【課題】チャンバにおける熱源を構成する複数の棒状ランプを介して被処理体と対向する天面部が過熱されることを抑制することができると共に、長期間にわたって高い加熱効率を安定に得ることのできる加熱装置を提供すること。
【解決手段】加熱装置は、チャンバ内に、熱源を構成する複数の棒状ランプが、一平面内において互いに離間して平行に、かつ被処理体に対向するように配置されており、前記複数の棒状ランプには、各々、被処理体とは反対側に位置する領域にセラミックス製反射膜が形成されており、当該複数の棒状ランプにおける互いに隣接する棒状ランプ同士の間には、基材にセラミックス製反射膜が形成された反射部材が配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】急速加熱処理における温度分布は、ウエハのパターニングに依存し変化する。急速加熱処理（ＲＴＰ）の均一性は大幅に高める方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１２や他の基板を熱的に処理する装置６０及び方法（例えば、急速加熱処理）放射ランプ２６の列２４は、ウエハを加熱する為にウエハの裏側に放射を向ける。ウエハの表側は、パターン化された集積回路１６が形成されるが、放射反射器２８に面する。ランプがウエハの上方にあるとき、エッジリングは、ウエハをそのエッジ排除ゾーンで支持する。あるいは、リアクタは、上方に向けられたランプ２６と、反射器２８を上方に含み、ウエハの表側に面する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュ加熱処理時における薄膜の過度の加熱を抑制することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】表面に二酸化ケイ素の基材を形成し、さらにその上にアモルファスシリコンの薄膜を形成した半導体ウェハーＷをチャンバー６内に搬入する。フラッシュランプＦＬへの電力供給回路には絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）が接続されており、そのＩＧＢＴによってフラッシュランプＦＬへの通電時間を０．０１ミリ秒以上１ミリ秒以下とすることにより、フラッシュ光照射時間を０．０１ミリ秒以上１ミリ秒以下としている。顕著に短いフラッシュ光照射時間にてフラッシュ加熱処理を行うため、アモルファスシリコンの薄膜が過度に加熱されることは抑制され、当該薄膜が剥離するなどの弊害が防止される。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により育成したウェーハのバルク部の直径方向におけるＢＭＤ密度の面内均一性を高めることができ、更には、ＢＭＤサイズの面内均一性も高めることができ、加えて、ウェーハの表層部のＣＯＰを低減することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、１３２５℃以上１４００℃以下の範囲内の第１の最高到達温度まで昇温して前記第１の最高到達温度を保持した後、５０℃／秒以上２５０℃／秒以下の降温速度で降温する第１の熱処理を行う工程と、前記第１の熱処理を行ったシリコンウェーハを、非酸化性ガス雰囲気中、９００℃以上１２００℃以下の範囲内の第２の最高到達温度まで昇温して前記第２の最高到達温度を保持した後、降温する第２の熱処理を行う工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの製造時においてニッケル等の金属不純物が内方拡散された場合であっても、コストが大きく増加することなく、シリコンウェーハの表面のみならず、ウェーハ内部に含まれるニッケル等の金属不純物の低減を図ることができるシリコンウェーハの清浄化方法及びそれを用いたシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコンウェーハの清浄化方法は、ＣＺ法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中、発光波長を１０００ｎｍ以上に制御した光を照射するランプ加熱により、１００℃以上８００℃以下の最高到達温度まで昇温して、前記最高到達温度を１秒以上６０秒以下保持する熱処理を行うことで前記シリコンウェーハの表面に金属不純物を偏析させる工程と、前記偏析させた金属不純物を除去する工程と、を備える （もっと読む）

【課題】基板上の照度分布の不均一を容易に是正することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバー６内にて保持プレート７によって半導体ウェハーＷが保持される。チャンバー６の上方に設けられたフラッシュ光照射部５には複数の点光源のフラッシュランプＦＬがハニカム状に配列されている。フラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光は、光を拡散するディフューザ５５を透過した後にチャンバー６内に入射して半導体ウェハーＷの表面に照射される。点光源のフラッシュランプＦＬであれば、半導体ウェハーＷの表面に照度分布の不均一が生じていたとしても、その不均一箇所に対応するフラッシュランプＦＬのみの強度を調整して照度分布の不均一を容易に是正することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンゲルマニウム層の弛緩を抑制しつつ、高誘電率膜の結晶化を促進することができる熱処理方法を提供する。
【解決手段】ゲルマニウム濃度が相対的に低濃度のシリコンゲルマニウムの両側を高濃度のシリコンゲルマニウムにて挟み込んだシリコンゲルマニウム層を半導体ウェハー上に形成する。その低濃度のシリコンゲルマニウムの上に二酸化ケイ素の膜を挟んで高誘電率膜を形成する。この半導体ウェハーにフラッシュランプから第１照射を行ってその表面温度を予備加熱温度Ｔ１から目標温度Ｔ２にまで３ミリ秒以上１秒以下にて昇温する。続いて、フラッシュランプから第２照射を行って半導体ウェハーの表面温度を目標温度Ｔ２から±２５℃以内の範囲内に３ミリ秒以上１秒以下維持する。これにより、シリコンゲルマニウム層の歪みの緩和を抑制しつつ、高誘電率膜の結晶化を促進することができる。 （もっと読む）

【課題】フラッシュ光照射時の基板の割れを防止することができる熱処理方法を提供する。
【解決手段】保持部７の均熱リング７４に支持された半導体ウェハーＷの上面にフラッシュランプから第１のフラッシュ光照射を行うことによって、半導体ウェハーＷを均熱リング７４から跳躍させて浮上させている。そして、半導体ウェハーＷが均熱リング７４から浮上している間に、フラッシュランプから半導体ウェハーＷの上面に第２のフラッシュ光照射を行い、その半導体ウェハーＷの上面の温度を処理温度にまで昇温している。半導体ウェハーＷが浮上して何らの拘束も受けていない状態で第２のフラッシュ光照射が行われるため、半導体ウェハーＷの割れを防止することができる。 （もっと読む）