【課題】石英系光導波路デバイスとフォトダイオードとが、同一基板上にモノリシックに集積できるようにする。
【解決手段】光モジュールは、シリコン基板１００と、シリコン基板１００の上に形成されたＳｉＯ₂からなる下部クラッド層１０１と、下部クラッド層１０１の上の第１領域１１０に形成されたゲルマニウムフォトダイオード１１０ａと、下部クラッド層１０１の上の第１領域１１０に連続する第２領域１２０に形成されたシリコンコア１２１と、第２領域１２０の一部から第２領域１２０に連続する第３領域１３０にかけて形成された石英コア１３１とを備える。また、ゲルマニウムフォトダイオード１１０ａ，シリコンコア１２１，および石英コア１３１の上に形成されたＳｉＯ₂からなる上部クラッド層１０３を備える。 （もっと読む）

【課題】他の回路が集積されたバルク半導体基板に一体に集積可能な、光導波路及び光カップラを含む光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の光導波路及びカップラ素子及びその製造方法は、バルク半導体基板、例えば、バルクシリコン基板からなる基板にトレンチを形成し、下部クラッド層をトレンチ内に形成し、コア領域を下部クラッド層上に形成して得られる。反射要素、例えば、分布ブラッグ反射器が、光カップラ及び／または光導波路の下部に形成されうる。このような光素子は、シリコンフォトニクス技術によって、チップまたは基板上に他の半導体回路、例えばＤＲＡＭメモリ回路チップ内に一体に集積されうる。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子間の光学的な接続損失を低減可能な、半導体光集積素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上の半導体積層２上に第１のマスク７を形成し、半導体積層２及び第２のエリア１ｂ上に第２のマスク８を形成して第２の部分７ｂを覆い、第１のマスク７及び第２のマスク８を用いて半導体積層２をエッチングしそれぞれ第１の導波路９及び半導体メサ１０を形成し、第１のマスク７及び第２のマスク８を用いて埋込半導体層１１を成長して第１の導波路９及び半導体メサ１０を埋め込み、埋込半導体層１１と第１の導波路９と半導体メサ１０との上に誘電体層１２を成長し、誘電体層１２及び第１のエリア１ａ上に第３のマスク１３を形成し、第３のマスク１３を用いたエッチングにより第２の部分７ｂを露出させ、第２の部分７ｂを用いて埋込半導体層１１及び半導体メサ１０をエッチングし第２の導波路１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 埋込導波路の両側に、埋込層を選択成長させる際に、マスクで覆っているハイメサ導波路領域に向かって被り成長が生じる。
【解決手段】
基板上にメサを形成する。メサを長手方向に関して区分する第１の境界位置を基準として、一方の第１の向きに向かって延びるメサの上面と側面を覆うとともに、第１の境界位置からメサの側方に延びる境界線を一部の縁とし、境界線上の縁よりも第１の向きに広がる領域の基板の上面の少なくとも一部を覆う選択成長用マスクパターンを形成する。選択成長用マスクパターンをマスクとして用い、第１の境界位置を基準として第１の向きとは反対の第２の向きに向かって延びるメサの側面から側方に向かって成長し、成長の前面が斜面になる条件で埋込層を選択成長させる。埋込層の成長の先端が、境界線に沿う選択成長用マスクパターンの縁の先端まで達しない時点で埋込層の成長を停止させる。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体とマスクとの間の選択比を向上させ得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、インジウムを必須の構成元素とする化合物半導体からなる被加工物１０の上にエッチングマスクを形成する工程と、被加工物１０の上にヨウ化水素ガスおよび四塩化ケイ素ガスの２成分からなる混合ガスを導入するとともに混合ガスをプラズマ化する工程と、当該プラズマ化された混合ガスを被加工物に入射させて被加工物を選択的にエッチングする工程と、を含む。混合ガスの総流量に対するヨウ化水素ガスの流量の配合比は、６０％以上８５％以下である。 （もっと読む）

【課題】加工ばらつきを低減できるようにし、加工ばらつきに起因する過剰損失の値のばらつきを小さくして、歩留まりの向上を図る。
【解決手段】基板２０上に３本以上の光導波路が形成され、それら光導波路は端部が集合連結されて光回路の分岐部もしくは交叉部が構成されている光導波路素子において、光導波路コア２１〜２３の端部が集合連結している連結部２４の光導波路コア厚を、連結部２４以外の光導波路コア厚より薄くする。薄くした分、シングルモードを保つ最大幅は広くなり、よって連結部２４の光導波路コア幅を従来に比し、広くすることができ、加工が容易となる。 （もっと読む）

【課題】 半導体光導波路同士の結合効率低下を抑制することができる半導体光導波路およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 光半導体装置の製造方法は、半導体基板（１０）上の第１の半導体光導波路（３０）を含む積層構造に対し、｛０１１｝面に対して傾斜し且つ前記第１の半導体光導波路の端部を含む領域がオーバーハングした結合面を露出させる選択エッチングを施す工程と、結合面にＩｎ_{（１−ｘ）}Ｇａ_ｘＡｓ_{（１−ｙ）}Ｐ_ｙ（０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１）からなるキャップ層（５０）を成長させる工程と、第２の半導体光導波路（６１）を、第１の半導体光導波路のオーバーハングした領域を含んで成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

基板の所望領域内での活性な化学基の局在化を支援する基板である素子の使用により、選択された活性な化学的領域を有する基板を作製する方法に関する。本方法は、基板の選択的な活性領域を提供することを意図した、基板の選択された領域内での化学基の堆積、除去、活性化および／または非活性化のための光学的、化学的および／または機械的プロセスを含みうる。 （もっと読む）