【課題】被処理物収容部から被処理物を投入可能な状態のままで被処理物通路の出口端を移動させることが容易で作業性の良い被処理物投入装置用のパイプユニットを提供する。
【解決手段】被処理物を収容する被処理物収容部と、被処理物が気密状態で通過して出口端１２ａから処理装置に投入可能な被処理物通路１２と、前記被処理物収容部から前記被処理物通路１２へと被処理物を気密状態で取り出し可能な被処理物取出機構と、前記被処理物通路１２の処理装置側と被処理物収容部側とを遮断可能な閉鎖部１４と、前記被処理物通路１２のうちで前記閉鎖部１４よりも被処理物収容部側の位置にて、前記被処理物通路を分離及び接合可能なジョイント部１５とが設けられた被処理物投入装置に用いられ、前記被処理物通路１２の一部を構成するもので、被処理物の入口となるパイプ入口端と、同出口となるもので、前記被処理物通路の出口端と一致するパイプ出口端とを有し、前記パイプ入口端の位置を固定したままで伸縮可能である。 （もっと読む）

【課題】ピンホールの形成を大幅に抑制し、実質的に防止することができるシリコン単結晶インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法の多結晶シリコンの充填工程において、供給される多結晶シリコン塊Ｓとしてスモールサイズ多結晶シリコンＳ１は用いられておらず、ミドルサイズ多結晶シリコン塊Ｓ２とラージサイズ多結晶シリコン塊Ｓ３のみが用いられている。また、多結晶シリコンの充填工程において、多結晶シリコン塊Ｓを無作為に坩堝１内へ供給する。 （もっと読む）

【課題】坩堝の損傷や破損を防止すると共に育成されるシリコン単結晶インゴットの単結晶化率や品質の低下を抑制しつつ、大きな塊の多結晶シリコンをリチャージすることができる多結晶シリコン原料のリチャージ方法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコン塊のリチャージにおいて、最初にスモールサイズ多結晶シリコン塊又はミドルサイズ多結晶シリコン塊Ｓ２である緩衝層形成多結晶シリコン塊Ｓｂが投入され、緩衝層形成多結晶シリコン塊Ｓｂが坩堝２０内のシリコン融液４０の表面４１に積層されて緩衝層５０を形成する。次いでこの緩衝層５０上に大きな大きさのラージサイズ多結晶シリコン塊Ｓ３が投入されるので、緩衝層５０が落下するラージサイズ多結晶シリコン塊Ｓ３の衝撃を緩衝する。 （もっと読む）

【課題】結晶中への気泡の混入をより高いレベルまで防ぐことができる結晶成長方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る結晶成長方法は、固体原料を融解して溶融原料を製造する溶融工程の後、結晶を成長させる結晶成長工程の前に、溶融原料が突沸しない圧力まで減圧し、又は突沸しない温度まで昇温し、前記溶融原料に混入している気泡を前記溶融原料から放出させる脱気工程を有する。前記減圧による到達圧力は５〜２０Ｔｏｒｒが好ましい。前記溶融原料は予め融解された状態で結晶成長用坩堝に供給され、前記脱気工程は、前記溶融原料が前記結晶成長用坩堝に供給される前に行なわれてもよい。前記脱気工程において、前記溶融原料が攪拌されてもよく、この場合の攪拌は、前記溶融原料を収容する坩堝の上方に、前記溶融原料の液面に対し進退自在に設けられた石英棒で行われてもよい。 （もっと読む）

【課題】被処理物を炉体の中央に対して近い位置で投入可能な被処理物投入装置を提供する。
【解決手段】内部に設けられた炉体にて被処理物を溶融する処理装置に対し、被処理物を外部から投入するための被処理物投入装置において、前記処理装置の内部に投入される被処理物が通過可能な被処理物通路１２を備え、前記被処理物通路１２のうちで、被処理物の前記通過方向を基準とした下流端１２ａが、前記炉体の中央を通る垂直線Ｃを含む中央領域の位置と、前記中央領域から外れた位置との間で移動可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】処理装置の内部の特殊な雰囲気を崩すことなく、被処理物の被処理物投入装置への補充を行うことができる被処理物投入装置を提供する。
【解決手段】被処理物を気密状態で処理する処理装置Ｆ１に対し、被処理物を外部から気密状態で投入するための被処理物投入装置において、被処理物を一時的に収容可能で、被処理物を収容する際に用いる開閉可能な収容口１１１ｃを有する被処理物収容部１１と、前記処理装置Ｆ１の内部に投入される被処理物が気密状態で通過可能な被処理物通路１２、及び、前記被処理物収容部１１から前記被処理物通路１２へと被処理物を気密状態で取り出し可能な被処理物取出機構１３を有する搬送部１ｂとを備え、前記搬送部１ｂには、前記搬送部１ｂの処理装置側と被処理物収容部側とを気密に遮断可能な閉鎖部１４と、前記搬送部１ｂのうちで前記閉鎖部１４よりも被処理物収容部側の位置にて、前記搬送部１ｂを分離及び接合可能なジョイント部１５とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】溶解炉の坩堝内の融液面上に固体原料の追加チャージやリチャージを行う際の操業効率を向上させ、これによって溶解炉を用いた各種操業の生産性を改善することができる溶解炉への原料供給装置及び原料供給方法を提供する。
【解決手段】融液を貯留する溶解炉の坩堝内に固体原料を供給する原料供給装置Ｓであり、切出弁５を有して固体原料が装入される供給タンク１と、この供給タンク１の下方に配設され、投入弁６を有して供給タンク１から小分けに切り出された固体原料が装填される投入カップ２と、切出弁５及び投入弁６の弁開閉操作を行う弁操作手段３とを備え、供給タンク１から坩堝内への固体原料の供給時には、弁操作手段３により供給タンク１内の固体原料を小分けして投入カップ２に切り出し、次いで投入カップ２内に装填された固体原料を坩堝内に投入する弁開閉操作を行う。 （もっと読む）

【課題】石英ルツボの劣化を招くことがなく、また取り扱いが簡便で、しかも溶解時間を大幅に短縮して生産性を高めることができるシリコン原料の溶解方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により直径が300mm以上のシリコン単結晶を育成する場合に、石英ルツボ１ａ内に、多結晶のシリコン原料１０を複数回にわたってチャージして所定量の融液を確保する。この際、ルツボ１ａ内に初期チャージ原料１０’を投入後、この初期チャージ原料１０’を溶解する間に、追加チャージの塊状原料１０を収容した原料供給管８ａ、８ｂを、その底面がルツボ１ａ内の原料融液７の直上に位置するように降下させ、同時に加熱ヒータ１１を原料を加熱しやすい位置に調整して、原料供給管内８ａ、８ｂの塊状原料１０を予熱・加熱し、初期チャージ原料１０’が溶解後、追加チャージの塊状原料１０をルツボ１ａ内に投入する。 （もっと読む）

【課題】溶融ルツボに装入する際に落下し、または溶融時にルツボ内壁に衝突しても、ルツボを損傷しないように加工した多結晶シリコンを提供する。
【解決手段】多結晶シリコン１０は、円形または角形を有する棒状、柱状、板状の多結晶シリコン塊について、その端部、稜部ないし角部の少なくとも一つ、好ましくはその大部分ないし全部を面取りすることによって外形の鋭角部分が除去される。面取り部分１１は多結晶シリコン１０の端部、稜部および角部などの鋭角部分であり、この面取り部分１１は直線状でも湾曲状でもよい。多結晶シリコン外形の鋭角部分を面取りすることによって接触時の衝撃を緩和することができる。 （もっと読む）

【課題】一定の比抵抗を有する長い単結晶を効率よく育成できる単結晶引上げ方法を提供する。
【解決手段】単結晶引上げ方法において、溶融液４の不純物濃度が上限値を超えたら引き上げされている単結晶５下端に種結晶部７を形成させた後、単結晶５育成を一旦停止する。停止中、るつぼ３内に原料を補充し、溶融液４の不純物濃度が下限値を下回ったら種結晶部７を利用して（新たな種結晶２を装着せずに）単結晶５育成を再開する。種結晶部７形成、単結晶５育成の一旦停止、原料補充及び単結晶５育成の再開を繰り返し行う。単結晶５育成の一旦停止時に、溶融液４の不純物濃度の均一化及び溶融液面４ａの乱れの鎮静化も行う。 （もっと読む）

【課題】液体封止引き上げ法（ＬＥＣ法）によるＺｎ添加ＧａＰ単結晶の製造において、Ｚｎの蒸発による揮散を防止して、Ｚｎ添加ＧａＰ単結晶成長用融液におけるＺｎ量のばらつきを抑制する手段を提供する。
【解決手段】ルツボ３内部の底面１１を球状凹面とし、リン化ガリウム多結晶原料のうち少なくとも一部をルツボ３に嵌入できる形状および大きさの一体固形物１２ａとし、ルツボ３内部の底面１１と一体固形物１２ａの底面１３との間に閉鎖空間１６を形成し、閉鎖空間１６内にＺｎ原料１５を配置し、かつ、ＧａＰ多結晶原料１２ａ、１２ｂの上に、封止剤であるＢ₂Ｏ₃１７を載置した状態で、これらを加熱融解させる。 （もっと読む）

【課題】ｐ⁺型で炭素を添加した結晶において、全面がＣＯＰ領域で、かつ結晶面内にリング状ＯＳＦ領域が発生せず、高酸素濃度でＩＧ能力の高い単結晶を効率的に育成することが可能な、シリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶内の抵抗率が０．０１２〜０．１Ωｃｍになるようにホウ素を添加し、かつシリコン単結晶内の炭素濃度が５×１０¹⁵〜１０×１０¹⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³になるように炭素を添加して石英るつぼからｐ⁺型シリコン単結晶を引上げた後、シリコン単結晶を引上げた石英るつぼ内にシリコン原料を供給して溶融させ、石英るつぼから新たにシリコン単結晶を引上げることにより、複数本のシリコン単結晶を育成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶引き上げ過程において、石英坩堝の内壁表面に適切な結晶化層（失透）を発生させると同時に単結晶中のＬｉ濃度を制御することにより、単結晶育成時の有転位化を防止し、ウェーハに切り出した後の熱酸化処理で酸化膜厚のばらつきを抑制でき、長時間に亘る単結晶引き上げの操業に際しても単結晶歩留まりと生産性を向上させることを、低コストの定電圧電源装置を用いて行う方法を提供する。
【解決手段】原料融液３から単結晶４を引き上げた後、ヒーター２の電源１０を落とさずに残りの原料融液３に多結晶原料を追加投入して融解した後、次の単結晶４を引き上げ、これを繰り返して複数の単結晶４の引き上げを行う方法において、最初の単結晶４の引き上げを行い、その後最初の原料溶融開始から所定時間が経過してから、石英坩堝１ａの外壁と単結晶４を引き上げる引上ワイヤー又は引上シャフト５に直流電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法における多結晶シリコン原料の溶解方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法で用いられる坩堝１２内に単結晶シリコンの原料となる多結晶シリコンの塊２４ａで充填した第１層２６を形成し、前記第１層２６の上に前記多結晶シリコンの塊２４ｂで充填した第２層２８を積層し、前記第１層２６の高さは、多結晶シリコン原料を全溶解後の融液３０の液面の高さより低く形成し、前記第２層２８の外周２８ａは、前記坩堝１２の内側の側面１４ａと離間して形成する態様で溶解させる。 （もっと読む）

【課題】ドープ剤の飛散や蒸発を防ぐために一度の投入量を高精度に管理でき、更に投入量を容易に変更することができるドープ剤供給装置及びこのドープ剤供給装置を備える半導体単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】ドープ剤充填部２２の底面に配置され、ドープ剤分配部２３内に先端が延設された充填ロート管２４と、ドープ剤分配部２２の内部に配置された円筒状のドープ剤投入カップ２５と、ドープ剤投入カップに形成され、充填ロート管がドープ剤投入カップ内部に挿入される充填ロート管挿入穴２５ｂと、ドープ剤投入カップに形成され、ドープ剤投入カップ内のドープ剤をドープ剤分配部の内部に導出するドープ剤落下穴２５ａと、ドープ剤分配部に接続され、ドープ剤分配部の内部のドープ剤を石英ルツボに投入する投入管２１と、ドープ剤投入カップを揺動させる駆動手段とを備えている。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法による半導体単結晶の製造において、原料供給容器内での固形原料の破砕の発生を低減させた半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】鉛直方向を中心軸とする螺旋状に上部から下部まで半導体単結晶の原料を移動させる螺旋路１４を具備した原料供給容器１３であって、原料供給容器１３に原料を入れてから融液５に向けて出すまでの間に、前記原料供給容器１３内において鉛直方向を中心軸として螺旋を描くように固形原料を移動させる。 （もっと読む）

【課題】改良された予備加熱機構を用いてシリコン原料を予備加熱した後、誘導加熱によってシリコン原料を溶解させる。
【解決手段】シリコン原料２を収容する溶解容器１１と、シリコン原料２を取り囲む筒状の予備加熱機構１４と、予備加熱機構１４の周囲に巻回された誘導コイル１２と、誘導コイル１２に交流電流を供給する電源回路１３と、予備加熱機構の着脱を行う着脱機構１５とを備えている。そして、予備加熱機構１４を取り付けた状態で誘導コイル１２に交流電流を流すことによりシリコン原料２を予備加熱した後、予備加熱機構１４を取り外した状態で誘導コイル１２に交流電流を流すことにより、予備加熱されたシリコン原料２を誘導加熱する。これにより、シリコン原料２を誘導加熱する前に効率よく予備加熱を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】坩堝内の融液にリチャージした固形原料を効率的に融解させて高い生産性を維持しつつ、リチャージ時の融液の飛び跳ねに起因して装置内に生ずる不具合を抑止した原料供給装置、単結晶の製造装置および単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】原料の融液５を保持する坩堝４に粒塊状の固形原料を供給する原料供給装置１３であって、固形原料が内部に充填され、下方に開閉可能な開口部を有する原料充填容器１４と、原料充填容器１４の開口部の外周を囲繞するとともに、上下方向に位置可変となるように設けられ、原料供給時に坩堝４の方向に下降する管状の可動カバー１５と、を具備する。 （もっと読む）

シリコン熔解プロセスの間、未熔解多結晶質シリコン島の高さおよび形状を連続的に測定するための方法を提供する。この方法は、シリコン島に収束高輝度光を投射し、シリコン島に高輝度ドットを生成することを含む。この方法は、熔解プロセスの間、高輝度ドットを追跡することにより、シリコン島の高さおよび形状を電子的に判定することも含む。
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【課題】シリコン単結晶に生じる有転位化を抑制し、ピンホールの発生を低減し得るシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶引上げ装置のチャンバ内に設置された石英ルツボ１２にシリコン原料を溶解してシリコン融液を貯留し、石英ルツボ１２に貯留したシリコン融液から棒状のシリコン単結晶を引上げるシリコン単結晶を製造する方法において、シリコン原料３３を充填する前に、石英ルツボ１２内部の底部に円盤状又は底面が石英ルツボの底面に沿った形状を有する多結晶又は単結晶のシリコンブロック３２を配置する。 （もっと読む）