【課題】 アニール処理を不要としたカットロッドの加工方法を提供する。
【解決手段】 多結晶シリコンロッドの外周部分または外周部分の一部を取り除き、残した中央部分に加工を施すことを特徴とする加工方法であって、好ましくは、直径の１０〜６０％に相当する外周部分を研削して取り除いた後に溝加工などを施す加工方法およびこの加工を施した多結晶シリコンロッド。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れるとともに結晶中の転位が少なく均質な単結晶を低コストで得ることができる化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長容器１内に投入した化合物半導体原料６の表面と結晶成長容器１の内面との間に液体封止剤２を介在させた状態で、結晶成長容器１を、化合物半導体原料６の融点を含む範囲で温度勾配を設けた加熱炉７内で徐々に移動させて、加熱炉７における化合物半導体原料６の融点以上の温度部分で化合物半導体原料６を溶融させた後、融点以下の温度部分で化合物半導体単結晶５を成長させ、化合物半導体単結晶５の成長終了後、液体封止剤２及び化合物半導体単結晶５を２００℃から化合物半導体単結晶５の融点までの温度で加熱処理する。 （もっと読む）