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Fターム[4E351DD05]の内容

Fターム[4E351DD05]に分類される特許

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【課題】誘電損失が低く、高強度、高熱伝導率で、誘電率および熱膨張係数の調整が容易にできるガラスセラミックスを提供する。
【解決手段】ガラスおよび/またはそれが結晶化したマトリックス中に特定の結晶面方向に配向したセラミックフィラーを分散し、該フィラーの配向方向と垂直な面と平行な面で測定されるX線回折ピークを比較して、前記フィラーに基づく(hk0)面および(00l)面(ただし、h≧0、k≧0で、h、kの一方が1以上の整数、lは1以上の整数)のピークのうち、2つの測定面でのピーク強度の変化が最も大きい特定結晶面のピーク強度I(hk0)、I(00l)から、p=I(00l)/(I(hk0)+I(00l))で求められる2つの測定面でのp1、p2の比(p1/p2、但しp1>p2)が2以上、かつ一方の測定面から0.1mm研磨した研磨面でのp’値との比(p’/p)が0.8以上のガラスセラミックスを配線基板1の絶縁基板2とする。 (もっと読む)


【目的】 1000℃以下で焼成可能なガラスセラミックからなる基板に、密着強度、ハンダ耐熱性、基板との焼成マッチングに優れ、導体損失を低減した表層導体を同時焼成にて形成したセラミック配線基板を提供する。
【構成】 ガラスセラミックからなる未焼成のセラミックグリーンシート上に、銀および白金からなる導電成分と、モリブデン、タングステン、二酸化マンガン、二酸化ケイ素、酸化銅からなるフィラー成分とを含む導電ペーストを用いて表層配線を形成した後、1000℃以下の温度にて前記の未焼成のセラミックグリーンシートと前記銀/白金表層配線とを同時焼成したセラミック配線基板。 (もっと読む)


【課題】セラミック系の配線基板において、配線回路層の微細配線化、低抵抗化を達成でき、かつ配線回路層の絶縁基板への接着強度が高い配線基板とそれを歩留り良く作製することのできる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック系絶縁基板2の少なくとも表面に、Cu、Ag、Al、Au、Ni、Pt及びPdから選ばれる少なくとも1種からなる金属含有量が99重量%以上の金属箔などからなる高純度金属導体からなる配線回路層3を絶縁基板2表面と同一平面となるように埋設してなるとともに、配線回路層3の配線方向に直交する断面が逆台形形状からなり、その逆台形形状における下底6と横辺7とがなす形成角αを45〜80°とし、特に、表面配線回路層3aの絶縁基板2への埋設側の平均表面粗さを200nm以上、絶縁基板2の40〜400℃における平均熱膨張係数を6ppm/℃以上とする。 (もっと読む)


プリント配線板(PWB)は、受動回路素子(105)からなる積み重ねられた中間層パネル(1001、1002、1003、...)を有する。受動素子(105)は、電極終端がキャパシタ電極(170、180)のフットプリント内に位置付けられるキャパシタを含むことができる。したがってキャパシタ終端が、狭い間隔で離間して配置されるため、中間層内のループ・インダクタンスに対するキャパシタの寄与が減る。また電極フットプリント内にキャパシタ終端があることによって、キャパシタを形成する際に用いられるPWBボード表面積が減る。キャパシタ終端は、回路導体(1021、1022)によって接続される。
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