【課題】半導体装置をはんだ槽に満たされた溶融はんだに浸漬することで、前記半導体装置の電極にはんだを付着させるはんだ付け方法において、はんだ付けの効率、及び、はんだ付け後の半導体装置の歩留まりを向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置１０を溶融はんだ１２Ａに浸漬する前、及び、半導体装置１０を溶融はんだ１２Ａから引き上げる前のみに、溶融はんだ１２Ａの液面１２ｃに配された超音波振動子４によって超音波を液面１２ｃに印加することにより、液面１２ｃを振動させて液面１２ｃ近傍の溶融はんだ１２Ａをはんだ槽２の外側に溢れ出させるはんだ付け方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】熱容量や耐熱性の異なる複数の挿入実装電子部品をその特性を損なわず且つ確実に接合品質を確保してはんだ付けできるフローはんだ付け方法を提供する。
【解決手段】回路基板の種類と挿入実装電子部品の熱容量および耐熱温度と使用はんだの種類とはんだ付け条件との組み合わせによって得られる、スルーホール内のはんだ濡れ上がり特性および挿入実装電子部品の本体部の温度に基づいて、はんだ付け条件の許容範囲を特定する許容範囲特定工程と、熱容量とはんだ付け条件の許容範囲との相関関係を取得する相関関係取得工程と、この相関関係よりはんだ付け条件を決定するはんだ付け条件決定工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】内部コンベア２による搬送速度の高速化に伴うプリヒーター４の大型化を解消しつつ、比較的大きなサイズの電子回路基板を小型のフラクサー３と小型の溶融はんだ槽５とでそれぞれ処理する。
【解決手段】塗布領域Ａ_１で電子回路基板を内部コンベア２によって搬送方向に移動させながら、移動中の電子回路基板に対してフラクサー３によってフラックスを塗布し、内部コンベア２の駆動の一時停止によって予備加熱領域Ａ_２内に停止させている状態の電子回路基板をプリヒーター４によって予備加熱し、且つ、はんだ付け領域Ａ_３で電子回路基板を内部コンベア２によって搬送方向に移動させながら、移動中の電子回路基板に対して溶融はんだ槽５によるはんだ付け処理を施す。 （もっと読む）

【課題】 鉛フリーのはんだ材料を用いて挿入タイプの電子部品を基板に実装するためのはんだ付け方法およびはんだ付け装置であって、リフトオフの発生と引け巣の発生を低減して電子部品と基板の接続の信頼性に優れた基板のはんだ付け方法を提供する。
【解決手段】フロー炉１００ではんだ付けした実装基板を、リフロー炉１１０にて実装基板を加熱し、はんだ接合部のはんだを再溶融させた後、実装基板全体を均一な温度に加熱保持１１１され、その加熱保持された状態で、基板全体を一括同時に急速冷却１１２することにより得られる。または、フロー炉から凝固させることなくリフロー炉に搬送された実装基板を、リフロー炉にて実装基板を加熱し、はんだ接合部のはんだを再溶融した後、実装基板全体を均一に加熱保持して、その加熱保持した状態で、基板全体を一括同時に急速冷却することによっても得られる。 （もっと読む）

【課題】錫・亜鉛はんだと鉛との組合わせによる接合部の劣化を抑制するはんだ付方法を提供する。
【解決手段】回路基板と電子部品との錫−亜鉛を含有する鉛フリーはんだを用いたはんだ接合の際に、はんだ接合部と溶融はんだの接触時間を２秒ないし７秒とすることにより、回路基板の鉛フリー化で過渡的に残る錫・鉛めっきリードを有する挿入型の部品を用いる場合に接合後のはんだフィレット中に鉛の残留をコントロールでき、高温にさらされた環境でも接合部の劣化を抑制することができる。 （もっと読む）