本発明は、微粒子ケイ素樹脂を、有機溶剤が添加されることなく微粒子無機物質と共に用いて、構造体および特にモレキュラーシーブ含有構造体を形成することに関する。ケイ素樹脂は、平均粒径７００μｍ未満の微粒子の形態で用いられる。焼成した際に、ケイ素樹脂はシリカへ転化される。これは、結合剤として作用する。 （もっと読む）

(1) タルク、アルミナおよびシリカを含む無機原料と、(2) 水溶性有機バインダと、大表面積とともに高い縦横比を有する繊維状珪酸塩鉱物とを含むバインダと、(3) 極性溶媒とからなる成分を含むバッチを提供し、該バッチ成分を混合して均質な可塑化された塊を形成し、該可塑化された塊を優れた強度を有する未焼成体に成形し、該未焼成体の、焼成されたセラミック体への転化が開始されかつ該転化が十分に達成される温度と時間をもって前記未焼成体を焼成する。
（もっと読む）

【課題】産業廃棄物として処分されているマグネシウム合金切削屑を安全かつ安価に酸化し、効率のよい環境触媒として再利用可能な技術を提供すること。
【解決手段】 粉状ないし小塊状のマグネシウム合金と粉状ないし小塊状のフェライトとを、フェライトの割合が２０〜５０ｗｔ％となるように混合し、７００℃〜８００℃で焼成する。本発明では、マグネシウムの酸素供給源としてフェライトを用い、マグネシウムの急峻な反応が抑制され、焼成物は、室温程度の低温域では吸着剤として、４００℃以上では分解剤として利用できる。 （もっと読む）

【課題】セラミックスナノ粒子を用いるとともに一般的なセラミックス材料の成形方法を用いて、平均粒子径がサブミクロンサイズ以上の、セラミックスナノ粒子と同種の物質系であるセラミックス形成材料の成形体を、セラミックスナノ粒子を用いない従来の方法よりも３０〜７０℃低い焼成温度で焼結させて高い焼結相対密度のセラミックス焼結体を得ることが可能であるとともに、大量生産に適用することが可能であり、低コスト、低環境負荷・省エネルギー等の社会的要請にも適合したセラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス形成材料中に平均粒子径が数ｎｍ〜１００ｎｍのセラミックスナノ粒子が含有されたセラミックスナノ粒子含有成形体を、セラミックス形成材料中にセラミックスナノ粒子を含有させないで成形したセラミックス成形体を焼結して９０％以上の焼結相対密度を有するセラミックス焼結体を得る場合よりも、３０〜７０℃低い焼成温度で焼結して、９０％以上の焼結相対密度を有するセラミックス焼結体を得る。 （もっと読む）

本発明は、以下の連続的な工程、すなわち、ペーストが、軸（ｘ）に沿って流れる速度Ｖ_Ｓを有する支持体材料（Ｓ）から同時共押出により形成され、ここで、ペースト（Ｐ＜ＳＢ＞Ｍ＜／ＳＢ＞が、軸（ｘ）に沿って流れる速度Ｖ_Ｍを有する活性材料（Ｍ）から形成され、ここで、Ｖ_Ｓ＝Ｖ＜ＳＢ＞Ｍ＜／ＳＢ＞であるところの工程（ａ）、前記工程（ａ）において形成された共押出物を乾燥する工程（ｂ）、前記工程（ｂ）において乾燥させた共押出物からバインダ除去する工程（ｃ）、および前記工程（ｃ）で得られる２つの同軸の層の生成物の熱処理を含む共焼結工程（ｄ）を含むことを特徴とする、軸（ｘ）に対して同軸の２つの層、すなわち第１の支持体材料層（Ｓ）と第２の活性材料層（Ｍ）から成る支持されたチューブ状のセラミック膜の調製に関する。本発明は、また、前記工程（ａ）を行うためのデバイスに関する。
（もっと読む）

酸化物の下塗りコーティング工程を経た触媒コーティングが施されるべき多孔質セラミック触媒担体またはフィルタは、架橋性ポリマーバリアー層のプレコーティングが施されて、下塗り塗料の微粒子がセラミックの微小亀裂および／または微細気孔に侵入するのを防止し、バリアー塗膜は、適度な下塗り塗膜安定化温度または触媒活性化温度において架橋可能な炭化水素ポリマーで形成され、かつセラミック触媒担体の微細気孔／マイクロチャンネルを選択的に閉塞する。
（もっと読む）

本発明は、焼結助剤としてのシルセスキオキサンポリマーを最大３０質量％含むセラミック組成物に関する。粉末コージエライトとポリアミノプロピルシロキサンを含む組成物の場合、この組成物はコージエライトハニカム基体の外面を形成するセラミックセメントとして有用である。組成物の調製方法も併せて提供する。 （もっと読む）

気孔径の場所によるばらつきを低減することができ、かつ全体の平均気孔径を大きくすることができるハニカム構造体及びその製造方法を提供する。ハニカム状の成形体を焼成する工程を含む、コージェライト製のハニカム構造体１の製造方法を提供する。焼成工程において、雰囲気温度を昇温する際に、１２００℃から１２５０℃までの昇温速度を４０℃／ｈｒ以上とし、１２５０℃から１３００℃までの昇温速度を２℃〜４０℃／ｈｒとし、１３００℃から１４００℃までの昇温速度を４０℃／ｈｒ以上とする昇温工程を含むハニカム構造体１の製造方法を提供する。更に、気孔率が５０〜７０％、平均気孔径が１５〜３０μｍ、中心部と外周部の平均気孔径の差が５μｍ以下、中心部と外周部の熱膨張係数が１．０×１０^-6／℃以下、中心部と外周部のＡ軸圧縮強度が１．５ＭＰａ以上であるハニカム構造体を提供する。 （もっと読む）