通して吹出し、レジスト層９３に接触させる（大気圧リモートプラズマアッシング工程）。次に、レジスト層９３に部分的に光を照射する（露光工程）。次に、レジスト層９３に現像液５を接触させる（現像工程）。 （もっと読む）

【課題】露光不良の発生を抑制できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、感光膜を含む基板の表面をプロセスガスより生成されたプラズマと接触させて、基板の表面の液体に対する撥液性を高めることと、プラズマと接触した基板の表面の少なくとも一部に液体を介して露光光を照射して、基板を露光することと、を含む。 （もっと読む）

【課題】露光工程においてレジスト膜から発生するアウトガスの量を低減して、レジスト膜の適正なパターニングを実現可能なレジスト処理装置を提供する。
【解決手段】開示するレジスト処理装置１０は、基板Ｗに形成されたレジスト膜に対して処理を行うレジスト処理装置１０であって、内部を真空に維持することができる処理容器１２と、処理容器１２内に設けられ、レジスト膜が形成された基板Ｗが載置される載置台１４と、化学的に不活性な第１のガスおよび第２のガスを含む混合ガスを所定の流量にて載置台１２に向けて噴出するガス供給部１６と、ガス供給部１６から所定の流量で噴出される混合ガスが処理容器内で分子線になり得る真空度に処理容器１２を排気することが可能な排気部１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は高い耐刷性、耐印刷汚れ性を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版を提供する事である。
【解決手段】支持体上に少なくとも下塗り層及び親水性ポリマーを含有する物理現像核層及びハロゲン化銀乳剤層を順次塗布されてなる銀錯塩拡散転写法を応用したモノシートタイプの平版印刷版の製造方法、または、支持体上に少なくとも下塗り層及び親水性ポリマーを含有する物理現像核層を順次塗布されてなる受像シートに、別の支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層を塗布されてなる銀供給シートから銀を供給する銀錯塩拡散転写法を応用したツーシートタイプの平版印刷版の製造方法において、該物理現像核層を塗布する前に、該下塗り層表面に非平衡プラズマ処理でエッチング処理する事を特徴とする平版印刷版の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 浸漬現像後のフォトレジストを乾燥した場合にフォトレジストマスクの崩壊を減少させる方法の提供。
【解決手段】 特徴部サイズが縮小するのにつれて、フォトレジストマスクをすすぐために用いられる水の毛管力が、ＡＲＣに対するフォトレジストの接着力より大きい点に近づく。毛管力が接着力を超える場合、水が乾くのにつれて水が隣接の特徴部を共に引っ張るためにマスクの特徴部が崩壊してしまう。フォトレジストを堆積させる前にＡＲＣの上に密封酸化物層を堆積させることによって、接着力が毛管力を超えることができ、フォトレジストマスクの特徴部は崩壊することができない。 （もっと読む）

【課題】密着露光方法において、露光後のフォトマスクへのレジスト付着を防止しつつ、露光時間の延長や解像力低下を改善し、且つレジスト層表面のうねりや異物の付着、気泡の混入が生じた場合においても良好な露光を行うことができるレジスト基板及び密着露光方法を提供する。
【解決手段】本発明によって、基板１上にレジスト層２が形成されたレジスト基板４であって、前記レジスト層２の上面に密着するフォトマスク層３を具備することを特徴とするレジスト基板４が提供される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の表面の密着性を向上させるための表面疎水化処理の際に基板の裏面側に不可避に形成された処理膜をパターン露光前に除去することができ、露光装置や塗布・現像装置などの汚染防止に寄与する。
【解決手段】被処理基板上のレジスト膜に所望パターンを形成するパターン形成方法であって、被処理基板の表面に、該基板との密着性を向上させるための表面疎水化処理により処理膜を形成する工程（Ｓ１）と、処理膜上に少なくともレジスト膜を含む塗布膜を形成する工程（Ｓ４）と、レジスト膜を所望パターンに露光する工程（Ｓ５）と、パターンが露光されたレジスト膜を現像する工程（Ｓ７）と、処理膜の形成からレジスト膜の露光に至る間で、表面疎水化処理により被処理基板の裏面に形成された処理膜を除去する工程（Ｓ２）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】被処理基板上に塗布されたばかりのレジストの表面に減圧乾燥の手法を用いずに適度な変質層を形成して、レジストの膜厚ムラを低コストで効率的に防止する。
【解決手段】このレジスト表面処理ユニット（ＶＤ）４６において、レジストを塗布されたばかりの基板Ｇはコロ搬送路１０４の上を平流しで搬送され、途中で乾燥用ガス吹き付け部１０６より乾燥ガスＡを吹き付けられ、次いで第１および第２薬液成分含有ガス吹き付け部１０８，１１０より薬液成分含有空気Ｂ₁，Ｂ₂を吹き付けられる。薬液成分には、レジストと反応して変質層を作る物質が用いられ、好適には現像液またはＨＭＤＳの蒸気が用いられる。ガスには空気が好適に用いられる。 （もっと読む）

【課題】基板上の液膜を介して露光する液浸露光において、レジストパターンに欠陥が発生することを抑制する。
【解決手段】 レジスト膜上にレジスト膜より親水性の保護膜を形成する（ＳＴ１０５）。更にこの表面をヘキサメチルジシラザンの雰囲気で80度で加熱しつつ疎水化する（ＳＴ１０６）。レジスト膜が形成された基板を、パターンが形成されたレチクルおよび投影光学系を具備する露光装置に搬送する（ＳＴ１０７）。前記レジスト膜中の潜像を形成するために、液浸露光を行う（ＳＴ１０８）。露光後に基板を露光装置から搬出し、保護膜表面を10ppm程度のオゾン水に30秒ほど表面を晒して保護膜表面をエッチングして膜厚を減らしつつ親水化する（ＳＴ１１０）。前記潜像が形成されたレジスト膜を加熱する（ＳＴ１１２）。保護膜を剥離した後に前記レジスト膜を現像する（ＳＴ１１４）。 （もっと読む）

【課題】 ｄｅｅｐＵＶ光のような短波長の光を露光源とし、比較的厚さが厚く、かつ高解像度のレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 被エッチング基板に水酸基を持つポリマーおよび光酸発生剤を含むポジ型の化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をシリコン元素を含む化合物と気相中または液相中で反応させて前記レジスト膜表面において前記ポリマーをシリル化する工程と、シリル化された前記レジスト膜にディープ紫外光、電離放射線または近接場光を選択的に照射して露光する工程と、前記露光後の前記レジスト膜を水蒸気雰囲気中で加熱して前記レジスト膜表面の露光部においてシリル化されたポリマーを脱シリル化する工程と、現像して前記露光部を所望深さ選択的に除去する工程と、未露光部をマスクとして前記露光部に位置するレジスト膜部分をさらに酸素含有ガスを用いたドライエッチングにより除去する工程とを含む。 （もっと読む）