【課題】β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶の双晶密度を許容値以下とすることが可能なβ−Ｇａ_２Ｏ_３結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＥＦＧ（Edge-defined film-fed growth）法によるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶２５の成長時における双晶密度が許容値以下となるように、許容値が小さいほど種結晶２０の引き上げ方向に対するβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶２５の肩広げ角度θの目標値を大きく設定する第１ステップと、第１ステップで設定した目標値の肩広げ角度でβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶２５が成長するように結晶成長時における温度又は種結晶２０の引き上げ速度を制御して、β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶を成長させる第２ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】双晶化を効果的に抑えることのできるβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】ＥＦＧ（Edge-defined film-fed growth）法を用いたβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶２５の成長方法であって、種結晶２０をＧａ_２Ｏ_３系融液に接触させる工程と、種結晶２０を引き上げ、ネッキング工程を行わずにβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶２５を成長させる工程と、を含み、すべての方向においてβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶２５の幅が種結晶２０の幅の１１０％以下とする。 （もっと読む）

【課題】双晶化を効果的に抑えることのできるβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】ＥＦＧ（Edge-defined film-fed growth）法によるβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶の製造において、β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶をその（１０１）面に平行な方向に成長させ、（１０１）面内における＜１０−１＞方向と成長方向とのなす角度φ（０°≦φ＜９０°）を９０°未満とする。ＦＺ（Floating Zone）法等の他の結晶成長方法を用いた場合であってもβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶２５の双晶化を効果的に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】チッピングやクラック、剥離等を無くした、酸化ガリウム基板の提供と、酸化ガリウム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム基板１６の（100）に対して90±5度で交わり、かつ(100)を除く面で構成される主面１５に対しても90±5度で交わり、さらに主面１５の中心点を通る法線を回転軸として、回転角度にして±5度の誤差内で、主面１５の周縁部に形成された第１のオリエンテーションフラット１４を形成し、更に酸化ガリウム基板１６の主面１５の中心点を対称点にして第２のオリエンテーションフラット１７を他方の主面周縁に形成し、酸化ガリウム基板１６の直径をWD、第１のオリエンテーションフラット１４と第２のオリエンテーションフラット１７のそれぞれの直径方向における奥行きをOLと表したとき、OLを0.003×WD以上0.181×WD以下の範囲に設定して、酸化ガリウム基板１６を作製する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における、結晶回転軸に垂直な方向の成長偏りを抑制し、高効率に単結晶を製造するための結晶成長方法を提供する。
【解決手段】炉内に設置されたるつぼ１１内の原料溶融体に対して鉛直方向に上低下高の温度分布を形成し、種子結晶１７を原料溶融体表面に接触させ、原料溶融体を冷却する事により、種子結晶１７を核として結晶１９を成長させる結晶成長方法であって、結晶回転軸に対する垂直面内で成長速度が異なる方位を有する結晶１９を成長させる結晶成長方法において、種子結晶１７の原料溶融体表面に接触している面は長方形であり、かつ、長方形の長辺を成長速度が早い方位と平行にすることを特徴とする結晶成長方法。 （もっと読む）

【課題】Ｃ軸が表面に垂直に配向した小型単結晶基板の、効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃ軸が矢印Ｃの方向に配向する第１のシード２を準備し（ステップ１）、続いて引下げ法を用い、第１のシード２におけるＣ軸と平行な平面と原材料融液の漏出部とを接触させ、接触部分より結晶の成長を開始する（ステップ２）。Ｃ軸とは異なるｈ方向に第１のシード２を引下げることにより、結晶の延在方向とは異なる方向にＣ軸が配向した円筒状の単結晶が得られる（ステップ３）。続いて、前記単結晶を第２のシード４とし、Ｃ軸の配向方向と引下げ方向とが直交する配向状態で、漏出孔から漏出する原材料融液と接触させた後、シード４を引下げることによって、第２のシード４と同じ方向にＣ軸配向する単結晶５が成長を開始し、単結晶６が５本同時に育成される（ステップ４，５）。これを切り出すことによって、５本の棒状の単結晶母材が得られる(ステップ６)。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウム単結晶の再現性を確保することができる酸化ガリウム単結晶の製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶の製造装置１は制御部５０を備えている。制御部５０は、所望する酸化ガリウム単結晶の重量を特定する。また、制御部５０は、特定された重量の酸化ガリウム単結晶の製造過程における酸化ガリウムを含む原料の蒸発量を算出する。そして、制御部５０は、特定された酸化ガリウム単結晶の重量と、算出された酸化ガリウム原料の蒸発量とに基づいて、所望する酸化ガリウム単結晶の重量を製造するのに必要な酸化ガリウム原料の重量を算出する。 （もっと読む）

【課題】溶液法によって大口径のＳｉＣ単結晶を連続的に成長させる方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ融液中にＣが溶け込んだＳｉＣ溶液１０２からＳｉＣ単結晶１２０を製造する方法であって、ＳｉＣ溶液１０２を収容した黒鉛坩堝１０４の上部開口端１１２で、円板状のＳｉＣ種結晶１１４のａ面を含む円周面をＳｉＣ溶液１０２に側方から接触させ、種結晶１１４の円周面にＳｉＣ単結晶１２０を成長させつつ、成長の速度に同期させて、円板状のＳｉＣ種結晶１１４を板面に垂直なｃ軸周りであるＲ方向に回転させると同時に回転の軸１１６を上部開口端１１２からＴ方向に遠ざけることにより成長するＳｉＣ結晶１２０を巻き取って、連続的に円板状のＳｉＣ単結晶１２０を成長させる。 （もっと読む）

【課題】複雑な断面形状を有する単結晶を製造する引下げ方法を提供する。
【解決手段】坩堝１１下部の原材料融液９の漏出孔開口が形成される面を傾斜面とし、開口を傾斜面上部に配置する。単結晶の断面形状に対応するパターンを傾斜面に形成する。また、シード７は融液９との接触面に単結晶の断面形状に対応するパターンを形成し且つ接触面を坩堝１１側の傾斜面と同じ傾斜を有した面とする。シードタッチではシード７最上部と坩堝１１のパターン最下部とを接触させた後シード７を傾斜面に沿って平行移動させ、最終的に各々のパターンを相対するように配置させることでパターン全域のシードタッチを完了する。 （もっと読む）

【課題】酸化物等の介在物や不純物元素が鋳塊内に混入することなく高品質な鋳塊が得られるとともに、引き抜き速度を上昇させて生産効率を大幅に向上させることが可能な連続鋳造方法、連続鋳造装置及びこれにより得られる鋳塊を提供する。
【解決手段】溶湯１を一方向凝固させて得られた鋳塊２を連続的に製出する連続鋳造装置１０であって、溶湯１を保持する溶湯保持部２０と、水平方向一方側端部が溶湯保持部２０の下方に位置させられた鋳型３０と、を備え、鋳型３０は、水平方向他方側に向かうにしたがい漸次下方に向かうように水平面に対して傾斜して延在する底面部３１を有し、底面部３１に冷却手段３５が設けられており、溶湯保持部２０から供給された溶湯１を冷却手段３５によって一方向凝固させ、得られた鋳塊２を鋳型３０の底面部３１に沿って連続的に引き抜くことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シーメンス法による多結晶シリコンの製造において、シリコンロッドを長手方向で均等に成長させ、シリコンロッドの倒壊事故を防止する。
【解決手段】電極の頂部中心をＡ点、原料ガス供給ノズルの頂部中心をＢ点、電極中心線からの水平方向の離間距離をＤ、Ａ点レベルから下方へのレベル差をＬとしたとき、前記複数本の電極の全てが下記の条件１、２、３を共に満足する。 １：Ｄ＝８０〜４５０ｍｍを満足する電極回りの領域Ａ₁ 内で、Ｄ／Ｌ＝６を満足する面Ｘより下でＤ／Ｌ＝０．８を満足する面Ｙ₁ より上の領域Ｂ₁ 内に少なくとも１個のＢ点が存在する。 ２：Ｄ＝８０〜４５０ｍｍを満足する電極回りの領域Ａ₁ 内で、Ｄ／Ｌ＝０．８を満足する面Ｙ₁ より下でＬ＝６００ｍｍを満足する面Ｚより上の領域Ｃ₁ 内にＢ点が存在しない。 ３：Ｄ＝８０ｍｍ未満を満足する電極回りの領域Ｄ内で、Ｌ＝６００ｍｍを満足する面Ｚより上の領域Ｅ内にＢ点が存在しない。 （もっと読む）

【課題】 良好な品質の圧電単結晶（Ｌａ₃Ｇａ₅ＳｉＯ₁₄の単結晶、Ｓｒ₃Ｇａ₄Ｇｅ₂Ｏ₁₄の単結晶）の育成を、マイクロ引き下げ法により十分な速度で実施する。
【解決手段】 坩堝２の底面のダイ部９の直下の位置と、そこから１０ｍｍ下方の位置との温度差をΔＴ（℃）と定め、また育成時の種結晶４の引き下げ速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）と定める。このとき、温度差ΔＴが１０℃≦ΔＴ≦２５℃の場合に、引き下げ速度Ｖが０．０５ｍｍ／ｍｉｎ≦Ｖ≦１．５ｍｍ／ｍｉｎの範囲の条件において前記の圧電単結晶を育成するか、もしくは温度差ΔＴが２５℃≦ΔＴ≦５０℃の場合に、引き下げ速度Ｖが０．０５ｍｍ／ｍｉｎ≦Ｖ≦０．３ｍｍ／ｍｉｎの範囲の条件において前記の圧電単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】 フィルター、発振子、ジャイロ等の波動デバイスに用いられる圧電単結晶振動子、およびこれらを用いたデバイスの小型化、高感度化を可能にすることができる、電気機械結合係数ｋ₁₂が化学式Ｓｒ₃Ｇａ₂Ｇｅ₄Ｏ₁₄のランガサイト系単結晶よりも大きい、１８％以上であり、エッチングレートが水晶よりも速い、０．８μｍ／ｍｉｎ以上である材料を提供する。
【解決手段】 化学式Ｍ１_XＭ２_3-XＧａ_5-XＳｉ_X+1Ｏ₁₄（式中Ｍ１は２価金属、Ｍ２は３価金属）で表され、０．１≦Ｘ≦１．５であることを特徴とする圧電単結晶組成物である。化学式中、Ｍ１はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａの少なくとも１種以上、また、Ｍ２はＬａ、Ｎｄ、Ｐｒの少なくとも１種以上であることが望ましい。 （もっと読む）

液相（５）中の材料の指向性凝固によって結晶性材料のシート（８）を製造する装置は、底（２）と、側壁（３）と、側壁（３）の底部に配置された少なくとも１個の水平出口スロット（４）とが設けられた坩堝（１）で構成されている。坩堝（１）が少なくともスロット（４）の高さで、液相（５）中の材料に磁気反発力を作り出す電磁手段（６）をスロット（４）の直ぐ近くにある外部表面に提供する。１０ｋＨｚと３００ｋＨｚとの間に含まれる周波数をもつ交流電流が電磁手段（６）の中を流れる。液相（５）中の材料の撹拌を助けるため、低周波数が上記の周波数に加えて使用される可能性がある。
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【課題】結晶欠陥がなく、高品質かつ大型の板状であり、半導体レーザ励起固体レーザ用途等に好適な希土類バナデイト単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】縁部限定薄膜供給結晶成長法（ＥＦＧ法）による希土類バナデイト単結晶の製造方法において、方位［１１０］の種結晶４を用いて、［１１０］方位に結晶を育成することにより、結晶幅が緩やかに広がった肩部６を有する板状の希土類添加希土類バナデイト単結晶を作製する。 （もっと読む）

【解決手段】窒素ドープされた多結晶シリコンおよび該多結晶シリコンからなる多結晶シリコン基体。好ましくは、赤外吸収スペクトルにおいて、９６３±５ｃｍ^-1および／または９３８±５ｃｍ^-1の波数位置にピークを有する。ならびに、窒素含有シリコン融液を調製する工程を含む多結晶シリコン基体の製造方法、および上記基体を用いた光電変換素子。
【効果】窒素ドープされた多結晶シリコン基体を用いた光電変換素子は、従来と比較して変換効率が高く、コストパフォーマンスが高い。 （もっと読む）

【課題】余分なコストを発生させることなく、充分な量の輻射熱を融液表面と坩堝との接触領域に向けて反射できる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】溶融シリコン２を貯留する坩堝３が加熱手段である高周波誘導コイル７によって加熱されるときに、溶融シリコン２表面からの輻射熱を反射する熱遮蔽板１１が、溶融シリコン２表面からの輻射熱を溶融シリコン２表面と坩堝３との接触領域２ａ，２ａ’に向けて反射させるようにする。また、熱遮蔽板１１は、可動式とする。 （もっと読む）

【課題】上述したタイプの方法および結晶化シリコンのさらなる開発という課題に基づき、ここでは、強制的に対応する炭素含有量の増加を生じることなく、酸素含有量の増加が達成できる。
【解決手段】成形用部品を使用しながらＥＦＧ法により結晶化シリコンを製造する方法であって、前記部品とシリコン融液との間で成長領域において結晶化シリコンが成長し、前記シリコン融液および／または引き上げゾーンに不活性ガスならびに少なくとも水蒸気が導入され、前記水蒸気により前記結晶化シリコン中の酸素含有量を高める製造方法により、酸素含有量の増加が可能であって、炭素含有量を増加させることなく、不活性ガスにさらなる流体として水蒸気を混入させる方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】融液からチューブを引き上げることによってシリコンのような材料から結晶質のチューブを製造する方法を提供する。
【解決手段】坩堝１６に供給された材料を加熱要素２２，２４により溶融して製造した融液は、チューブの形状を定める毛管ギャップを通りメニスカスを形成し、上方の先端区域で凝固しながら、引き上げ手段４８によって、矢印５０の方向に持ち上げられ、多角形のチューブが製造される。多角形の各々の辺ごとに１つの融液の区域が割り当てられている。各々の辺の温度は別々に制御される。 （もっと読む）

【課題】固液境界面の面内温度分布及び引下げ方向における温度勾配に優れた、良好なシンチレーション特性を有する結晶を育成可能な引下げ装置を提供する。
【解決手段】坩堝１１及び坩堝外周を囲むように配置されるチューブ１５を高周波が導通可能な高融点材料より構成することとし、このような配置によって高周波の導入による発熱を、該チューブ１５が主となると共に坩堝１１を従とすることとする。また、坩堝及び該チューブを、各々引下げ軸方向の相対的な移動を可能とする。 （もっと読む）