シリコンウェーハの製造方法
【課題】デバイスが形成される表層のＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥を低減可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ１０の表面に電子線を照射してシリコンウェーハ１０の表層部１１を加熱することにより、表層部１１Ａ内に存在する結晶欠陥部位の酸化物を溶融させることによって表層部１１Ａの結晶欠陥ａを低減させる。本発明によれば、電子線の照射によってシリコンウェーハの表層部を加熱していることから、レーザ光を用いる場合と比べ、表面から深い領域に存在する欠陥を縮小又は消滅させることが可能となる。しかも、レーザ光を用いる場合のように、ビーム径を大きく絞り込む必要もないことから、高い生産性を確保することも可能となる。
【解決手段】シリコンウェーハ１０の表面に電子線を照射してシリコンウェーハ１０の表層部１１を加熱することにより、表層部１１Ａ内に存在する結晶欠陥部位の酸化物を溶融させることによって表層部１１Ａの結晶欠陥ａを低減させる。本発明によれば、電子線の照射によってシリコンウェーハの表層部を加熱していることから、レーザ光を用いる場合と比べ、表面から深い領域に存在する欠陥を縮小又は消滅させることが可能となる。しかも、レーザ光を用いる場合のように、ビーム径を大きく絞り込む必要もないことから、高い生産性を確保することも可能となる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はシリコンウェーハの製造方法に関し、特に、シリコン単結晶インゴットの結晶成長時に形成されたＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥を低減させ、デバイスの歩留まりを大幅に向上させることを可能にするシリコンウェーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、シリコンウェーハに形成される電子回路のさらなる微細化を実現するため、ウェーハ表面およびデバイス活性層内に存在する欠陥の大幅な低減が要求されている。このような欠陥としては、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶のインゴットの引き上げ時に空孔がインゴットに導入され、冷却中に多数の空孔が凝集して生成されたボイド欠陥（ＣＯＰ：Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ Ｐａｒｔｉｃｌｅ）や酸素析出物（ＢＭＤ：Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔ）などが挙げられる。シリコンウェーハの表層部にこのような結晶欠陥が存在すると、デバイス特性を著しく低下させる。
【０００３】
これら欠陥を消滅させる方法としては、非酸化性ガス雰囲気下（水素やアルゴンガス雰囲気下）で１１００℃以上１２５０℃以下の温度範囲で１時間程度加熱する方法、あるいはシリコンウェーハの表面にシリコンエピタキシャル膜を成長させる方法が知られている。しかしながら、前者の方法では熱処理によってスリップと呼ばれる結晶欠陥が生じてしまう。熱処理によるスリップの発生はウェーハの径が大きいほど顕著となるため、将来的に大口径化するウェーハに対しては特に問題となる。また、後者の方法は大幅なコスト増をもたらすという問題がある。
【０００４】
これに対し、特許文献１，２には、高エネルギのレーザ光をシリコンウェーハに照射することによって、ウェーハ表層領域の結晶欠陥を縮小又は消滅させる方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３９０１９９８号公報
【特許文献２】特開２００８−２８３５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、シリコンに対するレーザ光の進入深さは、レーザ光の波長によって一義的に決定されてしまうため、表面から深い領域に存在する欠陥を消滅することは困難である。例えば、波長が５２０ｎｍ程度のグリーンレーザでは、シリコンへの進入深さが１．０μｍ以下であるため、より深い位置に存在する結晶欠陥を消滅させるためには、レーザ光を数μｍ径まで絞り込むことによってエネルギ密度を増加させ、過剰なエネルギによる熱伝導によって深い領域を加熱する必要がある。しかしながら、この方法では、レーザ光のエネルギ密度の増加によってアブレーション現象が起こるため、シリコンウェーハの品質劣化を招く。一方、長波長のレーザ照射を使用した場合には、シリコン表面から奥深い位置まで侵入させることが可能となるが、上述のグリーンレーザと同様に、結晶欠陥を縮小・消滅させるにはレーザ光のビーム径を絞り込む必要があるため、ウェーハの全面に照射する場合には生産性が著しく低下し、量産品への適用は現実的でない。この対策として、多数のレーザ発生装置を同時に用いる事が考えられるが、装置価格の高騰やフットプリント増加など課題が多くやはり現実的でない。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記の課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、電子線照射法を適用すれば安価な市販装置にてシリコンウェーハの表面から深い位置までを短時間で加熱させることが可能であり、この電子線照射による加熱により、ＣＯＰや酸素析出物などの結晶欠陥を低減できることを知見し、この発明を完成させた。
【０００８】
本発明はこのような技術的知見に基づきなされたものであって、本発明によるシリコンウェーハの製造方法は、シリコンウェーハの表面に電子線を照射して前記シリコンウェーハの表層部を加熱することにより、前記表層部内に存在する結晶欠陥部位の酸化物を溶解させて前記表層部の結晶欠陥を低減させることを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、電子線を用いてシリコンウェーハの表層部を加熱していることから、レーザ光を用いる場合と比べ、表面から深い領域に存在する欠陥を縮小又は消滅させることが可能となる。しかも、レーザ光を用いる場合のように、ビーム径を大きく絞り込む必要もないことから、高い生産性を確保することも可能となる。
【００１０】
本発明においては、前記電子線を照射することにより、前記表層部に存在するＣＯＰの内壁酸化膜及び酸素析出物を除去する。すなわち、ウェーハ表層部内に存在する結晶欠陥部位の酸化物を溶解させるように電子線照射することにより、ＣＯＰの内壁酸化膜や酸素析出物が溶解され、その後、酸化物溶解後の結晶欠陥部位にＳｉ原子が拡散して再配列され、電子線照射されたウェーハ表層部に存在するＣＯＰや酸素析出物を低減させることができる。
【００１１】
本発明においては、前記電子線を前記シリコンウェーハに真空中でパルス照射又は連続照射することが好ましい。これによれば、加熱された表層部に照射雰囲気中の不純物が取り込まれることがないため、シリコンウェーハの品質低下を防止することが可能となる。
【００１２】
本発明においては、前記シリコンウェーハの表面が酸化膜除去された面であることが好ましい。これによれば、加熱された表層部に酸素が取り込まれることがないため、シリコンウェーハの品質低下を防止することが可能となる。
【００１３】
本発明においては、前記電子線を照射した後、前記シリコンウェーハの表面を研磨することが好ましい。これによれば、電子線照射によってシリコンウェーハの表面に微小な凹凸が発生した場合であってもこれが除去されるため、照射前の表面状態に戻すことが可能となる。研磨量は、０．０１μｍ以上１０μｍ以下とすることが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、レーザ光を用いる場合と比べ、表面から深い領域に存在する結晶欠陥を縮小又は消滅させることができ、結晶欠陥密度を低減することが可能となる。しかも、レーザ光を用いる場合のように、ビーム径を大きく絞り込む必要もないことから、高い生産性を確保することも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の好ましい実施形態によるシリコンウェーハの製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図２】本発明の好ましい実施形態によるシリコンウェーハの製造方法を説明するための工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００１７】
図１は、本発明の好ましい実施形態によるシリコンウェーハの製造方法を説明するためのフローチャートである。
【００１８】
図１に示すように、本実施形態による製造方法は、シリコンウェーハの主製造工程（ステップＳ１）、酸化膜除去工程（ステップＳ２）、電子線照射工程（ステップＳ３）及び研磨工程（ステップＳ４）を含んでいる。シリコンウェーハの主製造工程（ステップＳ１）は、チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶インゴットをブロック切断及び外径研削した後、スライスすることによってウェーハ状とし、さらに、面取り、ラッピング、エッチングおよび研磨などを順次施す工程である。本工程においては、熱処理などを行っていないため、シリコンウェーハ中にはＣＯＰや酸素析出物など多数のＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が含まれたままの状態である。
【００１９】
但し、ＣＯＰなどのＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が含まれる条件でシリコン単結晶インゴットを育成することは必須でなく、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の無いいわゆるボイドフリーとなる条件でシリコン単結晶インゴットを育成しても構わない。これは、ボイドフリーとなる条件でシリコン単結晶インゴットを育成した場合であっても、インゴットの全領域に亘って無欠陥とすることは困難であるとともに、無欠陥領域であっても、検査装置の高感度化などによって現在は発見不可能な微小サイズのＣＯＰや酸素析出物などの欠陥が将来的に発見される可能性があるからである。
【００２０】
酸化膜除去工程（ステップＳ２）は電子線照射を行うための前処理であり、シリコンウェーハの表面に形成された自然酸化膜をＨＦ溶液によって除去する工程である。本発明において酸化膜除去工程（ステップＳ２）を行うことは必須でないが、前処理としてこれを行えば、電子線照射によって加熱されたシリコンウェーハの表層部に酸素が取り込まれることがない。なお、自然酸化膜の除去はＨＦ溶液による手法に限定されるものでなく、電子線照射やレーザ照射により酸化膜のみを除去できる低エネルギ照射でも良く、その他、水素ガスやアルゴンガスなどの非酸化性ガス雰囲気中で１０００℃程度の熱処理を行って自然酸化膜を除去するようにしてもよい。
【００２１】
電子線照射工程（ステップＳ３）は、図２（ａ）に示すように、表層部１１に結晶欠陥ａを有するシリコンウェーハ１０の表面に電子線を照射することによって、図２（ｂ）に示すようにシリコンウェーハ１０の表層部１１Ａ内に存在する結晶欠陥ａを低減させる工程である。表層部１１Ａの加熱は、電子線の照射エネルギがシリコンウェーハ内で熱エネルギに変換されることにより生じる。加熱された表層部１１Ａでは、結晶欠陥ａが存在する部位において、シリコンより融点の低い酸化物の溶解（ＣＯＰの内壁酸化膜や酸素析出物の溶解）が進行し、酸化物溶解後の結晶欠陥部位にＳｉ原子が拡散されて再配列され、結晶欠陥ａは縮小又は消滅する。
【００２２】
電子線の照射に用いる装置は、市販の電子線照射装置を用いることが可能である。また、電子線の照射は、シリコンウェーハ自体にプラス電圧を印加して電子を加速させても構わないし、カソード電圧にて加速された電子を直接照射しても構わない。また、電子照射装置内にシリコンウェーハを加熱する装置を設置し、シリコンウェーハを加熱した状態で電子線を照射しても構わない。
【００２３】
電子線の照射エネルギ密度は、電流密度、加速電圧及び照射時間によって調節可能である。具体的には、電流密度をＡ、加速電圧をＶ、照射時間をＴとした場合、照射エネルギ密度Ｅは、
Ｅ＝Ａ×Ｖ×Ｔ
で与えられる。このうち加速電圧Ｖは、電子線の侵入深さを決めるパラメータであり、要求される低結晶欠陥領域の深さに基づいて設定すればよい。つまり、より深い領域まで結晶欠陥を低減させる場合には加速電圧Ｖをより高く設定すればよい。一方、電流密度Ａ及び照射時間Ｔは、単位面積当たり照射される電子の量を決めるパラメータであり、加速電圧Ｖに応じて設定すればよい。但し、所望の加速電圧Ｖ及びエネルギ密度Ｅに設定した場合であっても、照射時間Ｔが大きすぎると（つまり電流密度Ａが小さすぎると）、電子線の照射によって得られた熱エネルギが熱伝導により放出されるため、結晶欠陥部位における酸化物の溶解が生じない可能性がある。したがって、電流密度Ａ、加速電圧Ｖ及び照射時間Ｔは、これらを考慮して設定すればよい。
【００２４】
なお、電子線の照射エネルギ密度は、シリコンウェーハの表層部そのものが溶融するほどの大きな照射エネルギを与える必要はなく、ウェーハ表層部内に存在する結晶欠陥部位の酸化物を溶解させるに必要なエネルギ密度を与えればよい。侵入させる電子線深さや照射時間にもよるが、５Ｊ／ｃｍ２未満では酸化物の溶解が不十分であり、結晶欠陥を十分に低減するには、５〜５０Ｊ／ｃｍ２程度の低密度の照射エネルギを与えることが望ましい。しかも、上記の照射エネルギ密度は、現在市販されている電子線照射装置の出力範囲内であることから、特殊な装置を用いることによる装置コスト増や、生産性の低下を招くこともない。
【００２５】
電子線の照射は真空中で行うことが好ましい。電子線の照射を真空中で行えば、加熱された表層部１１Ａに照射雰囲気中の不純物が取り込まれることがないからである。ここで、「真空」とは完全な真空状態を指すものではなく、０．０２Ｐａ程度で十分である。また、電子線の照射は、パルス照射であっても構わないし、連続照射であっても構わない。
【００２６】
このようにして表層部１１Ａを電子線の照射により加熱して、結晶欠陥部位の酸化物を溶解させることにより、その後、酸化物溶解後の結晶欠陥ａ内にＳｉ原子が拡散し再配列され、ＣＯＰや酸素析出物などの結晶欠陥ａが低減された表層部１１Ａを得ることが可能となる。
【００２７】
研磨工程（ステップＳ４）は電子線照射を行った後の後処理である。本発明において研磨工程（ステップＳ４）を行うことは必須でないが、後処理としてこれを行えば、電子線照射によってシリコンウェーハの表面に生じた微小な凹凸や、パーティクルなどを除去することが可能となる。尚、研磨工程（ステップＳ４）を行う場合には、ステップＳ１の最終段階における研磨工程を省略しても構わない。研磨量は、電子線照射によって生じた凹凸のサイズに応じて、例えば０．０１μｍ以上１０μｍ以下とすることが好ましい。これにより、図２（ｃ）に示すように、ダメージを受けた表面が除去されるため、シリコンウェーハの表面状態を電子線照射前の状態に戻すことが可能となる。
【００２８】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、例えば、使用するウェーハがＳＯＩシリコンウェーハであっても構わない。本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【実施例】
【００２９】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこの実施例に何ら限定されるものではない。
【００３０】
［実施例１］
まず、チョクラルスキー法によりＣＯＰが発生する条件で直径２００ｍｍ、比抵抗１０ｍΩ・ｃｍ、初期酸素濃度１．１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のシリコン単結晶インゴットを引き上げた。得られたシリコン単結晶インゴットに対し、ブロック切断、外径研削およびスライスの各工程を順次施し、これにより、表面にＣＯＰが多数存在するシリコンウェーハを得た。その後、シリコンウェーハに、面取り、ラッピング、エッチングおよび研磨を順次施し、最終仕上げ研磨を施すことにより、基準となるシリコンウェーハＡを複数枚作製した。
【００３１】
次に、シリコンウェーハＡをＨＦ溶液に浸漬して自然酸化膜を除去した。その後、シリコンウェーハＡを電子線照射装置内に挿入し、チャンバー内を大気圧から０．０２Ｐａに減圧した。そして、ビーム径が２０ｍｍの電子線を用い、照射エネルギ密度４０Ｊ／ｃｍ２で電子線照射を行い、シリコンウェーハＡの全面を電子線照射でスキャンして加熱した。その後、電子線が照射されたシリコン表面側を研磨処理で１μｍ除去して、実施例１によるシリコンウェーハＢを完成させた。
【００３２】
［実施例２］
別のシリコンウェーハＡを用意し、ＨＦ溶液に浸漬して自然酸化膜を除去した後、ビーム径を６０ｍｍ、照射エネルギ密度を２０Ｊ／ｃｍ２に設定した他は実施例１と同様の条件で電子線照射を行った。その後、電子線が照射されたシリコン表層部を研磨処理で１μｍ除去して、実施例２によるシリコンウェーハＣを完成させた。
【００３３】
［評価１］
電子線照射を行っていないシリコンウェーハＡを１０枚用意し、これらシリコンウェーハＡの表面に対して、ケーエルエーテンコール社製の表面検査装置（ＳＰ−１）を用いて、０．１２μｍ以上のパーティクルや欠陥などの散乱物の位置と個数を測定した。その結果、シリコンウェーハＡからは、１枚当たり約２００個前後の散乱物が見つかり、その欠陥マップからはＣＯＰの発生であると明確に判断できるディスクパターンが得られた。次に、その欠陥の位置情報に基づき、シリコンウェーハＡに対して欠陥種の形状を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により観察した結果、その大半がＣＯＰである事を確認した。
【００３４】
次に、電子線照射を行ったシリコンウェーハＢ，Ｃを用意し、上記の表面検査装置（ＳＰ−１）を用いて、０．１２μｍ以上のパーティクルや欠陥などの散乱物の個数を測定した。その結果、シリコンウェーハＢからは２３個／ウェーハの散乱物が見つかり、シリコンウェーハＣからは２７個／ウェーハの散乱物が見つかった。このように、電子線照射によって結晶欠陥を低減できることが確認された。
【００３５】
また、電子線照射を行ったシリコンウェーハＢ，Ｃのそれぞれの表層部を１μｍ除去する研磨処理を行った後、その表面を表面検査装置で検査する操作を繰り返し起こって、電子照射により結晶欠陥が低減された深さ位置を調査した。調査には［評価１］と同様に、ケーエルエーテンコール社製の表面検査装置（ＳＰ−１）を用いて、０．１２μｍ以上のパーティクルや欠陥などの散乱物の個数を測定した。その結果、シリコンウェーハＢ、Ｃとも、研磨処理前の表面位置から深さ１０μｍの領域において、各深さ位置で検出された散乱物個数はいずれも３０個／ウェーハ以下であった。
【００３６】
［評価２］
電子線照射を行っていないシリコンウェーハＡ及び電子線照射を行ったシリコンウェーハＣを用いて、ＭＯＳデバイスを作製した。そして、８ＭＶ／ｃｍの酸化膜電界強度での耐圧を測定した結果、シリコンウェーハＡを用いて作製したＭＯＳデバイスでは合格率が６３％であったのに対して、シリコンウェーハＣを用いて作製したＭＯＳデバイスでは合格率が９８％となった。この結果は、シリコンウェーハへの電子線照射によってデバイスの歩留まりを高めることが可能である事を証明している。
【符号の説明】
【００３７】
１０ シリコンウェーハ
１１ 表層部（電子線照射前）
１１Ａ 表層部（電子線照射後）
【技術分野】
【０００１】
本発明はシリコンウェーハの製造方法に関し、特に、シリコン単結晶インゴットの結晶成長時に形成されたＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥を低減させ、デバイスの歩留まりを大幅に向上させることを可能にするシリコンウェーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、シリコンウェーハに形成される電子回路のさらなる微細化を実現するため、ウェーハ表面およびデバイス活性層内に存在する欠陥の大幅な低減が要求されている。このような欠陥としては、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶のインゴットの引き上げ時に空孔がインゴットに導入され、冷却中に多数の空孔が凝集して生成されたボイド欠陥（ＣＯＰ：Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ Ｐａｒｔｉｃｌｅ）や酸素析出物（ＢＭＤ：Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔ）などが挙げられる。シリコンウェーハの表層部にこのような結晶欠陥が存在すると、デバイス特性を著しく低下させる。
【０００３】
これら欠陥を消滅させる方法としては、非酸化性ガス雰囲気下（水素やアルゴンガス雰囲気下）で１１００℃以上１２５０℃以下の温度範囲で１時間程度加熱する方法、あるいはシリコンウェーハの表面にシリコンエピタキシャル膜を成長させる方法が知られている。しかしながら、前者の方法では熱処理によってスリップと呼ばれる結晶欠陥が生じてしまう。熱処理によるスリップの発生はウェーハの径が大きいほど顕著となるため、将来的に大口径化するウェーハに対しては特に問題となる。また、後者の方法は大幅なコスト増をもたらすという問題がある。
【０００４】
これに対し、特許文献１，２には、高エネルギのレーザ光をシリコンウェーハに照射することによって、ウェーハ表層領域の結晶欠陥を縮小又は消滅させる方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３９０１９９８号公報
【特許文献２】特開２００８−２８３５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、シリコンに対するレーザ光の進入深さは、レーザ光の波長によって一義的に決定されてしまうため、表面から深い領域に存在する欠陥を消滅することは困難である。例えば、波長が５２０ｎｍ程度のグリーンレーザでは、シリコンへの進入深さが１．０μｍ以下であるため、より深い位置に存在する結晶欠陥を消滅させるためには、レーザ光を数μｍ径まで絞り込むことによってエネルギ密度を増加させ、過剰なエネルギによる熱伝導によって深い領域を加熱する必要がある。しかしながら、この方法では、レーザ光のエネルギ密度の増加によってアブレーション現象が起こるため、シリコンウェーハの品質劣化を招く。一方、長波長のレーザ照射を使用した場合には、シリコン表面から奥深い位置まで侵入させることが可能となるが、上述のグリーンレーザと同様に、結晶欠陥を縮小・消滅させるにはレーザ光のビーム径を絞り込む必要があるため、ウェーハの全面に照射する場合には生産性が著しく低下し、量産品への適用は現実的でない。この対策として、多数のレーザ発生装置を同時に用いる事が考えられるが、装置価格の高騰やフットプリント増加など課題が多くやはり現実的でない。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記の課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、電子線照射法を適用すれば安価な市販装置にてシリコンウェーハの表面から深い位置までを短時間で加熱させることが可能であり、この電子線照射による加熱により、ＣＯＰや酸素析出物などの結晶欠陥を低減できることを知見し、この発明を完成させた。
【０００８】
本発明はこのような技術的知見に基づきなされたものであって、本発明によるシリコンウェーハの製造方法は、シリコンウェーハの表面に電子線を照射して前記シリコンウェーハの表層部を加熱することにより、前記表層部内に存在する結晶欠陥部位の酸化物を溶解させて前記表層部の結晶欠陥を低減させることを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、電子線を用いてシリコンウェーハの表層部を加熱していることから、レーザ光を用いる場合と比べ、表面から深い領域に存在する欠陥を縮小又は消滅させることが可能となる。しかも、レーザ光を用いる場合のように、ビーム径を大きく絞り込む必要もないことから、高い生産性を確保することも可能となる。
【００１０】
本発明においては、前記電子線を照射することにより、前記表層部に存在するＣＯＰの内壁酸化膜及び酸素析出物を除去する。すなわち、ウェーハ表層部内に存在する結晶欠陥部位の酸化物を溶解させるように電子線照射することにより、ＣＯＰの内壁酸化膜や酸素析出物が溶解され、その後、酸化物溶解後の結晶欠陥部位にＳｉ原子が拡散して再配列され、電子線照射されたウェーハ表層部に存在するＣＯＰや酸素析出物を低減させることができる。
【００１１】
本発明においては、前記電子線を前記シリコンウェーハに真空中でパルス照射又は連続照射することが好ましい。これによれば、加熱された表層部に照射雰囲気中の不純物が取り込まれることがないため、シリコンウェーハの品質低下を防止することが可能となる。
【００１２】
本発明においては、前記シリコンウェーハの表面が酸化膜除去された面であることが好ましい。これによれば、加熱された表層部に酸素が取り込まれることがないため、シリコンウェーハの品質低下を防止することが可能となる。
【００１３】
本発明においては、前記電子線を照射した後、前記シリコンウェーハの表面を研磨することが好ましい。これによれば、電子線照射によってシリコンウェーハの表面に微小な凹凸が発生した場合であってもこれが除去されるため、照射前の表面状態に戻すことが可能となる。研磨量は、０．０１μｍ以上１０μｍ以下とすることが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、レーザ光を用いる場合と比べ、表面から深い領域に存在する結晶欠陥を縮小又は消滅させることができ、結晶欠陥密度を低減することが可能となる。しかも、レーザ光を用いる場合のように、ビーム径を大きく絞り込む必要もないことから、高い生産性を確保することも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の好ましい実施形態によるシリコンウェーハの製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図２】本発明の好ましい実施形態によるシリコンウェーハの製造方法を説明するための工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００１７】
図１は、本発明の好ましい実施形態によるシリコンウェーハの製造方法を説明するためのフローチャートである。
【００１８】
図１に示すように、本実施形態による製造方法は、シリコンウェーハの主製造工程（ステップＳ１）、酸化膜除去工程（ステップＳ２）、電子線照射工程（ステップＳ３）及び研磨工程（ステップＳ４）を含んでいる。シリコンウェーハの主製造工程（ステップＳ１）は、チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶インゴットをブロック切断及び外径研削した後、スライスすることによってウェーハ状とし、さらに、面取り、ラッピング、エッチングおよび研磨などを順次施す工程である。本工程においては、熱処理などを行っていないため、シリコンウェーハ中にはＣＯＰや酸素析出物など多数のＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が含まれたままの状態である。
【００１９】
但し、ＣＯＰなどのＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が含まれる条件でシリコン単結晶インゴットを育成することは必須でなく、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の無いいわゆるボイドフリーとなる条件でシリコン単結晶インゴットを育成しても構わない。これは、ボイドフリーとなる条件でシリコン単結晶インゴットを育成した場合であっても、インゴットの全領域に亘って無欠陥とすることは困難であるとともに、無欠陥領域であっても、検査装置の高感度化などによって現在は発見不可能な微小サイズのＣＯＰや酸素析出物などの欠陥が将来的に発見される可能性があるからである。
【００２０】
酸化膜除去工程（ステップＳ２）は電子線照射を行うための前処理であり、シリコンウェーハの表面に形成された自然酸化膜をＨＦ溶液によって除去する工程である。本発明において酸化膜除去工程（ステップＳ２）を行うことは必須でないが、前処理としてこれを行えば、電子線照射によって加熱されたシリコンウェーハの表層部に酸素が取り込まれることがない。なお、自然酸化膜の除去はＨＦ溶液による手法に限定されるものでなく、電子線照射やレーザ照射により酸化膜のみを除去できる低エネルギ照射でも良く、その他、水素ガスやアルゴンガスなどの非酸化性ガス雰囲気中で１０００℃程度の熱処理を行って自然酸化膜を除去するようにしてもよい。
【００２１】
電子線照射工程（ステップＳ３）は、図２（ａ）に示すように、表層部１１に結晶欠陥ａを有するシリコンウェーハ１０の表面に電子線を照射することによって、図２（ｂ）に示すようにシリコンウェーハ１０の表層部１１Ａ内に存在する結晶欠陥ａを低減させる工程である。表層部１１Ａの加熱は、電子線の照射エネルギがシリコンウェーハ内で熱エネルギに変換されることにより生じる。加熱された表層部１１Ａでは、結晶欠陥ａが存在する部位において、シリコンより融点の低い酸化物の溶解（ＣＯＰの内壁酸化膜や酸素析出物の溶解）が進行し、酸化物溶解後の結晶欠陥部位にＳｉ原子が拡散されて再配列され、結晶欠陥ａは縮小又は消滅する。
【００２２】
電子線の照射に用いる装置は、市販の電子線照射装置を用いることが可能である。また、電子線の照射は、シリコンウェーハ自体にプラス電圧を印加して電子を加速させても構わないし、カソード電圧にて加速された電子を直接照射しても構わない。また、電子照射装置内にシリコンウェーハを加熱する装置を設置し、シリコンウェーハを加熱した状態で電子線を照射しても構わない。
【００２３】
電子線の照射エネルギ密度は、電流密度、加速電圧及び照射時間によって調節可能である。具体的には、電流密度をＡ、加速電圧をＶ、照射時間をＴとした場合、照射エネルギ密度Ｅは、
Ｅ＝Ａ×Ｖ×Ｔ
で与えられる。このうち加速電圧Ｖは、電子線の侵入深さを決めるパラメータであり、要求される低結晶欠陥領域の深さに基づいて設定すればよい。つまり、より深い領域まで結晶欠陥を低減させる場合には加速電圧Ｖをより高く設定すればよい。一方、電流密度Ａ及び照射時間Ｔは、単位面積当たり照射される電子の量を決めるパラメータであり、加速電圧Ｖに応じて設定すればよい。但し、所望の加速電圧Ｖ及びエネルギ密度Ｅに設定した場合であっても、照射時間Ｔが大きすぎると（つまり電流密度Ａが小さすぎると）、電子線の照射によって得られた熱エネルギが熱伝導により放出されるため、結晶欠陥部位における酸化物の溶解が生じない可能性がある。したがって、電流密度Ａ、加速電圧Ｖ及び照射時間Ｔは、これらを考慮して設定すればよい。
【００２４】
なお、電子線の照射エネルギ密度は、シリコンウェーハの表層部そのものが溶融するほどの大きな照射エネルギを与える必要はなく、ウェーハ表層部内に存在する結晶欠陥部位の酸化物を溶解させるに必要なエネルギ密度を与えればよい。侵入させる電子線深さや照射時間にもよるが、５Ｊ／ｃｍ２未満では酸化物の溶解が不十分であり、結晶欠陥を十分に低減するには、５〜５０Ｊ／ｃｍ２程度の低密度の照射エネルギを与えることが望ましい。しかも、上記の照射エネルギ密度は、現在市販されている電子線照射装置の出力範囲内であることから、特殊な装置を用いることによる装置コスト増や、生産性の低下を招くこともない。
【００２５】
電子線の照射は真空中で行うことが好ましい。電子線の照射を真空中で行えば、加熱された表層部１１Ａに照射雰囲気中の不純物が取り込まれることがないからである。ここで、「真空」とは完全な真空状態を指すものではなく、０．０２Ｐａ程度で十分である。また、電子線の照射は、パルス照射であっても構わないし、連続照射であっても構わない。
【００２６】
このようにして表層部１１Ａを電子線の照射により加熱して、結晶欠陥部位の酸化物を溶解させることにより、その後、酸化物溶解後の結晶欠陥ａ内にＳｉ原子が拡散し再配列され、ＣＯＰや酸素析出物などの結晶欠陥ａが低減された表層部１１Ａを得ることが可能となる。
【００２７】
研磨工程（ステップＳ４）は電子線照射を行った後の後処理である。本発明において研磨工程（ステップＳ４）を行うことは必須でないが、後処理としてこれを行えば、電子線照射によってシリコンウェーハの表面に生じた微小な凹凸や、パーティクルなどを除去することが可能となる。尚、研磨工程（ステップＳ４）を行う場合には、ステップＳ１の最終段階における研磨工程を省略しても構わない。研磨量は、電子線照射によって生じた凹凸のサイズに応じて、例えば０．０１μｍ以上１０μｍ以下とすることが好ましい。これにより、図２（ｃ）に示すように、ダメージを受けた表面が除去されるため、シリコンウェーハの表面状態を電子線照射前の状態に戻すことが可能となる。
【００２８】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、例えば、使用するウェーハがＳＯＩシリコンウェーハであっても構わない。本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【実施例】
【００２９】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこの実施例に何ら限定されるものではない。
【００３０】
［実施例１］
まず、チョクラルスキー法によりＣＯＰが発生する条件で直径２００ｍｍ、比抵抗１０ｍΩ・ｃｍ、初期酸素濃度１．１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のシリコン単結晶インゴットを引き上げた。得られたシリコン単結晶インゴットに対し、ブロック切断、外径研削およびスライスの各工程を順次施し、これにより、表面にＣＯＰが多数存在するシリコンウェーハを得た。その後、シリコンウェーハに、面取り、ラッピング、エッチングおよび研磨を順次施し、最終仕上げ研磨を施すことにより、基準となるシリコンウェーハＡを複数枚作製した。
【００３１】
次に、シリコンウェーハＡをＨＦ溶液に浸漬して自然酸化膜を除去した。その後、シリコンウェーハＡを電子線照射装置内に挿入し、チャンバー内を大気圧から０．０２Ｐａに減圧した。そして、ビーム径が２０ｍｍの電子線を用い、照射エネルギ密度４０Ｊ／ｃｍ２で電子線照射を行い、シリコンウェーハＡの全面を電子線照射でスキャンして加熱した。その後、電子線が照射されたシリコン表面側を研磨処理で１μｍ除去して、実施例１によるシリコンウェーハＢを完成させた。
【００３２】
［実施例２］
別のシリコンウェーハＡを用意し、ＨＦ溶液に浸漬して自然酸化膜を除去した後、ビーム径を６０ｍｍ、照射エネルギ密度を２０Ｊ／ｃｍ２に設定した他は実施例１と同様の条件で電子線照射を行った。その後、電子線が照射されたシリコン表層部を研磨処理で１μｍ除去して、実施例２によるシリコンウェーハＣを完成させた。
【００３３】
［評価１］
電子線照射を行っていないシリコンウェーハＡを１０枚用意し、これらシリコンウェーハＡの表面に対して、ケーエルエーテンコール社製の表面検査装置（ＳＰ−１）を用いて、０．１２μｍ以上のパーティクルや欠陥などの散乱物の位置と個数を測定した。その結果、シリコンウェーハＡからは、１枚当たり約２００個前後の散乱物が見つかり、その欠陥マップからはＣＯＰの発生であると明確に判断できるディスクパターンが得られた。次に、その欠陥の位置情報に基づき、シリコンウェーハＡに対して欠陥種の形状を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により観察した結果、その大半がＣＯＰである事を確認した。
【００３４】
次に、電子線照射を行ったシリコンウェーハＢ，Ｃを用意し、上記の表面検査装置（ＳＰ−１）を用いて、０．１２μｍ以上のパーティクルや欠陥などの散乱物の個数を測定した。その結果、シリコンウェーハＢからは２３個／ウェーハの散乱物が見つかり、シリコンウェーハＣからは２７個／ウェーハの散乱物が見つかった。このように、電子線照射によって結晶欠陥を低減できることが確認された。
【００３５】
また、電子線照射を行ったシリコンウェーハＢ，Ｃのそれぞれの表層部を１μｍ除去する研磨処理を行った後、その表面を表面検査装置で検査する操作を繰り返し起こって、電子照射により結晶欠陥が低減された深さ位置を調査した。調査には［評価１］と同様に、ケーエルエーテンコール社製の表面検査装置（ＳＰ−１）を用いて、０．１２μｍ以上のパーティクルや欠陥などの散乱物の個数を測定した。その結果、シリコンウェーハＢ、Ｃとも、研磨処理前の表面位置から深さ１０μｍの領域において、各深さ位置で検出された散乱物個数はいずれも３０個／ウェーハ以下であった。
【００３６】
［評価２］
電子線照射を行っていないシリコンウェーハＡ及び電子線照射を行ったシリコンウェーハＣを用いて、ＭＯＳデバイスを作製した。そして、８ＭＶ／ｃｍの酸化膜電界強度での耐圧を測定した結果、シリコンウェーハＡを用いて作製したＭＯＳデバイスでは合格率が６３％であったのに対して、シリコンウェーハＣを用いて作製したＭＯＳデバイスでは合格率が９８％となった。この結果は、シリコンウェーハへの電子線照射によってデバイスの歩留まりを高めることが可能である事を証明している。
【符号の説明】
【００３７】
１０ シリコンウェーハ
１１ 表層部（電子線照射前）
１１Ａ 表層部（電子線照射後）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウェーハの表面に電子線を照射して前記シリコンウェーハの表層部を加熱することにより、前記表層部内に存在する結晶欠陥部位の酸化物を溶解させて前記表層部の結晶欠陥を低減させることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記電子線を照射することにより、前記表層部に存在するＣＯＰの内壁酸化膜及び酸素析出物を除去することを特徴とする請求項１記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記電子線を前記シリコンウェーハに真空中でパルス照射又は連続照射することを特徴とする請求項１又は２に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記シリコンウェーハの表面は、酸化膜除去された面であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記電子線を照射した後、前記シリコンウェーハの表面を研磨することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項１】
シリコンウェーハの表面に電子線を照射して前記シリコンウェーハの表層部を加熱することにより、前記表層部内に存在する結晶欠陥部位の酸化物を溶解させて前記表層部の結晶欠陥を低減させることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記電子線を照射することにより、前記表層部に存在するＣＯＰの内壁酸化膜及び酸素析出物を除去することを特徴とする請求項１記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記電子線を前記シリコンウェーハに真空中でパルス照射又は連続照射することを特徴とする請求項１又は２に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記シリコンウェーハの表面は、酸化膜除去された面であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記電子線を照射した後、前記シリコンウェーハの表面を研磨することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１１−１６５８２０（Ｐ２０１１−１６５８２０Ａ）
【公開日】平成２３年８月２５日（２０１１．８．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２５６６５（Ｐ２０１０−２５６６５）
【出願日】平成２２年２月８日（２０１０．２．８）
【出願人】（３０２００６８５４）株式会社ＳＵＭＣＯ (1,197)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年８月２５日（２０１１．８．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年２月８日（２０１０．２．８）
【出願人】（３０２００６８５４）株式会社ＳＵＭＣＯ (1,197)
【Ｆターム（参考）】
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