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Fターム[4G077DB16]の内容

結晶、結晶のための後処理 (61,211) | 気相成長−CVD (2,039) | 反応ガスの加熱、熱分解、活性化手段 (263) | プラズマによるもの (162)

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【課題】
従来から用いられているガラス、石英、ステンレス、アルミナなどのセラミックスでは、エッチングで表面性状が変化したり、腐食によってパーティクルが発生し、コンタミネーションの原因となっていた。
【解決手段】
ハロゲン系腐食ガス或いはそのプラズマに曝される耐食性部材における少なくとも前記腐食ガスやプラズマに直接接触する部位が、該耐食性部材の使用温度よりも高融点の金属ハロゲン化物からなる焼結体または単結晶からなるか、もしくは前記ガスおよび/またはプラズマとの反応によって該耐食性部材の使用温度よりも高融点の金属ハロゲン化物を形成し得る金属或いはその化合物からなる焼結体または単結晶からなり、且つ前記腐食ガス及びプラズマとの反応によって前記使用温度よりも低融点の金属ハロゲン化物を形成し得る金属あるいはその化合物の含有量が金属換算で1重量%以下とする。 (もっと読む)


本発明は、1つの前面(6)及び1つの後面(7)を備えたグラファイト基板(5)と、基板(5)の前面(6)上に設けられた少なくとも1つの第1のスタックとを有する半導体支持体(1)に関する。第1のスタックは、単結晶ダイヤモンド層(8a)、電気的絶縁性酸化物層(9a)及び半導体層(2a)を連続配置状態で有する。支持体は、基板(5)の後面(7)上に設けられた第2のスタックを有するのがよく、この第2のスタックは、第1のスタックと同一の連続した層を有し又はポリマー材料層を有する。第1及び(又は)第2のスタックを貫通すると共にグラファイト基板(5)を支持体(1)の外面に接続する熱的結合部(11)が、熱を放出できる。本方法は、酸化物層(9)上への矩形シリコンストリップの分子結合によって半導体層(2)の作製を含むのがよい。
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半導体デバイス、光導波路、および産業用用途などの用途における使用に適合したものであって、少なくとも一つがCVD法により形成される1以上のダイアモンド層を有する単結晶ダイアモンド構造の形態をもった単結晶ダイアモンド。ダイアモンド層は、互いに「格子適合」または「格子不適合」されていて、望ましいレベルの歪みを提供する。 (もっと読む)


ダイヤモンドイド含有材料に基づく新規な光デバイスを開示する。ダイヤモンドイドから作り出すことのできる材料には、ダイヤモンドイドが核となるCVD膜、ダイヤモンドイド含有CVD膜、分子結晶、及び重合材料が包含される。本明細書に開示される、ダイヤモンドイド含有材料から作り出すことのできるデバイスには、固体色素レーザー、半導体レーザー、発光ダイオード、受光素子、フォトレジスタ、フォトトランジスタ、光電池、太陽電池、反射防止コーティング、レンズ、ミラー、圧力窓、光導波路、並びに粒子検知器及び放射線検知器が包含される。
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マイクロエレクトロニック構造を形成する方法が記述される。それらの方法は、基板上にダイヤモンド層を形成し、そこではダイヤモンド層の一部が欠陥を含み、その後、ダイヤモンド層から欠陥を除去することによってダイヤモンド層内に空孔を形成する。 (もっと読む)


本発明は一つの観点において交差切子面のサブセットが実質上均一な厚みのダイヤモンド層を有する複数の交差切子面を備えた外面を有する自立内部支持三次元物体を製造する方法に向けられている。ダイヤモンド層は交差切子面のサブセットを規定するモールドを形成するように製造される基板の表面上に化学蒸着(CVD)によって形成することができる。裏打層が露呈ダイヤモンド層の少なくとも一部上に形成され、基板が除去されたときに層の強度を高める。 (もっと読む)


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