【課題】炉内に原料ガスを流して、より短時間にて炉内を高純度化し得る気相成長装置を提供すること。
【解決手段】加熱した基板３上に、III族およびＶ族の原料ガスを、ドーピング原料及びキャリアガスと共に供給し、基板３の成長面に沿って層状に原料ガス６を流し、基板３上に化合物半導体結晶を成長する気相成長装置において、前記原料ガス６を流すガス流路４の他に、該ガス流路４内に乱流ガス１６を導入して成長炉内のガス流を意図的に乱流にするガス導入機構１５（１５ａ、１５ｂ）を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 払い出される有機金属の量を安定させる有機金属原料供給方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 冷媒４を満たした恒温槽５内に浸漬した容器１中に液体または固体の有機金属３を収納し、前記容器１内にガスを導入することでそのガスと共に前記有機金属３を蒸気として前記容器１から払い出す有機金属供給方法において、前記容器１に振動を与えて前記有機金属の析出を防止することで、払い出される有機金属の量を安定させる。 （もっと読む）

【課題】 ドーパントであるＴｅ原子またはＺｎ原子の損失が少ないＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 ドーパント原料３としてＩＩＩ族元素とＴｅとを含む合金またはＩＩＩ族元素とＺｎとを含む合金を準備する工程と、ドーパント原料３とＩＩＩ−Ｖ族化合物原料２と種結晶１とを結晶成長容器１１に収納する工程と、ドーパント原料とＩＩＩ−Ｖ族化合物原料とを含む融液４を種結晶１に接触するように形成する工程と、融液４からドーパントとしてＴｅ原子またはＺｎ原子を含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物単結晶５を種結晶１上に成長させる工程とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶を成長させる工程とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法。 （もっと読む）

アルカリ土類・カルコゲン化合物、アルカリ・カルコゲン化合物、I-VII族化合物、II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI₂族化合物、IV-IV族化合物、II-VII₂族化合物の群から選ばれる化合物であって、B、C、N、O、F、Si、Geなどの最外殻に不完全なp電子殻を持つ少なくとも１種の元素を固溶していることで、強磁性転移温度が室温以上であることを特徴とする光を透過しながら高い強磁性特性を有する単結晶の透明強磁性化合物。これらの最外殻に不完全なp電子殻を持つ元素の濃度の調整、アクセプターおよびドナーの添加などにより価電子制御を行いその強磁性特性を調整する。 （もっと読む）