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Fターム[4C204GB26]の内容

インドール系化合物 (20,061) | 炭素環の置換基 (3,924) | 異種原子 (1,376) | 単結合酸素原子 (480) | 遊離ヒドロキシ基 (101)

Fターム[4C204GB26]に分類される特許

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本発明は、記憶障害の治療に有用な化合物を特徴とする。すなわち、これらの化合物は、記憶喪失を低減もしくは遅延させるか、記憶保持を強化する。これらの化合物の一部は治療関連用量ではCOX−1かCOX−2のどちらかを実質的に阻害しないので、COX−1とCOX−2の両方を阻害することが知られているインドメタシンより胃腸潰瘍形成を引き起こす可能性がはるかに低い。これらの化合物の一部は、治療関連用量でDAOの活性を阻害する。治療し得る記憶障害には、AD、軽度認知障害(MCI;一般的なAD前駆症状)、ならびに、血管性痴呆、健忘症、痴呆、エイズ痴呆、ハンチントン病、水頭症、うつ病、ピック病、クロイツフェルト・ヤコブ病、電気ショック療法、またはパーキンソン病に関連する記憶喪失または認知障害が含まれる。
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