【課題】ＳｉＣ半導体基板の不純物元素を捕捉・固定するためのゲッタリング層の形成を含む半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０上にＳｉＣエピタキシャル層１６を形成し、該エピタキシャル層１６にイオン注入および熱処理を行なって半導体素子を製造する方法において、上記ＳｉＣ基板１０よりも欠陥密度の高いゲッタリング層１３を形成する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴに好適に用いられるＣＺ法により形成されたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により格子間酸素濃度［Ｏｉ］が７．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットに中性子線を照射してリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハに対して少なくとも酸素を含む雰囲気において所定の式を満たす温度Ｔ(℃)で酸化雰囲気アニールをし、前記ウェーハの一面側にポリシリコン層または歪み層を有することを特徴とするＩＧＢＴ用のシリコンウェーハの製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶をスライスして得られたシリコンウェーハに酸化熱処理を施すことにより、ウェーハの径方向及び厚さ方向の全域にわたってＣＯＰを消滅させる。
【解決手段】チャンバ１２に収容されたるつぼ１３にシリコン融液１５を貯留し、このシリコン融液１５に種結晶２３を浸漬して回転させながらシリコン単結晶１１を引上げた後に、このシリコン単結晶１１に中性子を照射することによりシリコン単結晶１１にリンをドープする。るつぼ１３から、内部の格子間酸素濃度が６．０×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるシリコン単結晶１１であって、サイズが１００ｎｍ以下でありかつ密度が３×１０⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるＣＯＰの発生領域を含むシリコン単結晶１１を引上げた後に、このシリコン単結晶１１への中性子の照射によりシリコン単結晶１１の径方向の面内抵抗率のバラツキを５％以下にする。 （もっと読む）

【課題】抵抗率のバラツキが小さく、かつ、ＩＧＢＴ製造プロセスを経ても酸素析出物の発生が極めて少ないウェーハの製造が可能とする。
【解決手段】チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、磁場強度2000ガウス以上とし、石英ルツボ回転数 １．５ｒｐｍ以下、結晶回転数７．０ｒｐｍ以下とし、シリコン単結晶の引き上げ速度を転位クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴ用基板にも好適に用いることができるＣＺ法によるシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により格子間酸素濃度が７．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、ＣＯＰ発生領域の直径が結晶の直径の９０％以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットにリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハの一方の主面にポリシリコン層または歪み層を形成し、他方の主面を鏡面研磨する。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴ用基板にも好適に用いることができるＣＺ法によるシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により格子間酸素濃度が７．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットにリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハの一方の主面にポリシリコン層または歪み層を形成し、他方の主面を鏡面研磨し、前記ウェーハに対して非酸化性雰囲気において熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】横磁場型チョクラルスキー法によって、大口径品であっても、全長にわたって低酸素濃度であるシリコン単結晶を簡便に製造することができる方法を提供する。
【解決手段】原料シリコン融液５が充填される石英ルツボ６の内径Ｄを引き上げられるシリコン単結晶４の直径ｄの２．５倍以上３倍以下とし、かつ、石英ルツボ６の回転速度ＣＲ［ｒｐｍ］を０＜ＣＲ≦０．５以下、石英ルツボ６と反対方向に回転しながら引き上げられるシリコン単結晶４の回転速度ＳＲ［ｒｐｍ］を５≦ＳＲ≦６０ｈ／（π・ｄ）（ここで、ｈ：原料シリコン融液の深さ）として単結晶引上げを行う。 （もっと読む）

【課題】 ＭＣＺ法で引き上げ育成したシリコン単結晶へのリン不純物ドープのためのＮＴＤに要する時間を短縮しその低コスト化を容易にする。
【解決手段】 シリコン単結晶インゴットの引き上げ育成において、ステップＳ１で石英ルツボに多結晶シリコンとＮ型不純物を供給し、これ等をステップＳ２で融解し適度なＮ型不純物の添加量を有するシリコン融液を形成する。そして、ステップＳ３でＭＣＺ法によるインゴット引上げを行い、ステップＳ４において上記インゴットの加工を行い中性子線照射に適するシリコン単結晶の形状にする。そして、ステップＳ５で目標の抵抗率となるようにシリコン単結晶に中性子線照射を施し、ステップＳ６においてシリコン単結晶の熱処理を行い照射欠陥を除去する。その後は、公知のスライス・ラップ加工等でウェーハに加工する。 （もっと読む）

【課題】ＦＺ法で製造されるシリコン単結晶を所定の抵抗率で安定して製造する方法を提供する。
【解決手段】ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、ＦＺ法で使用する高価な多結晶シリコン原料棒の代わりに高品質で安定した供給が得られる原料であるＣＺ法により製造された抵抗率が５０Ω・ｃｍ以上のＰ型またはＮ型のシリコン結晶棒１をシリコン原料棒１として、シリコン原料棒１にシリコン原料棒１と同一導電型の不純物をガスドープすることにより、シリコン原料棒１を所望の抵抗率のＰ型またはＮ型のシリコン単結晶に再結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】引き上げ速度マージンを拡大することが可能であるとともに、抵抗率のバラツキが小さなウェーハの製造が可能であるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法及びＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶からなるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハであって、結晶径方向全域においてＣＯＰ欠陥および転位クラスタが排除されており、格子間酸素濃度が８．５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、ウェーハ面内における抵抗率のばらつきが５％以下であることを特徴とするＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハを採用する。 （もっと読む）

【課題】窒素が添加された高抵抗のシリコン単結晶インゴットを原料として用いた場合においても、本来必要とされる中性子照射量を正確に把握し、目標抵抗率を正確に得るための中性子照射シリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、フローティングゾーン法（ＦＺ法）により窒素を添加しながら平均抵抗率が１０００Ω・ｃｍ以上であるシリコン単結晶インゴットを育成する工程と、該シリコン単結晶インゴットに中性子照射する工程と、該中性子照射によって受けた損傷を回復する熱処理を行う工程とを有する中性子照射シリコン単結晶の製造方法において、少なくとも前記シリコン単結晶インゴットに中性子照射する工程の前に、シリコン単結晶にドナー消去熱処理を行い、該ドナー消去熱処理を行ったシリコン単結晶の抵抗率から中性子照射量を算出して中性子照射を行う。 （もっと読む）

【課題】 紫外線光によって透過率の低下しない水晶体が求められていた。
【解決手段】 本発明は、Ａｌ（アルミニウム）とＯＨ基を含む水晶体であって、前記Ａｌの濃度値と前記ＯＨ基の濃度値とが、（ＯＨ基濃度／Ａｌ濃度値）＝２となる直線と、Ａｌ濃度値が１ｐｐｍ以下となるＡｌ濃度許容範囲とＯＨ基濃度値が６０ｐｐｍ以下となるＯＨ基濃度許容範囲とで囲まれた領域にあり、この状態で前記Ａｌと前記とが結合している水晶体により、紫外線光により透過率低下しない水晶体を実現している。またその製造方法を提供している。 （もっと読む）