【課題】炭素繊維等の高密度繊維材料の線径に関わらず切削加工が容易に行えて、かつこれらを加工するのに十分な耐摩耗性を有するボロン含有ダイヤモンド膜被覆工具の成膜方法を提供することを課題とする。
【解決手段】反応室２外にてボロンを含む液体９を加熱することでボロンを含む気体を生成した後、ボロンを含む気体を反応室２内に導入して、直流放電プラズマ方式によりボロン含有ダイヤモンド膜を工具２０表面に被覆する。また、反応室２外におけるボロンを含む液体９の加熱およびボロンを含む気体の反応室２内への導入は、ボロンを含む液体９を液体用マスフローコントローラにより配管内に導入して、ヒータによる配管の外部加熱および配管内の真空雰囲気によって気化して、その状態でボロンを含む気体を反応室２内へ導入する。 （もっと読む）

【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材１０であって、少なくとも、線膨張係数がＭｇＯよりも小さく、かつ０．５×１０^−６／Ｋ以上の材料からなるベース基材１３と、該ベース基材１３の前記単結晶ダイヤモンドを成長させる側に貼り合わせ法で形成した単結晶ＭｇＯ層１１と、該単結晶ＭｇＯ１１上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜、ロジウム膜、白金膜のいずれかからなる膜１２を有するものであることを特徴とする単結晶ダイヤモンド成長用基材１０。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させることができ、しかも安価で大面積なダイヤモンドを成長させることができるダイヤモンド成長用基材、及び安価に大面積高結晶性単結晶ダイヤモンドを製造する方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材１０，１０’であって、少なくとも、種基材１１、１１’と、該種基材１１、１１’の前記単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜、白金膜、ロジウム膜のいずれか１２からなり、前記種基材１１，１１’は、グラファイト１１’か、またはベース基材１１ａ上にグラファイト層１１ｂが形成されたものである単結晶ダイヤモンド成長用の基材。 （もっと読む）

合成環境内にて基板上でダイヤモンド材料を合成するための化学蒸着(CVD)方法であって、以下の工程：基板を供給する工程；原料ガスを供給する工程；原料ガスを溶解させる工程；及び基板上でホモエピタキシャルダイヤモンド合成させる工程を含み；ここで、合成環境は約0.4ppm〜約50ppmの原子濃度で窒素を含み；かつ原料ガスは以下：a)約0.40〜約0.75の水素原子分率H_f；b)約0.15〜約0.30の炭素原子分率C_f；c)約0.13〜約0.40の酸素原子分率O_fを含み；ここで、H_f＋C_f＋O_f＝1；炭素原子分率と酸素原子分率の比C_f:O_fは、約0.45:1＜C_f:O_f＜約1.25:1の比を満たし；原料ガスは、存在する水素、酸素及び炭素原子の総数の原子分率が0.05〜0.40で水素分子H₂として添加された水素原子を含み；かつ原子分率H_f、C_f及びO_fは、原料ガス中に存在する水素、酸素及び炭素原子の総数の分率である、方法。 （もっと読む）

【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＳｉＣ基板１１の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１２を有する単結晶ダイヤモンド成長用基材１０であって、イリジウム膜又はロジウム膜１２は、単結晶ダイヤモンド成長時に良好なバッファ層として機能する。単結晶ＳｉＣ基板１１とイリジウム膜又はロジウム膜１２の間に、ヘテロエピタキシャル成長させたＭｇＯ膜１３をさらに有する単結晶ダイヤモンド成長用基材１０’であってもよい。基材１０’がＭｇＯ膜１３を有することで、その上のイリジウム膜又はロジウム膜１２の結晶性をより良く形成でき、また、成長させた単結晶ダイヤモンドを分離させる場合に良好な分離層として利用できる。 （もっと読む）

【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材１０であって、単結晶シリコン基板１３と、単結晶シリコン基板１３の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたＭｇＯ膜１１と、ＭｇＯ膜１１上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１２とからなる。 （もっと読む）

【課題】均一で結晶性の高い単結晶ダイヤモンドを再現性良く、低コストで製造することができる単結晶ダイヤモンド層成長用基板及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド層を成長させるための基板１２は、材質が単結晶ダイヤモンドである基材１０と、基材１０の単結晶ダイヤモンド層を成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１１とからなり、基材１０の単結晶ダイヤモンド層を成長させる側の面の周端部が、曲率半径（ｒ）≧５０μｍで面取りされている。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させることができ、しかも繰り返し使用出来る単結晶ダイヤモンド成長用の基材を提供すること、及び安価に大面積高結晶性の単結晶ダイヤモンドを製造することのできる単結晶ダイヤモンドの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、単結晶からなる種基材と、該種基材上にヘテロエピタキシャル成長させた薄膜を有する単結晶ダイヤモンド成長用の基材であって、前記種基材は、単結晶ダイヤモンドであり、かつ前記薄膜は、イリジウム膜またはロジウム膜であることを特徴とする単結晶ダイヤモンド成長用の基材。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドおよび単結晶基板が破損することなく、かつ大面積で結晶性の高い高品質の単結晶ダイヤモンド膜を連続膜として有する積層基板とその製造方法を低コストで提供する。
【解決手段】少なくとも、単結晶基板と、該単結晶基板上に気相合成させたダイヤモンド膜を有する積層基板であって、前記単結晶基板が、Ｉｒ単結晶またはＲｈ単結晶であることを特徴とする積層基板。また、少なくとも、単結晶基板上にダイヤモンド膜を気相合成させる工程を有する積層基板の製造方法において、前記単結晶基板に、Ｉｒ単結晶またはＲｈ単結晶を用いることを特徴とする積層基板の製造方法。 （もっと読む）

Ｓｉ基板上にＳｉＣ含有フィルムを成長させるための方法が開示される。ＳｉＣ含有フィルムは、例えば、プラズマスパッタリング、化学気相成長法または原子層堆積により、Ｓｉ基板上に形成することができる。このようにして成長されたＳｉＣ含有フィルムは、半導体結晶の成長用の高価なＳｉＣウェハーの代わりに提供される。
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【課題】ＣＶＤ法を使用してイリジウム下地上に直径１インチ（２.５ｃｍ）以上の大面積化された高品質のダイヤモンドをエピタキシャル成長させることができるエピタキシャルダイヤモンド膜下地基板およびその製造方法並びにこのエピタキシャルダイヤモンド膜下地基板により製造されるエピタキシャルダイヤモンド膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶酸化マグネシウム（ＭｇＯ）または単結晶サファイア（α-Ａl₂Ｏ₃）基板上に、真空蒸着法またはスパッタリング法によりイリジウム（Ｉｒ）膜をエピタキシャル成長により成膜し、この成膜されたイリジウム（Ｉｒ）下地の表面へ、イオンを含む直流プラズマを暴露することによりエピタキシャルダイヤモンド核を形成するバイアス核発生処理を施す。 （もっと読む）

【課題】より確実に単結晶ダイヤモンドを成長させることができる単結晶ダイヤモンド成長用基材の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド成長用基材の製造方法において、少なくとも、ダイヤモンド成長前の基材に対して予め基材側電極をカソードとした直流放電でダイヤモンド核形成を行うバイアス処理を行い、該処理において、少なくともバイアス処理開始４０秒後からバイアス処理終了までの基材温度を８００℃±６０℃に保つことを特徴とする単結晶ダイヤモンド成長用基材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド結晶の結晶粒子の粒径を制御してターゲット表面にナノダイヤモンド膜を成膜することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】反応ガス雰囲気内の圧力を反応ガスを徐々に導入して昇圧しかつプラズマ発生用電力を徐々に印加して昇温する第１処理工程と、第１処理工程後に圧力と温度とを所要状態に維持してターゲット表面にダイヤモンド結晶を成長させる第２処理工程とを備え、第１処理工程では窒素ガスを添加してダイヤモンド結晶成長用初期核の発生密度を制御し、第２処理工程では窒素ガスを間歇的に導入してダイヤモンド結晶成長用二次核の発生密度を制御する。 （もっと読む）

本発明は、プラズマ気相エピタキシーのための低エネルギー高密度プラズマ発生装置を含んでなる化合物半導体層の高速エピタキシャル成長のための装置及び方法である。上記方法は、堆積チャンバーにおいて１つ又は複数の金属蒸気を非金属元素と結合させるステップを含む。するとガスが高密度低エネルギープラズマ存在下で非常に活性化される。それと同時に、半導体層を基板上に形成するために金属蒸気は非常に活性化されたガスと反応され、反応生成物はプラズマにさらされた支持部と連通する加熱された基板上に堆積される。上記方法は炭素を一切含まず、１０ｎｍ／ｓまでの成長率で、１０００℃以下の基板温度の大面積シリコン基板に窒化物半導体をエピタキシャル成長するために特に適する。上記方法は、炭素を含むガスも水素を発生するガスも必要とせず、有毒性のキャリア又は反応ガスを用いないため、環境に優しい方法である。
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【課題】リン原子がドープされたn型(100)面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド基板が、(100)面方位ダイヤモンドであり、気相成長手段により、水素、炭化水素及びリン化合物を気相中に存在させ、気相中の炭素原子に対するリン原子の比が0.1%以上であり、水素原子に対する炭素原子の比が0.05%以上である条件で(100)面方位ダイヤモンドを基板上にエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）