【課題】縦型ボート法において、双晶不良の発生を抑制する結晶成長用ルツボを提供する。
【解決手段】一方に円錐台形の肩部５を備えた円筒形の直胴部６と、前記肩部５の先端に設けられ種結晶３を収納する細径部４とを有し、前記肩部５及び前記直胴部６に収容される結晶原料融液を、前記細径部４から前記直胴部６へ向かって結晶成長させる結晶成長用ルツボ１において、前記肩部５の内壁面に、結晶成長方向に対してほぼ垂直に、円周状の凹溝８を所定の間隔を隔てて複数形成するものである。 （もっと読む）

【課題】耐熱及び冷却に関し望ましい効果を有し、電極に純水を供給する必要がなく、費用節約や安全上の課題を解決しうる結晶成長炉の電極構造体を提供する。
【解決手段】少なくとも１つのグラファイト電極柱２と、少なくとも１つの金属電極柱と、少なくとも１つの固着基部４と、少なくとも１つのロックナットとを含み、グラファイト電極柱は、金属電極柱のナット基部に係合し、少なくとも１つの金属電極柱は、固着基部を通って炉壁に固締される。従って、少なくとも１つのグラファイト電極柱は、重量支持体としても導電性の電極としても働く。炉壁に溶接されたフランジ４１は、大気に晒される面積が大きくなることから、望ましい冷却効果を達成することができ、散水が実施されれば温度降下を促進することができる。固着基部には弾性座金が設けられているので、弾性力を用いてグラファイト各電極柱の荷重を軸方向に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体結晶を再現性よく得ることのできる半導体結晶成長方法および転位密度の均一な半導体結晶を提供する。
【解決手段】半導体結晶成長方法は、半導体の種結晶３０と半導体の原料とを収容した容器２０を加熱して、原料を半導体融液３４とする原料融解工程と、容器２０の種結晶３０側の一端３０ａを、種結晶３０を収容している側とは反対側の容器２０の他端２０ａよりも低温に保持する温度保持工程と、種結晶３０側の半導体融液３４の温度の降下量を、他端２０ａ側の半導体融液３４の温度の降下量よりも少なくした状態で半導体融液３４の温度を降下させて、種結晶３０側から容器２０の他端２０ａに向けて半導体融液３４を徐々に固化させる結晶成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】溶液法によるＳｉ−Ｃｒ−Ｃ溶液からのＳｉＣ単結晶中のマクロ的な欠陥を低減することが可能である炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】黒鉛るつぼ内で加熱されたＳｉを融解した融液に炭化珪素単結晶を接触させ基板上に炭化珪素単結晶を成長させる方法において、融液内にＣｒおよびＸ（ＸはＣｅ、Ｎｄのうち少なくともいずれか１種である）の元素を全組成中の各々の元素の割合としてＣｒが３０〜７０ａｔ．％、Ｘが１〜２５ａｔ．％となる範囲として添加した融液より炭化珪素単結晶を析出成長させる。 （もっと読む）

【課題】公知の溶液成長法に比べて炭化珪素単結晶の成長速度の大きい炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】黒鉛るつぼ内で加熱されたＳｉを融解した融液に炭化珪素単結晶を接触させて基板上に炭化珪素単結晶を成長させる方法において、融液内にＣｒおよびＸ（ＸはＳｎ、Ｉｎ、Ｇａのうち少なくともいずれか１種以上の元素である）の元素を全組成中の各々の元素の割合としてＣｒが３０〜７０ａｔ．％、Ｘが１〜２５ａｔ．％となる範囲として添加した融液より炭化珪素結晶を成長させる。 （もっと読む）

約３０Ｗ／ｍ・Ｋ以下の面内熱伝導率、および約２Ｗ／ｍ・Ｋ以下の面間熱伝導率を有する熱分解窒化ホウ素材料が開示される。その密度は、１．８５ｇ／ｃｃ未満である。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体結晶を再現性よく得ることのできる半導体結晶成長方法を提供することにあり、更には、転位密度の均一な半導体結晶を提供する。
【解決手段】ＶＧＦ法による結晶成長炉１は、ルツボ２０内に収容した融液３４を、ルツボ２０の一端に設置された種結晶３０と接触させた状態で、ルツボの側面側及びルツボの開口部側から加熱することにより、少なくとも結晶成長中は、開口部側から加熱する温度を側面側から加熱する温度よりも高く保持して、種結晶３０側のルツボ２０の一端を、ルツボ２０の他端（ルツボ２０の開口部側）よりも低温に保持しつつ、融液３４の温度を降下させて、種結晶３０側からルツボ２０の他端に向けて融液３４を徐々に固化させ、化合物半導体結晶の単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、強度の向上と、熱はけ性の良好な酸化物超電導バルク体の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、ＲＥ_１Ｂａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−Ｘ（ＲＥはＹを含む希土類元素（Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕの１種または２種以上を示す。）なる組成の酸化物超電導バルク体を製造するに際し、酸化物超電導バルク体を構成する元素の原料粉末を加圧成形して圧密する際、原料混合粉末中に溶融凝固法に伴う加熱温度において溶融しない貴金属の補強体を挿入して圧密し、目的の形状の前駆体を得た後、この前駆体に対し、溶融凝固法を適用して結晶成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムを含む原料シリコン融液(2)から、いわゆる方向凝固法により、シ
リコン方向凝固物(4)を得、これ(4)から粗シリコン領域(45)を切除して、歩留率の目標値
(Ｙ₀)で、目標最大アルミニウム濃度(Ｃ_10max)以下の精製シリコン(1)を得ることのでき
る方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、Ｃ_10maxと、Ｙ₀とから、あらかじめ、下式（１）を満
足する基準温度勾配(Ｔ₀)および基準凝固速度(Ｒ₀)を求める。
ｋ＝｛Ｋ₁×Ｌｎ（Ｒ₀）＋Ｋ₂｝
×｛Ｋ₃×ｅｘｐ［Ｋ₄×Ｒ₀×（Ｋ₅×Ｃ₂＋Ｋ₆）］｝
×｛Ｋ₇×Ｔ₀＋Ｋ₈｝−Ｋ₉…（１）
〔ｋは、式（２）
Ｃ_10max＝ｋ'×Ｃ₂×（１−Ｙ₀）^k'-1…（２）
（ｋ'はアルミニウム実効分配係数、Ｃ₂は原料シリコン融液のアルミニウム濃度）
を満足するように求めたアルミニウム実効分配係数ｋ'の０．９倍〜１．１倍の範囲から選ばれる係数。〕 （もっと読む）

【課題】封止されたアンプルの剛性サポート、炭素ドーピングおよび抵抗率の制御、および熱勾配の制御によってＩＩＩ−Ｖ族、ＩＩ−ＶＩ族単結晶等の半導体化合物を成長させる方法および装置を提供する。
【解決手段】サポート・シリンダ２０５０は、統合されて封止されたアンプル４０００・るつぼ装置３０００を支持し、その一方で、サポート・シリンダ２０５０の内部の低密度断熱材２０６０が対流および伝導伝熱を防止している。低密度材料２０６０を貫通する輻射チャネル２０７０によって、シード・ウェル４０３０および結晶成長るつぼ３０００の移行領域３０２０に出入する輻射熱が伝達される。シード・ウェル４０３０の直下に位置する断熱材２０６０中の中空コア２０３０によって成長している結晶の中心部が冷却され得、結晶インゴットの均一・水平な成長と、平坦な結晶−溶融帯の界面が得られ、従って、均一な電気的特性を備えたウェーハを得る事が出来る。 （もっと読む）

光起電力電池および他の用途のシリコンを鋳造するための方法および装置が提供される。これらの方法により、鋳造時に種結晶材料の断面積を増やすように結晶成長が制御される炭素分が低いインゴットを成長させることができる。
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【解決手段】 ＥＰＤが低くなるような結晶成長プロセスを用いてウェハを製造するシステムおよび方法が開示されている。また、デバイス収率を高め得る第ＩＩＩ−Ｖ族／ＧａＡｓウェハを形成する、ウェハアニーリングプロセスが提供されている。一実装例によると、エッチピット密度（ＥＰＤ）が低い第ＩＩＩ族ベースの材料を製造する方法が提供される。さらに、当該方法は、多結晶第ＩＩＩ族ベース化合物を形成する段階と、当該多結晶第ＩＩＩ族ベース化合物を用いて垂直温度勾配凝固による結晶成長を実行する段階とを備える。その他の実装例は、第ＩＩＩ族ベース結晶を形成する際に温度勾配を制御して、エッチピット密度を非常に低くする段階を備えるとしてよい。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ない高品質な結晶性をそなえるとともに、不純物を含まず、実用的な速度で、連続的に結晶成長を行なうこと可能とする炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素の種結晶１の上にシリコン融液層２を形成し、シリコン融液層２の上に炭素を含む原料気体、または炭素を含む原料気体とシリコンを含む原料気体の混合ガス、あるいは炭素とシリコンを同一分子中に含む原料気体を供給して、炭化珪素の結晶３を成長させる。 （もっと読む）

【課題】不純化合物析出物または不純化合物介在物、特に太陽電池の電気特性に影響を及ぼす炭化シリコンの形成を防止すること。
【解決手段】本発明の一態様は、結晶シリコン、特にはポリクリスタルシリコンまたはマルチクリスタルシリコンを製造する方法および装置であって、シリコン出発材料の溶融物が形成され続いてシリコン溶融物は方向性凝固により凝固される。シリコン溶融物の上方に気体、液体、または固体の形態で相または材料が提供され、シリコン溶融物中の酸素、炭素、または窒素から選択される外来原子の濃度、すなわち凝固された結晶シリコンが制御可能である、および／または酸素ガス、炭素ガス、および窒素ガス、または酸素、炭素、および窒素から選択された少なくとも１つの元素を含むガス種から選択されるガス成分の分圧が、シリコン溶融物の上方におけるガス相において調整可能および／または制御可能である。 （もっと読む）

【課題】良好なキャリア濃度分布を有するＳｉドープＧａＡｓ単結晶並びにその製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】液体封止剤を用いた縦型ボート法によるＳｉドープＧａＡｓ単結晶の製造方法による結晶育成過程において、適正な時期に液体封止剤層を撹拌することにより、ＧａＡｓ原料融液層中のＳｉ濃度を制御し、単結晶中の位置を結晶育成過程における結晶の固化率ｇで表して（１−ｇ）の対数値を横軸にとり、各固化率で特定される位置における単結晶中のキャリア濃度の対数値を縦軸にとったグラフに表される曲線が、固化率ｇが０．１〜０．８の範囲において、勾配が負の値を持ち、かつその勾配の絶対値が０．６より大きい直線と勾配の絶対値が０．６以下の直線とが接続されたものであるＳｉドープＧａＡｓ単結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】ＶＢ法、ＶＧＦ法によって製造された化合物半導体単結晶基板において、化合物半導体単結晶基板面内のキャリア濃度をより均一化した化合物半導体単結晶基板を提供する。
【解決手段】容器２の底部に予め配置した種結晶Ｓより結晶成長を開始し、徐々に上方に結晶化を進行させ、容器２内に収納した原料融液Ｍ全体を結晶化させ、得られた結晶を切断する方法によって製造された化合物半導体単結晶基板において、
以下の条件Ａ〜条件Ｃのうち、
条件Ａ：基板面内のキャリア濃度の平均値が１．０×１０¹⁸〜５．０×１０¹⁹／ｃｍ³ 条件Ｂ：基板面内のキャリア濃度の最大値、最小値が、基板面内のキャリア濃度の平均値から±５％のばらつきの範囲内
条件Ｃ：基板面内の転位密度の平均値が０〜５０個／ｃｍ² の少なくとも２つの条件を満たすものである。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛デバイス用基板材料として適した高純度で高品質な酸化亜鉛結晶を得る成長方法を提供する。
【解決手段】長さ方向一端側から他端側に向け温度勾配を有する成長容器11内において酸化亜鉛結晶15の成長を行う酸化亜鉛結晶の成長方法であって、溶媒としての亜鉛インゴット13と原料としての酸化亜鉛多結晶12が充填された成長容器11を、亜鉛の融点以上酸化亜鉛の融点以下の温度に加熱し、かつ成長容器11の高温側に配置された酸化亜鉛原料を、溶融した亜鉛を溶媒として成長容器11の低温側成長部において再析出、成長させて酸化亜鉛結晶15を得る。 （もっと読む）

【課題】フッ化物単結晶中の固体スカベンジャー粒子と酸化物との残留量を十分に低減することによって、優れた光学性能を有するフッ化物単結晶を容易に生産できる製造方法を提供すること。
【解決手段】ルツボ１中に収容されたフッ化物粒子及び固体スカベンジャー粒子を含有する粒子混合物を、温度勾配を設けて加熱することによりフッ化物粒子の融液を得る加熱工程、及び融液を冷却してフッ化物単結晶を得る冷却工程を有し、ルツボ１が、温度勾配の方向に、フッ化物粒子及び固体スカベンジャー粒子の合計量に対する固体スカベンジャー粒子の含有割合が互いに異なる粒子混合物からなる複数の粒子群を収容し、複数の粒子群が、フッ化物粒子を主成分として含む第一の粒子群４Ａと、第一の粒子群４Ａよりも固体スカベンジャー粒子の含有割合が高い第二の粒子群とを含む、フッ化物単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】垂直勾配凝固法を用いた単結晶あるいは多結晶材料、特に光電池用途のシリコンの製造方法及び装置を提供し、及び坩堝断面を多角形、特に矩形あるいは四角形形状に構成することにより材料の損耗を低減する。
【解決手段】坩堝周囲に均質でない温度分布を形成する平坦な平面状発熱体、特にジャケットヒーターを設置する。この温度分布を坩堝の中心に形成される温度勾配に対応させる。平面状発熱体の熱出力を坩堝の上端から下端へ向けて減ずる。平面状発熱体を縦方向あるいは水平方向へ蛇行して延びる複数の平行な加熱ウェブで構成する。これらウェブからの熱出力を導体断面を相違させることによって設定する。坩堝の角部分における局部的過熱を防止するため、ウェブが蛇行して延びる転回ゾーンにおいて断面を狭窄する。平面状発熱体は複数の相互接続された独立分節から作製可能である。 （もっと読む）

【課題】溶媒の熱対流による原料の舞い上がりを防止し、粉体の原料を用いた場合であっても高品質な結晶を製造でき且つ原料効率の高い結晶製造方法および結晶製造装置を提供する。
【解決手段】反応容器中で、（１）超臨界状態および／または亜臨界状態の溶媒、並びに、（２）原料を用い、結晶を成長させる結晶製造方法であって、前記反応容器は前記原料を充填する原料充填部としてるつぼを備え、且つ、前記るつぼへの原料の充填量がｈ≧Ｄ／２（ｈはるつぼの上端から充填した原料上面までの距離、Ｄはるつぼの内直径）を満たす、或いは、前記るつぼが一つ以上の開口部を有する蓋を有することを特徴とする結晶製造方法およびこれに用いられる結晶製造装置。 （もっと読む）