【課題】原料のルツボ内への供給時における金属の持ち込みを極力少なくすることができる多結晶シリコンの鋳造方法を提供する。
【解決手段】無底の冷却ルツボを用い、電磁誘導により多結晶シリコンを連続的に鋳造する多結晶シリコンの鋳造方法であって、原料として、高純度シリコンの粒径が０．６ｍｍ〜３ｍｍの原料と粒径が３ｍｍを超え４０ｍｍ以下の原料を全原料の７０〜１００質量％として混合し、かつ両者の混合比を比較した場合に、粒径が０．６ｍｍ〜３ｍｍのものが０〜４０質量％、粒径が３ｍｍを超え４０ｍｍ以下のものが１００〜６０質量％である高純度シリコンを使用する。これにより、重金属による汚染が少なく、良好な変換効率を維持できる太陽電池の基板材としての多結晶シリコンを、簡素で小型の原料供給配管を採用した電磁鋳造装置を使用して容易に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】磁性元素を含む半導体中で、磁性元素を高濃度に含むナノ結晶の自律的形成を人為的に制御し、結晶中の磁性元素の平均の組成が２０％以下の小さい範囲でも、室温以上で強磁性あるいは超常磁性状態となって磁化過程に履歴現象が生じるような薄膜結晶を実現する。
【解決手段】磁性元素を含む半導体において、ｎ型またはｐ型のドーパントを添加するか、あるいは化合物半導体の場合は結晶成長時の原料供給量の調節により化合物における構成元素の組成割合における化学量論比からのずれを調整することにより、磁性元素イオンの結晶中での価数を変化させてイオン間の引力相互作用を調整することで、磁性元素を高濃度に含むナノ結晶の自律的な形成を人為的に制御することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ホールバーによるホール効果測定でホール電圧の磁場依存性から、ｐ型半導体であることが明確に示されるｐ型酸化亜鉛薄膜、同薄膜を再現性良く製造する方法及びその発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型酸化亜鉛半導体薄膜を作製する方法であって、酸化亜鉛のｐ型半導体特性を発現させるために、薄膜中に添加したｐ型ドーパントを活性化する高温アニール工程と、あるいはｐ型ドーパントの活性種を成膜中に照射することでｐ型ドーパントを活性させた状態でドーピングすることと、酸化雰囲気中での低温アニールの工程とを組み合わせることで、ｐ型半導体化を実現することを特徴とする酸化亜鉛のｐ型化の方法と、同方法で実現したｐ型酸化亜鉛薄膜及びその発光素子。
【効果】高信頼性のｐ型酸化亜鉛薄膜、その作製方法及びその青色発光素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】単結晶ＳｉＣ基板の炭素面のみならずケイ素面の平坦化を行うことが可能で、かつ環境への負荷も低い表面改質方法を熱エッチングで提供する。
【解決手段】タンタル金属からなるとともに炭化タンタル層を内部空間に露出させるように上下が勘合した収納容器１６に単結晶ＳｉＣ基板１５を収納する。それとともに、加熱室を予め減圧下で１５００℃以上２３００℃以下の温度に調整しておく。そして、収納容器１６を加熱室へ移動することにより、収納容器１６の内部をシリコンの飽和蒸気圧下の真空に保った状態で１５００℃以上２３００℃以下の温度で加熱処理し、単結晶ＳｉＣ基板１５の表面を分子レベルに平坦化熱エッチングする。 （もっと読む）

本発明は、エピタキシャル層の製造に関し、半導体基板を用立てるステップと、第１の深さを有するＳｉ−Ｇｅ層を半導体基板上に設けるステップと、第１の深さよりも十分に深い第２の深さを有し、かつ、ｎ型のドーパント材料でドープした層を、半導体基板に設けるステップと、Ｇｅ原子およびｎ型原子が、二酸化シリコン／シリコン界面にて二酸化シリコンによって半導体基板内へ押し込まれるように、二酸化シリコン層を形成すべく酸化処理を行うステップであって、ｎ型原子が、Ｇｅ原子よりも深く半導体基板内に押し込まれて、その結果頂部層のｎ型原子の濃度を低減させるようにするステップと、二酸化シリコン層を取り除くステップと、半導体基板上にシリコンのエピタキシャル層を、外方拡散またはオートドーピングを低減させて成長させるステップとを含む。
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