説明

Fターム[4G077CD04]の内容

結晶、結晶のための後処理 (61,211) | 液相成長−融液の凝固によるもの (470) | 温度勾配凝固法によるもの (84)

Fターム[4G077CD04]に分類される特許

81 - 84 / 84


【課題】 るつぼ内で合成したGaAsをるつぼの下部から,浮上させること無く,上部に向って固化させていくことができるGaAs多結晶の合成方法を提供する。
【解決手段】 略円筒形状のるつぼ内にGaとAsと封止材を入れ,るつぼ内において,上方を封止材で封止した状態で,GaとAsを融解させてGaAsを合成した後,るつぼ底面の均熱を保持しながら融解させたGaAsをるつぼの下方から上方に向って固化させる。るつぼの下方から上方に向ってGaAsを固化させるに際し,7℃/cm以上で上方に向って昇温する温度勾配をGaAsの固液界面で形成させ,かつ,GaAsの固液界面の上昇速度を5mm/hr以上とする。 (もっと読む)


【課題】
【課題】本発明は、液相(44)を凝固させることによって、単結晶の固相(42)を製造する装置に関する。
【解決手段】その装置は、固相(42)及び液相(44)を収容するのに適し、その少なくとも一つの壁が液相と接触するように提供され、その固相は間隙(43)によって分離されるるつぼ(40)と、液相と固相との間の界面(46)で温度勾配を作るために、液相を加熱する手段と、加熱手段とは別個であり、前記界面の位置で電磁圧を液相の接合表面(48)に加えるための手段であって、るつぼを取り囲み、作動中に前記界面が形成されるエリアに向かい合って配置される少なくとも一つのターン(50)を備える電磁界(50)を発生させる手段とを含む。 (もっと読む)


本発明は、溶融物(13)を加熱する抵抗ヒーターと、るつぼ(11)内で交番磁界を生じさせる電界コイル(導体)とを通常備え、それによって電流を溶融物に通電させる液晶成長ユニットに関するものである。本発明によると、抵抗ヒーターが磁界コイルとして組み込まれ、言い換えると中空円筒体(1)によって形成され、その中に螺旋状で単一層の電流路が周縁スロット(2)によって形成される。本発明はユニットを加熱するために必要な電流を、移動磁界を発生させるためにも使用される。そのために、分離電界コイルまたは磁界用の分離電力供給部が必要である。コイル構成部として組み込まれる電界コイルのようにも作用する抵抗ヒーターは、高温抵抗であり、ユニットの熱コア、すなわち溶融領域を直接囲む。従って磁界を発生させるのに必要な寸法は、最小になる。磁界は結晶成長ユニットの外板壁を越えて広がることはなく、前記外板壁が通常の鉄外板として組み込みできる。

(もっと読む)


単結晶スピネルブール、ウェハ、基板およびそれらを含む能動デバイスが開示される。機械的応力および/またはひずみが減少した、このような物品は改良された収率により表される。 (もっと読む)


81 - 84 / 84