【課題】高温において使用可能な金属材とセラミックス−炭素複合材との接合体及びその製造方法を提供する
【解決手段】金属材４とセラミックス−炭素複合材１との接合体６は、金属からなる金属材４と、セラミックス−炭素複合材１との接合体である。セラミックス−炭素複合材１は、複数の炭素粒子２と、セラミックスからなるセラミック部３とを有する。セラミック部３は、複数の炭素粒子２間に形成されている。金属材４と、セラミックス−炭素複合材１とは、接合層５を介して接合されている。接合層５は、金属の炭化物とセラミックスとを含む。 （もっと読む）

【課題】ハニカムセグメントに均等に加圧可能、かつ、外周にあるハニカムセグメントをバランスよく乾燥可能であり、安定的な接合幅を保ち、コスト削減を達成し得る、ダミーセグメントを使用するハニカムセグメント接合体の作製方法を提供する。
【解決手段】隔壁により仕切られ軸方向に貫通する複数のセルを有するハニカムセグメント３の複数個を、接合材４で接合することにより一体化する接合工程を含むセラミックスからなるハニカム構造体の製造方法であって、いずれかの隅部にハニカムセグメントセグメントの代わりにリサイクル可能なダミーセグメントを使用するハニカムセグメント接合体の作製方法。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性、接合強度、信頼性および熱伝導性を向上し、長期間にわたって優れた耐久性と放熱性を実現するセラミック回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 セラミック回路基板１は、非酸化物セラミックスで構成される基板２の厚み方向一方側表面に、ＲＥ−Ｓｉ−Ｏ系酸化物およびＲＥ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系酸化物の少なくとも一方を含む結晶質相で構成される中間層３が設けられ、この中間層３の厚み方向一方側表面に、所定のパターン形状を有する金属層４が接合されている。半導体素子１１は、金属層４に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】高精度な寸法精度を求められるセラミック部材と樹脂部材の接合体に関するものである。
【解決手段】表面に三次元網目構造の多孔質領域を部分的に有するセラミック部材と、突起部を有する樹脂部材とを備え、上記多孔質領域と上記突起部とを接合してなる接合領域を有する樹脂−セラミック接合体であって、上記接合領域は、上記突起部を形成する樹脂の一部を上記セラミック部材の多孔質領域中に含浸して形成されていることから、多孔質領域と突起部との接合領域は、突起部を形成する樹脂の一部を上記多孔質領域中に含浸して形成されていることにより、接合強度の強い樹脂−セラミック接合体を得ることができる。 （もっと読む）

ダイヤモンドと拡散接合又は拡散型接合を形成することのできる材料の層であって、ダイヤモンド要素に接合される層を有する接合構造体を製造する方法。その方法は、ダイヤモンドと前記の材料の層との間の、又は前記の材料の層と金属要素の表面若しくは金属構造体の表面との間の複数の接触表面の局所領域に電子ビーム加熱を施用して、その領域における前記複数の接触表面の少なくとも一部分を接合する工程を含む。その方法は、ダイヤモンドの層をフレーム又は取り付け台に接合する工程に関して独特の適用を有する。 （もっと読む）