【課題】本発明の目的は、波長変換を介さず、シリアルデータを１ビット毎に共振器に取り込み、シリアルデータをパラレルデータに変換し、共振器に取り込まれたデータをパルス列として読み出すことも可能にするフォトニック結晶光ビットメモリおよびフォトニック結晶光ビットメモリアレイを提供することを目的とする。
【解決手段】複数のフォトニック結晶中のそれぞれに配置され、双安定動作を行い、３つの共振モードを有する複数の共振器と、上記複数の共振器をシリアルに接続し多ビットメモリを構成するバス導波路と、上記複数の共振器のそれぞれの脇に配置される複数のドロップ導波路とを備え、上記バス導波路は、上記３つの共振モードのうちの１つの共振モードのみ伝播でき、上記ドロップ導波路は、上記３つの共振モードの全てを伝播できることを特徴とするフォトニック結晶光ビットメモリアレイ。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ構造により発生したキャリアの移動をコントロールすることで、長時間安定な光双安定メモリを実現する。
【解決手段】本発明は、高速動作が可能なキャリアプラズマ分散効果を用いた光双安定動作に基づいた光メモリを、フォトニック結晶の前記光共振器部位を挟んで対向する２つの領域に、キャリアを引き抜くためのＰ形半導体領域、Ｎ形半導体領域の２つの電極を設け、電界を印加する構造とし、生成したキャリアが非発光再結合して熱に変わる前に高速に共振器の外に引き出すことで、熱の発生を抑え、メモリ保持時間を延ばす。 （もっと読む）

【課題】領域選択成長技術を適用して、均一性のある微細構造を生産できる微細構造素子製造装置及び微細構造素子生産方法を提供すること。
【解決手段】基板が搭載される試料ホルダ４０と、基板３０に選択的に結晶を成長させるため基板の温度を所定の範囲に加熱する加熱器５０と、基板３０に選択的に結晶を成長させるための少なくとも１つ以上の第１の開口部と、当該１つ以上の第１の開口部の外側に複数の第２の開口部を有するマスク１０と、マスク１０が搭載されるマスクホルダ２０と、を備える微細構造素子製造装置。 （もっと読む）

【課題】帰還作用の強い導波路構造を用いて、導波路長を短くし、これによって、集積化をねらって素子の小型化を進める。
【解決手段】本発明の光双安定素子は、半導体２次元フォトニック結晶薄板上に線欠陥導波路を設ける。この線欠陥導波路は、所定の透過帯域を持ち、その低周波数側に隣接して、透過率が小さい周波数域のモードギャップを有し、前記入力光周波数を、このモードギャップの周波数域におさまるように選択した。 （もっと読む）

【課題】大きな三次の非線形光学定数を有し、且つ、薄膜化できる新たな一次元モット絶縁体を提供する。
【解決手段】化学組成式が、〔Ｎｉ（Ｌ₂ ）Ｘ〕Ｙ₂ 、ただし、Ｌは１，２−ジアミノアルカン、Ｘ及びＹはハロゲン化物イオン、で表され、Ｎｉ³⁺イオンとＸ^- イオンとが交互に結晶ｂ軸に沿って配置され、２つのＬは、２つのＬのアミノ基の４つのＮ原子を介してＮｉ³⁺イオンに結合し、且つ、結晶ｂ軸に垂直な面内でＮｉ³⁺イオンに配位した、ＮｉとＸから成る一次元鎖構造を有する。 （もっと読む）

デジタル信号の再生、再形成、および、波形変換を提供する、光学双安定ラマン・レーザーが開示される。本発明の側面に従う装置は、半導体物質（１２１）の中に設けられた光導波路（１１９）を有する。第１および第２の反射体（１０３，１０５）は、その光導波路の中に配置される。その第１および第２の反射体はその光導波路の中にキャビティを規定する。そのキャビティは第１の波長（ラムダｅ）を有する第１の光学ビーム（１０９）を受信するために存在する。そのキャビティにより受信されるその第１の光学ビームのパワーレベルが第２のパワーレベルより高く上昇することは、そのキャビティにより受信されるその第１の光学ビームのそのパワーレベルが第１のパワーレベルより低く低下するまでの間、第２の光学ビーム（１１１）の放出をもたらす。その第１のパワーレベルはその第２のパワーレベルに満たない。 （もっと読む）