半導体材料物品を製造かつ／または処理するための方法が開示されている。さまざまな方法において、第１の半導体材料物品が提供され、この第１の半導体材料物品は、半導体材料を溶融させるのに充分なほどに加熱され、溶融した半導体材料は、溶融した半導体材料物品の最短寸法に対し実質的に平行な方向で固化される。本明細書中に記載された方法によって製造される半導体材料物品も同様に開示されている。
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多結晶シリコンを取得する装置は：そのシリコンに対して石英で作られ、カップ形状のグラファイト容器（4）において除去可能に収納された少なくとも1つのるつぼ（3）；固定された底部ハーフシェル（6）及び垂直に可動式である上部ハーフシェル（7）を含む流体密封のケーシング（5）；グラファイトプレート（14）が介在した状態でそのるつぼに向かい合って配置された上部誘導コイル（12）、そのグラファイト容器の側壁（17）の周りに配置された側部誘導コイル（16）及びそのグラファイト容器の底壁（19）に向かい合って配置され、その底壁からの距離（D）を変更するために垂直に可動式である底部誘導コイル（18）；及び、誘導コイルのお互いに別々のa.c.電力供給に対する手段（20）；を含み、少なくともその側部誘導コイル（16）は、お互いに重なり合って配置された複数の平面の巻き（13a...13e）、及びそれらの巻きを全て一緒に又は一度に1つ以上を別々に選択的に短絡させ、供給する又は供給しないための及びそれらの供給の周波数を全て一緒に又は一度に1つ以上を別々に変更するための手段（25）を含む。

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【解決手段】 ボディ・リネージュを低減するＶＧＦ結晶成長プロセスおよびＶＢ結晶成長プロセスを用いて結晶成長を行うシステムおよび方法を開示する。一実施形態例によると、原材料を含むアンプルを、加熱源を有する炉の内部に挿入する段階と、結晶化温度勾配を、結晶および／または炉に対して相対的に移動させて、原材料を融解させて単結晶化合物として形成し直す垂直勾配冷却法を用いて結晶を成長させる段階と、アンプル／加熱源を互いに相対的に移動させて、原材料を融解させて単結晶化合物として形成し直す動作を継続して行う垂直ブリッジマン法を用いて結晶を成長させる段階とを備える方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 多結晶シリコン成長空間の熱的不平衡度を解消し、今後の技術展望に対応して鋳塊装置の高さ方向への大きさ制約による問題点を解消するとともにドアの大きさをふやすことができる多結晶シリコン鋳塊製造装置を提供する。
【解決手段】 所定大きさの真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に備えられ、シリコン原材を収容するるつぼと、前記るつぼ内のシリコン原材を溶融させるために熱を加えるヒーターと、前記るつぼの下側に備えられるサセプタと、前記るつぼ内に溶融したシリコン結晶を成長させるために熱を放出させる冷却板と、前記るつぼと冷却板の間に備えられ、放熱を拘束するドア開閉装置と、前記るつぼの温度を測定する温度センサーと、前記温度センサーの出力値を受けてるつぼ内の温度を制御する制御部とを含む多結晶シリコン鋳塊製造装置であって、前記ドア開閉装置は所定間隔を置いて開放部が形成された第１ドアと第２ドアを含んでなり、前記第１ドアと第２ドアの相対回転によって開放部を選択的に開閉する駆動部を含んでなる。 （もっと読む）

シリコン結晶化装置は、シリコンを収容する坩堝（１１）と、前記坩堝に収容される前記シリコンを溶融させ、続いて前記溶融シリコンを凝固させるように設けられている加熱／熱放散機構（１３〜１５）と、前記坩堝内の前記溶融シリコンを、前記溶融シリコンの凝固過程で撹拌するように設けられている電磁撹拌装置（１７）とを備える。制御機構（１８）は、前記加熱／熱放散機構を制御して、前記溶融シリコンを指定凝固速度で凝固させ、前記電磁撹拌装置を制御して、前記溶融シリコンを前記溶融シリコンの前記指定凝固速度に応じて撹拌することにより、前記溶融シリコンの速度と前記指定凝固速度との比が、第１の閾値を上回るようになるように設けられている。
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本発明は、サファイア単結晶成長方法とその装置に関し、より詳細には矩形の長い坩堝を使って、ｃ−軸方向に長い種晶を使うに当たり、短い時間内に高品質の長い単結晶を獲得できるサファイア単結晶成長方法とその装置に関する。本発明に係るサファイア単結晶成長方法及びその装置を利用すると、矩形の坩堝を利用しても坩堝内部の水平方向の温度を均一に維持できて、高品質の単結晶を獲得できるだけでなく、単結晶成長において失敗率を低くする効果がある。
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誘導法により多結晶シリコンインゴットを製造する方法が、インダクタで囲まれる冷却るつぼの溶融チャンバ内にシリコン原料を装入すること、融液表面を形成すること、及び、溶融することを含み、なお、インダクタの上面よりも下であるが、その高さの１／３よりも下ではない融液表面位置をもたらすように、シリコン原料の質量装入量及びインゴットを引き抜く速度を設定し、融液表面を同じ高さに保持する。この場合、インダクタの供給出力パラメータを所定範囲内に維持することによって、融液表面位置が同じ高さに保持される。本方法は、太陽電池の製造に好適な多結晶シリコンインゴットを鋳造することをもたらし、注目すべきより高い効率及びより低いエネルギー原単位を有する。 （もっと読む）

【課題】クラックのない高品質のサファイアの単結晶が得られるサファイア単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】一方向凝固法によるサファイア単結晶の製造方法において、ルツボ２０に、ルツボ２０の線膨張係数と製造されるサファイア単結晶の成長軸に垂直な方向の線膨張係数との相違に起因する相互応力を、ルツボ２０およびサファイア単結晶に全く発生させない、もしくはサファイア単結晶に相互応力による結晶欠陥を発生させずルツボ２０に相互応力による変形を起こさせないような線膨張係数を持つ材料からなるルツボ２０を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

溶融した半導体材料を保持し、一方向凝固工程により多結晶シリコン・インゴットを作製するための窒化ケイ素被覆坩堝と、坩堝を被覆する方法と、シリコン・インゴットおよびウェーハを作製する方法と、坩堝を被覆するための組成物と、低酸素量のインゴットおよびウェーハとに関する。
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【課題】電圧検出器等の電気光学素子として有用なＣｄＴｅ系化合物半導体単結晶を提供する。
【解決手段】インジウムをドープすることにより、吸収係数が小さく、かつ高抵抗のＣｄＴｅ系化合物半導体単結晶を実現する。この場合、ＣｄＴｅ原料融液中に０．０５〜１．０ｐｐｍｗｔのインジウムをドープし融液成長法により得られたＣｄＴｅ系化合物半導体単結晶のうち、結晶の固化率が０．９以下の部分を電気光学素子用の材料とする。 （もっと読む）

結晶材料（３）を溶融させかつ凝固させる溶融凝固炉（１）は、底部（４）および側壁（５）を有する坩堝（２）と、電磁誘導によって結晶材料を加熱するための手段と、を備える。炉は、側壁（５）の周囲の坩堝（２）の周辺に配置された少なくとも１つの側部断熱システム（６）を含む。側部断熱システム（６）の少なくとも１つの側部エレメントは、側壁（５）に対して、断熱位置と熱損失を助長する位置との間を移動する。側部断熱システム（６）は、１Ｓ／ｍ未満の電気伝導率と、１５Ｗ／ｍ／Ｋ未満の熱伝導率と、を有する。
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【課題】サファイアやガーネット等の高融点材料単結晶の製造に適した坩堝ならびにその使用方法を提供する。
【解決手段】坩堝１０は坩堝支持体又は支持本体２と、坩堝支持体又は支持本体の内面上に処理されたコーティング４から成っている。坩堝１０には高融点材料の溶融物７が含まれている。コーティング４は溶融物７との接触面を与え、かつ坩堝支持体２の表面を溶融物７との接触から保護する役割を果たす。コーティング４は好ましくは１８００℃以上の融点をもつ金属、例えばインジウム等の耐熱性金属からなる。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質な半導体結晶を再現性よく得ることにある。
【解決手段】結晶成長用のルツボ６を加熱するためのヒータ３を有する炉内にルツボ６を設置し、ルツボ６内に収容された半導体融液５をルツボ６の底部に設けられた種結晶１０と接触させ、半導体融液５を種結晶１０側から上方に向けて徐々に固化させて半導体結晶を製造する方法であって、ヒータ３からルツボ６への熱線を遮蔽するための熱線遮蔽治具４を徐々に上方に移動させ、熱線遮蔽治具４の移動に伴って半導体結晶１２の成長を進行させるようにした。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ない高品質な結晶性をそなえるとともに、実用的な速度で、連続的に結晶成長を行なうこと可能とする炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ法により炭化珪素単結晶３を製造する方法であって、炭化珪素の結晶１上にシリコン融液層２を介在させ、シリコン融液層２を介してアセチレン又はエチレン濃度１〜４０ｖｏｌ％であって、原料気体を構成する各ガスの熱分解時のエンタルピーの総和が負の値となる原料気体を供給して、炭化珪素の結晶３を成長させる。 （もっと読む）

単結晶ゲルマニウムの結晶成長を対象とするシステム、方法および基板が開示される。例示的な一実施形態によれば、単結晶ゲルマニウムの結晶成長法が提供される。さらに、上記方法は、坩堝の中に、第１のゲルマニウム原材料を充填する段階と、ゲルマニウム融解材料の補充に用いられる容器の中に、第２のゲルマニウム原材料を充填する段階と、アンプルの中に、前記坩堝および前記容器を密封する段階と、結晶成長炉の中に、坩堝とともにアンプルを配置する段階と、第１および第２のゲルマニウム原材料を融解する段階と、結晶化させるための融液の温度勾配を制御して、改善されたまたは予め定められた特性を有する単結晶ゲルマニウムのインゴットを再現性よく提供する段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】単結晶の成長方向に対して不純物濃度のばらつきが少なく、高品質な半導体単結晶を再現性よく得ることのできる半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】不純物を添加した半導体融液を凝固させて当該半導体の単結晶を成長させるブリッジマン法、温度勾配凝固法等による半導体単結晶の製造方法において、結晶成長の進展につれて結晶成長速度を徐々に遅くし、実効偏析係数が平衡偏析係数に近づけることにより、半導体単結晶の結晶成長方向に沿う不純物濃度の均一化が図れる。さらに、結晶成長の進展につれて、前記半導体融液に印加する磁場の磁束密度を徐々に弱くする操作を組み合わせれば、いっそうの不純物濃度の均一化が図れる。 （もっと読む）

【課題】結晶の成長方向に対して不純物濃度のばらつきが少なく、高品質な半導体単結晶を再現性よく得ることのできる半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ６内に、不純物を添加した半導体融液５を収容し、この半導体融液５をルツボ６の底部に形成された種結晶配置部に配置した種結晶１０と接触させた状態で、ルツボ６を回転させながら、種結晶１０側から上方に向けて徐々に固化させる半導体単結晶の製造方法において、結晶成長の進行に伴ってルツボ６の回転速度を徐々に遅くするものである。 （もっと読む）

半導体および太陽光発電用途に使用可能なシリコンなどの単結晶材料を製造するためのシステムおよび方法が提供される。単結晶インゴットを成長させるために炉（１０）内に坩堝（５０）が配置され、坩堝（５０）は当初、単一の種結晶（２０）および供給材料（９０）を収容し、種結晶（２０）は少なくとも部分的に溶融され、供給材料（９０）は坩堝（５０）内で完全に溶融され、その後、成長および凝固プロセスが行なわれる。シリコンインゴットなどの単結晶材料の成長は方向性凝固によって達成され、成長段階における熱除去は、供給原料（９０）を収容する坩堝（５０）に対して可動性の断熱材（１４）を用いて達成される。単結晶成長を達成するために、成長および凝固プロセス時に坩堝（５０）からの熱除去を制御するための熱交換器（２００）も設けられる。
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砒化ガリウム出発原料を溶融し、次いで砒化ガリウム溶融物を凝固させることによって、ドープされた砒化ガリウム単結を製造する方法であって、前記砒化ガリウム溶融物は、化学量論的組成に対して過剰なガリウムを含み、前記溶融物又は得られる結晶のホウ素濃度は、少なくとも５ｘ１０^１７ｃｍ^−３である方法が開示される。このように得られた結晶は、特に近赤外線の範囲において、低転位密度や高導電性、更に優れた低光吸収性を独自に組み合わせた特徴を有する。
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【課題】 シリコン粒子を安定的かつ高効率に単結晶化するとともに、単結晶の結晶シリコン粒子を一括的にかつ低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 結晶シリコン粒子の製造方法は、シリコン粒子１０１をその形状を保持したままシリコンの融点Ｔｍ以上の温度Ｔ１に加熱して内部のシリコンを溶融させて、温度Ｔ１から融点Ｔｍ未満であって１３８３℃以上の温度Ｔ２まで過冷却する工程１と、次に溶融したシリコン粒子１０１が全て凝固するまでＴｍ未満であって１３８３℃以上の範囲内の所定の温度に保持する工程２とを具備する。 （もっと読む）