【課題】 レーザを照射することによって形成されるリッジに伴う太陽電池の性能の低下を軽減させるレーザドーピング方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板の表面にドーパントを接触させる接触工程と、半導体基板の表面の第１照射領域にレーザ光を照射する第１照射工程と、第１照射領域に形成されたリッジを含んだ第２照射領域を定め、当該第２照射領域にレーザ光を照射する第２照射工程とを有する、レーザ光を照射してドーパントをドープするレーザドーピング方法により解決する。 （もっと読む）

【課題】デバイスが形成される表層のＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥を低減可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ１０の表面に電子線を照射してシリコンウェーハ１０の表層部１１を加熱することにより、表層部１１Ａ内に存在する結晶欠陥部位の酸化物を溶融させることによって表層部１１Ａの結晶欠陥ａを低減させる。本発明によれば、電子線の照射によってシリコンウェーハの表層部を加熱していることから、レーザ光を用いる場合と比べ、表面から深い領域に存在する欠陥を縮小又は消滅させることが可能となる。しかも、レーザ光を用いる場合のように、ビーム径を大きく絞り込む必要もないことから、高い生産性を確保することも可能となる。 （もっと読む）

【課題】デバイスが形成される表層のＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥を消滅可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ１０の表面に電子線を照射することによりシリコンウェーハ１０の表層部１１を溶融させた後、溶融させた表層部１１Ａを固化させることによって表層部１１Ａの結晶欠陥ａを消滅させる。本発明によれば、電子線の照射によってシリコンウェーハの表層部を溶融させていることから、レーザ光を用いる場合と比べ、表面から深い領域に存在する欠陥を消滅させることが可能となる。しかも、レーザ光を用いる場合のように、ビーム径を大きく絞り込む必要もないことから、高い生産性を確保することも可能となる。 （もっと読む）

少なくとも5.5eVのエネルギーを有する放射線(典型的にUV線)への曝露及び525℃(798K)での熱処理後にその吸収特性に差異を示すダイヤモンド材料から出発し、ダイヤモンド材料内に欠陥を導入するように制御された照射を施す。制御された照射後、少なくとも5.5eVのエネルギーを有する放射線への曝露及び525℃(798K)での熱処理後の吸収特性の差異が減少する。孤立空孔の特性を示す吸収特徴を有するダイヤモンド材料をも開示する。 （もっと読む）

ファンシーな橙色の合成CVDダイヤモンド材料の製造方法を開示する。本方法は、CVDによって成長した単結晶ダイヤモンド材料を照射して該CVDダイヤモンド材料の少なくとも一部に孤立空孔を導入する工程及び照射されたダイヤモンド材料を次にアニールして、導入された孤立空孔の少なくともいくつかから空孔鎖を形成する工程を含む。ファンシーな橙色のCVDダイヤモンド材料をも開示する。 （もっと読む）

【課題】紫外／可視光ブラインド比を向上させたダイヤモンド紫外線センサー素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶を受光部とし、この受光部に照射される光によって生じる電気抵抗の変化で光を検出するダイヤモンド紫外線センサー素子の製造方法であって、（１）ダイヤモンド単結晶の表面を実質的に水素を含む雰囲気中で水素化する工程と、（２）前記水素化したダイヤモンド単結晶の表面をオゾンまたは活性酸素を含む雰囲気中に曝露することにより受光部を形成する工程と、を含むこととする。 （もっと読む）

【課題】温度上昇を伴わずに結晶欠陥の回復を行うこと、非金属の結晶欠陥を容易に制御すること。
【解決手段】酸化マグネシウム単結晶からなる基板１の中央部分１２に、イオン注入を行う。これにより、この部分が着色領域２となる。この基板１の着色領域２が形成された面に、中央に円形の孔を開けたマスクを載せた状態でＸ線を照射する。これにより、着色領域２のＸ線が照射された円形部分の色が薄くなって、円形のパターン３が形成される。 （もっと読む）

ｐ型酸化亜鉛（ＺｎＯ）を調製する方法が記載される。ｐ型ＺｎＯは、ｎ型ＺｎＯ基材に低エネルギーのアクセプタイオンを注入し、そしてアニールすることによって調製される。別の実施態様では、ｎ型ＺｎＯ基材が低エネルギーのドナーイオンを注入することによって予備ドーピングされる。ｐ型ＺｎＯは種々の光電子素子において用途を有することができ、また、上記のようにして調製されたｐ型ＺｎＯ及びバルクｎ型ＺｎＯ基材から形成されたｐ−ｎ接合が記載される。 （もっと読む）