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Fターム[4G077CF00]の内容

結晶、結晶のための後処理 (61,211) | 液相成長−融液からの引出し (1,571)

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【課題】製造工程でのルツボの取り違えを防止することができるシリカガラスルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】シリカガラスルツボの外形を規定するモールドの内面にシリカ粉を堆積させてシリカ粉層を形成するシリカ粉層形成工程と、前記モールド内で前記シリカ粉層をアーク加熱により溶融させると共に前記シリカガラス層と前記モールドの間に未溶融シリカ粉層が残留するようにアーク加熱を終了するアーク加熱工程と、取り出した前記シリカガラスルツボの外面にある未溶融シリカ粉層を除去するホーニング工程とを備え、前記ホーニング工程の前に、1又は複数の溝線で構成された識別子を前記シリカガラスルツボの外面にマーキングするマーキング工程をさらに備える。前記溝線は、前記ホーニング工程後の深さが0.2〜0.5mmであり、前記溝線の開口部での幅が0.8mm以上である。 (もっと読む)


【課題】作業者の負担を軽減でき且つ坩堝を支持台に対して適正な位置に装填することができる単結晶棒育成設備を提供する。
【解決手段】移動操作手段27にて坩堝支持体26を昇降台23上からそれより育成装置1が位置する側に位置させた装填用位置に移動させる第2移動動作、及び、この第2移動動作完了後に昇降台23を坩堝3が支持台13に装填される高さに下降させる第3移動動作により、坩堝3を支持台13に載置させるべく、坩堝搬送車の走行作動、昇降台の昇降作動、及び、移動操作手段27の移動作動を制御する制御手段と、第3移動動作を実行するときに坩堝支持体26を水平方向に自由移動する状態に支持する支持手段29と、第3移動動作により下降される坩堝支持体26を水平方向に案内して支持台13に対する適正位置に位置決めする案内位置決め手段43とを備えて構成する。 (もっと読む)


【課題】陽電子放出核種断層撮影装置、シングルフォトン断層法、コンピューター断層撮影装置等に有用な、高発光量・短蛍光寿命を有するシンチレータ単結晶、並びに該単結晶の製造法の提供。
【解決手段】RERE’(F1−dで表されることを特徴とするハロゲン置換フッ化物シンチレータ材料。(REはCe,Prのいずれか1種以上、RE’はLa,Gd,Yb,Lu,Yから選ばれた1種又は2種以上、Mは、Li,Na,K,Cs,Rb,Mg,Ca,Sr,Ba,Alから選ばれた1種又は2種以上、XはCl,Br,Iから選ばれた1種又は2種以上である。)該単結晶の製造法は、前記で表される組成の融液から、マイクロ引き下げ法により単結晶を育成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 高温下での粘度が高く、かつ高純度の石英ガラスルツボとその製造方法を提供する。
【手段】 石英粉のガラス化の際に、高電圧を印加して金属不純物を除去する高純度石英ガラス材の製造方法において、アルミニウムとリチウムを含有した石英粉を用い、アルミニウムによってガラスの粘度を高める一方、リチウムによって電気抵抗を下げて精製効果を高めることを特徴とし、例えば、回転モールド法による石英ガラスルツボの製造方法において、少なくともルツボの外周部分にアルミニウム濃度5〜45ppmおよびリチウム濃度がアルミニウム濃度の2%以上の石英粉を用いて製造されたルツボであって、1500℃での粘度が9.6×109ポイズ以上であることを特徴とする石英ガラスルツボとその製造方法、およびこの石英ガラスルツボを用いたシリコン単結晶の引き上げ方法。 (もっと読む)


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