【課題】溶媒の熱対流による原料の舞い上がりを防止し、粉体の原料を用いた場合であっても高品質な結晶を製造でき且つ原料効率の高い結晶製造方法および結晶製造装置を提供する。
【解決手段】反応容器中で、（１）超臨界状態および／または亜臨界状態の溶媒、並びに、（２）原料を用い、結晶を成長させる結晶製造方法であって、前記反応容器は前記原料を充填する原料充填部としてるつぼを備え、且つ、前記るつぼへの原料の充填量がｈ≧Ｄ／２（ｈはるつぼの上端から充填した原料上面までの距離、Ｄはるつぼの内直径）を満たす、或いは、前記るつぼが一つ以上の開口部を有する蓋を有することを特徴とする結晶製造方法およびこれに用いられる結晶製造装置。 （もっと読む）

光電変換セルおよびその他の用途のためのシリコンを成型する方法および装置が提供される。このような方法および装置により、半径方向に分布する不純物や欠陥がないかまたは実質的になく、少なくとも２つの寸法が、各々、少なくとも約３５ｃｍである単結晶シリコンの成型本体を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】固液界面が結晶成長全般に亘り、結晶成長軸方向に垂直の形状、または原料融液側に凸形状となるような固液界面制御を可能とする化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】容器２底部に種結晶Ｓを収納すると共に、その種結晶Ｓの上に原料融液Ｍを収納し、容器２底部から上部に向かって温度が高くなる温度勾配となるように容器２を加熱し、種結晶Ｓより結晶成長を開始して徐々に上方に結晶化を進行させ、原料融液Ｍ全体を結晶化させる化合物半導体単結晶の製造方法において、結晶化の進行に伴い、既結晶化部分の温度勾配を徐々に大きくして結晶化速度を結晶成長の開始から結晶成長の完了にわたって概ね同一にする方法である。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル結晶構造を伝播させる修復方法を提供する。
【解決手段】この修復方法は、概して、修復する基体を供給するステップと、予成形された形状で、該修復する基体の領域上に添加材料を配置するステップと、添加材料の全体積とその添加材料に隣接する領域とを溶融温度まで加熱するために熱源を使用するステップと、結晶粒の成長と配向が生じるのに十分な時間、溶融温度を維持するステップと、熱源を凝固が完了するまで所定の制御された速度でランピングするステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ＶＧＦ法およびＶＢ法により、結晶成長方向の炭素濃度が一定な半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造する方法を提供する。
【解決手段】石英アンプル内に、ＧａＡｓ原料５およびＢ₂Ｏ₃６を入れたるつぼ３と、蒸気圧制御用のＡｓ７と、Ｇａ₂Ｏ₃、Ａｓ₂Ｏ₃よりなる群から選ばれた１または２以上の化合物、あるいは、一酸化炭素、二酸化炭素よりなる群から選ばれた１または２以上の化合物よりなる酸素供給源８を封入し、石英アンプル中のＣＯガス濃度を制御しながら結晶成長を行なう。 （もっと読む）

【課題】原料溶液の温度分布を局所的に制御することにより、高品質結晶を歩留まりよく成長させる。
【解決手段】炉１０内に保持されたるつぼ１内に種子結晶を配置し、るつぼ１内に充填された原料を加熱溶解し、るつぼ１の下方より上方に向かって、原料溶液を徐冷することにより結晶成長させる結晶製造装置において、炉１０内の温度を結晶成長に適した温度に調整する発熱体６と、るつぼ１の底部に接して配置された冷却板７と、冷却板７と熱的に結合され、熱媒体を流すことにより冷却板７を冷却する冷却管８とを備え、熱媒体の流量を制御して、るつぼ１内の原料溶液の温度勾配を制御する。 （もっと読む）

【課題】 半絶縁性ＧａＡｓウエハの研削加工に起因するマイクロクラックを除去し、アニールの際のスリップを防止する。
【解決手段】ＧａＡｓインゴット１０より切り出された半絶縁性ＧａＡｓウエハ１１の外周縁部１３に研削加工により面取り部１２を形成し、この半絶縁性ＧａＡｓウエハ１１にイオンを打ち込んだ後、アニール処理するようにした半絶縁性ＧａＡｓウエハ製造方法において、前記半絶縁性ＧａＡｓウエハの前記面取り部１２を含む外周縁部１３に所定量の鏡面研磨加工を施して前記研削加工によって発生したマイクロクラックを除去することにより、アニールの際のスリップを防止する。 （もっと読む）

【解決手段】温度を上昇させてＩＩＩ−Ｖ族半導体材料から成るウェーハを熱処理（アニーリング）する装置に関し、少なくとも一つのウェーハサポートユニット１０を備え、そのユニットは、ウェーハをそのサポート上に載置したとき、ウェーハの表面上に、離間することなくまたは最大２ｍｍ離間してカバーが設けられるような寸法で形成し、装置内に載置されたウェーハの正面がカバーの載置により大きさが決まる空間に面するよう配置する。
【効果】本装置においてアニールされたＳＩ ＧａＡｓウェーハは、少なくとも２５％増の破壊強度特性（ワイブル分布）と、改善されたマクロスコピックおよびメゾスコピックな半径方向の均質性と、機械化学的に研磨された表面の改善された品質を有する。破壊強度特性は１９００ＭＰａより高くできる。 （もっと読む）

【課題】ドーパントがドーピングされる半導体単結晶の製造方法、特に、製造される半導体単結晶と同一の半導体材料の種結晶を使用し、坩堝内で半導体溶融体を凝固させて製造する製造方法を提供する。
【解決手段】半導体単結晶１１における所望の導電率を調整するために使用されるドーパント７は、種結晶５上に形成される半導体単結晶１１の成長が開始した後、又は坩堝１の一部又は完全に坩堝の円錐な部分３又は先細部において半導体単結晶１１の凝固が終了した後、半導体溶融体９に添加される。又は、ドーパント７の一部が、事前に坩堝１に添加され、その後残りが適宜半導体溶融体９に添加される。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ等の化合物半導体単結晶の縦型結晶成長法において、結晶の種付け部から結晶成長最終部まで全域単結晶（Ａｌｌ Ｓｉｎｇｌｅ）となる確率を高め、かつ転位等の結晶欠陥の少ない良質な化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させるための、より簡便に製造でき、煩雑な設備を要さずに固液界面の形状制御を可能とするＰＢＮ製の化合物半導体単結晶成長用容器、およびその容器を使用した化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶収容部１ａと増径部（断面積増大部）１ｂと結晶成長部１ｃとを有し、その構成材料であるＰＢＮ板の厚さ方向に垂直な面で測定した（１００）面と（００２）面のＸ線回折積分強度比｛Ｉ_（002）／Ｉ_（100）}の値が、容器全体に渡り５０を超える熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）製化合物半導体単結晶成長用容器を使用する。 （もっと読む）

【課題】 結晶多形の変態を制御し、所望の結晶構造の炭化珪素単結晶を得ることができる方法を提供する。
【解決手段】 1700〜1900℃の雰囲気温度において、Ｓｉと、Ｃと、第３の元素もしくはその化合物を含む原料を融解した融液に炭化珪素単結晶基板を接触させ、この接触部の温度を前記融液の温度よりも低い温度にして前記基板上に炭化珪素単結晶を成長させることを含む炭化珪素単結晶の製造方法において、前記第３の元素を選択することにより１５Ｒ、３Ｃ及び６Ｈのうち所望の結晶構造の炭化珪素単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】縦型温度傾斜法（ＶＧＦ法）や縦型ブリッジマン法（ＶＢ法）等の縦型ボート法を用いてＳｉドープ型ＧａＡｓ単結晶を製造する際に、ＳｉがＧａＡｓ単結晶中に再現性良くドープされ、かつＳｉ濃度が均一であり、高い歩留りで生産できるＳｉドープｎ型単結晶を提供する。
【解決手段】るつぼ収納容器３内に設けたるつぼ４に種結晶５とＧａＡｓ原料を装入し、その上にＳｉ酸化物を予めドープした封止材（Ｂ₂Ｏ₃）８を置き、ヒーター１７で加熱して原料を溶融し、温度制御により原料融液７からＧａＡｓ結晶６を晶出育成させる際、上記封止剤よりもＳｉ濃度が低い第２の封止剤９を結晶成長時の適正な時期にるつぼ内に流入させ、上部ロッド１２を攪拌板１０で攪拌することにより、結晶中のキャリア濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】 大口径で低転位密度の化合物半導体単結晶を高い生産性と高い歩留で提供する。
【解決手段】 縦型の単結晶成長用容器８内に化合物半導体の種結晶１３と原料を収容し、加熱手段によって種結晶の一部と原料を融解して実質的に化学量論組成に調整した原料融液１７を作製し、種結晶の未融解部分から原料融液側に向かって結晶成長させる化合物半導体単結晶の製造方法において、化合物半導体の融点温度においてその結晶に比べて小さな熱伝導率を有する部材１１を単結晶成長用容器の外周に配置し、原料融液の温度を降下させることによって結晶成長を進行させるとを特徴とする。 （もっと読む）

密封されたアンプルの内側と圧力容器との間において平衡化された圧力が維持された状態で、クローズド・システムにおけるＩＩＩ−Ｖ族単結晶半導体化合物の成長のための装置および方法。密封されたアンプル内部の蒸気圧５は、密封されたアンプル内部の、温度、多結晶投入物の量、およびリンなどの材料の量によって制御されうる。不活性ガスの充填および放出は、圧力容器内の圧力を制御するのに用いられる。
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【課題】 転位密度の低い、高次の屈折率均一性に優れた弗化カルシウム結晶を安定的に製造する。
【解決手段】 種結晶２６に結晶原料２９を接触させて結晶を成長させる結晶成長法（例えば、ブリッジマン法や垂直温度勾配凝固法）を用いた弗化カルシウム結晶の製造方法において、該種結晶に、カルシウムと同族の元素（例えば、ストロンチウム）を含有させる。該元素の含有量は、例えば、１×１０^１９個／ｃｍ^３以上とする。 （もっと読む）

【課題】垂直ブリッジマン法での略（１００）方位の単結晶の製造において、煩雑な設備を要せず、結晶増径部において、双晶が発生することを抑制し、高い歩留りでＧａＡｓ等の閃亜鉛鉱型構造の化合物半導体単結晶を得る。
【解決手段】種結晶収納部１ａと、増径部１ｂと、結晶成長部１ｃとを有する結晶成長容器１を用い、該容器に原料融液を収納し、該容器底部の種結晶収納部１ａに予め配置した種結晶２より結晶成長を開始して、徐々に上方に結晶化を進行せしめ、ついには原料融液全体を結晶化させる化合物半導体単結晶の製造方法において、成長結晶の（１００）面と、前記容器の増径部１ｂの上方方向の面（内壁）とのなす角を１４０°以上１８０°以下として成長する。 （もっと読む）

本発明は、Ｃｄ_xＺｎ_1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）、望ましくは１原子ｐｐｂと１０，０００原子ｐｐｂの間の濃度中の、元素周期律表の第ＩＩＩ族または第ＶＩＩ族の元素、そして、望ましくは１原子ｐｐｂと１０，０００原子ｐｐｂの間の濃度中の、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）またはＲｕとＯｓの組み合わせから製造される放射線検出器結晶である。 （もっと読む）

【課題】垂直温度勾配法あるいは垂直ブリッジマン法による結晶育成時に、原料結晶の融液が種結晶とルツボとの隙間に入り込まないようにして多結晶化、結晶性悪化を生じさせずにＧａＡｓ、ＩｎＰなどの良質な単結晶を育成できる化合物半導体単結晶の製造方法を提供。
【解決手段】その表面が予め空気中で高温に加熱処理して形成される酸化ホウ素薄膜で被覆された熱分解窒化ホウ素製のルツボを用いて垂直温度勾配法または垂直ブリッジマン法によって化合物半導体単結晶を製造する方法において、ルツボ種結晶保持部に酸化ホウ素封止剤および種結晶を順次設置するとともに、ルツボ直胴部に原料結晶を設置し、かつ、その際、酸化ホウ素封止剤の使用量は、単結晶育成時に溶融する酸化ホウ素封止剤が種結晶を実質的に覆い、原料結晶の融液が種結晶とルツボ種結晶保持部とで形成される隙間に入り込むのを阻止するに十分な量とすることによって提供。 （もっと読む）

【課題】垂直ブリッジマン法や垂直温度勾配凝固法により、連通細管を用いることなしに、種付部近傍に発生する転位を少なくして、低転位密度の化合物半導体単結晶を歩留良く育成する。
【解決手段】種結晶載置部３ａ、増径部３ｂ及び定径部３ｃを有する成長容器を支持部材７により支持して加熱装置内に配置し単結晶を成長する垂直ブリッジマン法および垂直温度勾配凝固法による化合物半導体単結晶の成長装置において、成長容器３の種結晶載置部３ａの側面を覆う覆い部材７ａを設置し、該覆い部材７ａの熱伝導率λ（Ｗ／ｍ・Ｋ）と厚さｔ（ｍ）を１．０×１０^-3≦ｔ／λ≦１．０×１０^-2の関係を満たすように設定し、種結晶６の直径を５mm〜２５mmとする。 （もっと読む）

【課題】 ドーパントであるＴｅ原子またはＺｎ原子の損失が少ないＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 ドーパント原料３としてＩＩＩ族元素とＴｅとを含む合金またはＩＩＩ族元素とＺｎとを含む合金を準備する工程と、ドーパント原料３とＩＩＩ−Ｖ族化合物原料２と種結晶１とを結晶成長容器１１に収納する工程と、ドーパント原料とＩＩＩ−Ｖ族化合物原料とを含む融液４を種結晶１に接触するように形成する工程と、融液４からドーパントとしてＴｅ原子またはＺｎ原子を含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物単結晶５を種結晶１上に成長させる工程とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶を成長させる工程とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法。 （もっと読む）