【課題】還元雰囲気や不活性ガス雰囲気下におけるドナー濃度の変化が抑えられたβ−Ｇａ_２Ｏ_３系基板の製造方法、及び還元雰囲気や不活性ガス雰囲気下において品質のばらつきの小さい高品質な結晶膜をエピタキシャル成長させることのできる結晶積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＶ族元素を含むβ−Ｇａ_２Ｏ_３系結晶からβ−Ｇａ_２Ｏ_３系基板を切り出す工程を含み、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気の少なくともいずれか一方を含む雰囲気下でのアニール処理が、前記β−Ｇａ_２Ｏ_３系基板を切り出す前の前記β−Ｇａ_２Ｏ_３系結晶、又は切り出された前記β−Ｇａ_２Ｏ_３系基板に施される、β−Ｇａ_２Ｏ_３系基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルの逆方向漏れ電流を低減することができ、太陽電池セルおよび太陽電池モジュールの歩留まりを向上して、製造コストを低減することができるシリコンリボン、球状シリコン、およびこれらの製造方法、ならびにこれらを用いた太陽電池セルおよび太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】融液から直接作製されるシリコンリボン、球状シリコンであって、シリコンリボン、球状シリコンの窒素濃度が５×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上５×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるシリコンリボン、球状シリコン、およびこれらの製造方法、ならびにこれらを用いた太陽電池セルおよび太陽電池モジュールである。 （もっと読む）

【課題】Ｃ軸が表面に垂直に配向した小型単結晶基板の、効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃ軸が矢印Ｃの方向に配向する第１のシード２を準備し（ステップ１）、続いて引下げ法を用い、第１のシード２におけるＣ軸と平行な平面と原材料融液の漏出部とを接触させ、接触部分より結晶の成長を開始する（ステップ２）。Ｃ軸とは異なるｈ方向に第１のシード２を引下げることにより、結晶の延在方向とは異なる方向にＣ軸が配向した円筒状の単結晶が得られる（ステップ３）。続いて、前記単結晶を第２のシード４とし、Ｃ軸の配向方向と引下げ方向とが直交する配向状態で、漏出孔から漏出する原材料融液と接触させた後、シード４を引下げることによって、第２のシード４と同じ方向にＣ軸配向する単結晶５が成長を開始し、単結晶６が５本同時に育成される（ステップ４，５）。これを切り出すことによって、５本の棒状の単結晶母材が得られる(ステップ６)。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウム単結晶の再現性を確保することができる酸化ガリウム単結晶の製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶の製造装置１は制御部５０を備えている。制御部５０は、所望する酸化ガリウム単結晶の重量を特定する。また、制御部５０は、特定された重量の酸化ガリウム単結晶の製造過程における酸化ガリウムを含む原料の蒸発量を算出する。そして、制御部５０は、特定された酸化ガリウム単結晶の重量と、算出された酸化ガリウム原料の蒸発量とに基づいて、所望する酸化ガリウム単結晶の重量を製造するのに必要な酸化ガリウム原料の重量を算出する。 （もっと読む）

半導体材料薄片製造用の成形装置は成形型枠及び担体バンドを有する。成形型枠は、溶融半導体材料を保持するよう側壁を有する構成とし、側壁のうちの出口側壁は、半導体材料薄片の産出位置に配置する。出口側壁には、出口スリットを設ける。成形装置は、さらに、出口スリットの位置で、溶融半導体材料に対して局部的な相対的に増大した、外力を加えて、前記出口スリットで溶融半導体材料に対する外圧を局部的に増大させる局部的力印加手段を備える。 （もっと読む）

【課題】既存の育成炉を改造することなく用いて、融液に種結晶を接触させて結晶成長させるバッチ生産方式により、より大きいサイズの酸化ガリウム単結晶を効率良く量産できる酸化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウムを含む原料の密度を高密度化する高密度化工程と、高密度化処理された原料を坩堝内にて溶融し、１バッチ分の融液２を得る溶融工程と、融液２に種結晶１０を接触させることにより、融液２から酸化ガリウム単結晶１３を結晶成長させる結晶成長工程と、を少なくとも経て、酸化ガリウム単結晶１３を製造する酸化ガリウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】比較的低コストで高品質の単結晶シリコンリボンを製造できる新規な装置および／またはシステムを提供することにある。
【解決手段】単結晶シリコンリボンの形成装置を提供する。本発明のシリコンリボンの形成装置はるつぼを有し、このるつぼ内でシリコン融成物が形成される。融成物は、るつぼから実質的に垂直方向に流出して、凝固前にシリコン種結晶と接触できる。リボンへの凝固にしたがって、制御された条件下でリボンの更なる冷却が行われ、リボンは最終的に切断される。また、上記装置を使用して単結晶シリコンリボンを形成する方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】サファイア単結晶の生産効率に優れるαアルミナを提供する。
【解決手段】本発明は、１個あたりの体積が０．０１ｃｍ³以上であり、形状が球状、円柱状および俵状のいずれかからなり、比表面積が１ｍ²／ｇ以下であり、相対密度が８０％以上であり、集合体としてのかさ密度が１．５〜２．３ｇ／ｃｍ³であり、純度が９９．９９質量％以上であり、Ｓｉ、Ｎａ、Ｃａ、Ｆｅ、ＣｕおよびＭｇの含有量がそれぞれ１０ｐｐｍ以下であるサファイア単結晶製造用αアルミナを提供するものである。 （もっと読む）

【課題】 衝突流体によるシリコンシートの形成が開示される。
【解決手段】 結晶体を形成するための技術が概して開示される。結晶体を形成するための例示的システム、装置、または方法は、溶融結晶材料を収容するためのるつぼと、端部に種を収容するための支持体であって溶融結晶から種結晶を引き上げる引張り方向の並進移動軸に沿って移動可能であることにより成長経路に沿って結晶体の成長を開始させる支持体と、を含むことができる。別の例は、流体源に結合されるように構成された１つまたは複数のノズルであって、溶融結晶が成長経路に沿って引張り方向に引き上げられるにつれて結晶体を成形するための成長経路に対し相対的に配置された複数のノズルを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】サファイアを含むいろいろな単結晶を提供すること。
【解決手段】単結晶は、幅が約15cm以上、厚さが約0.5cm以上を含めた望ましい幾何学的性質を有する。また、単結晶は、例えば最大厚さ変動のような、他の特徴も有し、形成時の結晶は、略対称なネック部分、特にネックから本体への移行に関して略対称なネック部分を有する。このような結晶を作製する方法、及びその方法を実施するための装置も開示される。 （もっと読む）

材料の溶融物を冷却し、溶融物内に材料の固体のシートを形成する。シートは移送され、切断されて少なくとも１つのセグメントになり、セグメントは冷却室で冷却される。その材料はシリコン、シリコンゲルマニウム、ガリウム、および窒化ガリウムを用いることができる。冷却室はシートの応力または歪みを防止するよう構成される。一例を挙げると、冷却はガス冷却で行う。 （もっと読む）

リボン結晶は、本体と、本体内の末端ストリングと、を有する。少なくとも１つの末端ストリングは、ほぼ凹面断面形状を有し、少なくとも２つの個々のストリングから形成される。上記本体は、厚さの寸法を有し、前記少なくとも２つの個々のストリングは、概して、該本体の厚さの寸法に沿って離間され、該少なくとも２つの個々のストリングは、ほぼ細長い凹面断面形状を形成する。上記少なくとも２つの個々のストリングの間に、本体材料をさらに備える。上記少なくとも２つの個々のストリングは、物理的に接触する。
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シートを形成する方法および装置が開示される。融液を冷却して、融液上にシートを形成する。このシートは第１の厚みを有する。シートはその後、第１の厚みから第２の厚みに、例えばヒータまたは融液を利用して、厚みを低減させられる。冷却は、シートにおける一定の領域に溶質を捕捉するよう構成されてよく、この特定のシートの厚みを低減させて溶質を取り除く。溶質は例えば、シリコン、シリコンとゲルマニウムとの組み合わせ、ガリウム、および窒化ガリウムであってよい。 （もっと読む）

本発明にかかるシート製造装置は、溶融物を保持する溝を備える容器を有する。溶融物は、溝の第１のポイントから第２のポイントに流れるように構成される。冷却プレートが、溶融物に近接して配置され、溶融物上にシートが形成される。スピルウェイは、溝の第２のポイントに配置される。このスピルウェイを、溶融物からシートを分離させるように構成する。 （もっと読む）

【課題】従来の粒状多結晶シリコンは、用途によっては、粒状物を再装填するのに用いられる工程に関わりなく、純度が低すぎる。
【解決手段】本発明の流動性チップは、化学的気相成長法で製造されかつ０．０３ｐｐｍａを超えないレベルのバルク不純物と１５ｐｐｂａを超えないレベルの表面不純物とを有する多結晶シリコン片で構成される多結晶シリコン片群であって、しかも制御された粒度分布を有しかつ概して非球状モルフォロジィを有する多結晶シリコン片群から成る。 （もっと読む）

ｒ平面単結晶サファイアを生産するための方法および装置が開示される。この方法および装置はリネージの不在を示す単結晶材料の生産のための縁端限定膜供給成長技術を使用し得る。
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結晶製品は、単結晶セラミック繊維、テープ、またはリボンを含む。該繊維、テープ、またはリボンは、その長さに沿って少なくとも１つの結晶学的ファセットを有し、その長さは、概して、少なくとも１メートルである。サファイアの場合、ファセットは、Ｒ面、Ｍ面、Ｃ面、またはＡ面ファセットである。超電導製品を含むエピタキシャル製品は、該繊維、テープ、またはリボン上に形成することができる。
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リボン結晶は、幅の寸法を有する本体と、本体内に埋入されるストリングとを有する。ストリングは、ほぼ細長い断面形状を有する。（ストリングの）この断面は、リボン結晶本体の幅の寸法によって逸れる、ほぼ長手方向の軸を有する。また、本発明はリボン結晶を形成する方法を提供し、該方法は、１組のストリングを提供することであって、該１組のストリングは、それぞれ、ほぼ細長い断面形状を有し、各ストリングの断面は、ほぼ長手方向の軸を有する、ことと、溶融材料をるつぼに追加することと、該１組のストリングを所与の方向において該溶融材料を通過させて、該溶融材料を界面上方で凝固させてシートを形成することであって、該シートは、該１組のストリングの該所与の方向にほぼ垂直である幅の寸法を有する、こととを含む。
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リボン結晶を処理する方法は、ストリングリボン結晶を提供し、ストリングリボン結晶の少なくとも１つの縁を除去する。上記少なくとも１つの縁はストリングを備え、除去することは、１つの縁の該ストリングの大部分を除去することを包含し得る。また、除去することは、ストリングリボン結晶上に実質的に平面の縁を形成することを包含し得る。本発明はさらにストリングリボンウエハを提供し、該ストリングリボンウエハは、複数の大粒子と複数の小粒子とを備える複数の粒子を含む本体を備えている。
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リボン結晶引き上げ炉は、１つ以上のリボン結晶の少なくとも一部を封入するための内部と、内部内に位置付けられたアフターヒータと、を有する。アフターヒータは、炉内の温度プロファイルの制御を容易にする、１つ以上の開口を伴う少なくとも１つの壁を有する。
本発明は、さらに、１つ以上のリボン結晶の少なくとも一部を受容するための内部を形成することと、該内部内にアフターヒータを提供することであって、該アフターヒータは、少なくとも１つの壁を有し、該壁は、１つ以上の開口を有する、こととを包含する、リボン結晶引き上げ炉を生成する方法も提供し得る。
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