本発明は、基板（８２）上の半導体性の修飾されたグラフェン層（８３）を含む修飾された構造（８０１）を製造する方法に関し、
− 少なくとも１つの基板（８１）を含む初期構造体（８００）の供給、
− 前記基板上のグラフェン層（８２）の形成、
− 原子状水素（８５）の照射による初期構造体（８００）の水素化のステップを含み、
前記グラフェンの水前記素化ステップは、１００から４０００Ｌａｎｇｍｕｉｒｓの間の照射量で行われ、修飾されたグラフェン層を形成することに特徴づけられる。 （もっと読む）

【課題】成形性に優れ鉛を含まない新規な強誘電体を提供すること。
【解決手段】ＢａアルコキシドとＴｉアルコキシドとＫＦとが混合された溶液を、ゾルゲル法によって、１０００℃未満の温度で有機分を除去することにより、ＢａＴｉＯ_３結晶のＢａの一部がＫにＯの一部がＫと同量のＦに置換された結晶粉末を得ることを特徴とするチタン酸バリウム系結晶の製造方法である。６５０℃という低温で仮焼きした場合でも元素置換されたナノ結晶を得ることができ、これを元に焼成してセラミックスを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高濃度のロジウム（Ｒｈ）がドープされたタンタル酸リチウム基板を低コストで容易に製造できる方法を提供する。
【解決手段】基板１の状態に加工されたタンタル酸リチウム単結晶の片側全面にＲｈ板またはＰｔ−Ｒｈ合金板により構成された正電極板２が接触するように取り付け、かつ単結晶の他方側全面に負電極板３を取り付けると共に、これ等電極板間に電圧を印加した状態で、７００℃以上、タンタル酸リチウム単結晶の融点未満の温度条件で、１時間以上２０時間以下熱処理する。熱処理雰囲気は、大気、真空、不活性ガス、還元性ガスの何れでもよく任意である。 （もっと読む）

【課題】 コンパクトで品質に優れる析出板を得ることができる析出板製造装置を提供する。
【解決手段】 析出板製造装置２０は、半導体材料の融液２１を貯留する坩堝２２と、坩堝２２および融液２１を加熱する加熱手段２３と、坩堝２２を収容する処理室２４と、処理室２４の同じ側にそれぞれ連結され且つ略並行に設けられて処理室内へ搬入するための冷却体２５を収容する冷却体搬入準備室２６および処理室外へ搬出するための冷却体２５を収容する冷却体搬出準備室２７と、冷却体２５を装置内で搬送する搬送手段２９と、冷却体２２を融液２１に浸漬し引上げる浸漬手段３０と、半導体材料を坩堝２２内へ補充する材料補充手段３１とを含んで構成される。 （もっと読む）