【課題】超高純度、極小数キャリア寿命の単結晶シリコンの連続的かつ急速な成長用のシステム及び方法に関する。
【解決手段】単結晶インゴットの連続的な成長のためのチョコラルスキー法に基づく改良されたＣＺシステムは、結晶を囲む選択的な堰を有する、低アスペクト比で大きい直径の、実質的に平面状の坩堝を備える。低アスペクト比の坩堝は、完成品の単結晶シリコンインゴット中の実質的に対流を除去して酸素含有量を低減する。異なる基準で制御されたシリコンプレ溶融炉チャンバは、結晶引上処理中の垂直移動及び坩堝引上システムの必要性を有利に除去した、成長坩堝への溶融シリコンの連続的な供給源を提供する。坩堝下方の複数のヒータは、溶融物に亘る対応する温度ゾーンを構築する。ヒータの温度出力は、改良された結晶成長のために溶融物に亘ってそして結晶／溶融物界面で最適温度制御を提供するために個々に制御される。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウム単結晶の再現性を確保することができる酸化ガリウム単結晶の製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶の製造装置１は制御部５０を備えている。制御部５０は、所望する酸化ガリウム単結晶の重量を特定する。また、制御部５０は、特定された重量の酸化ガリウム単結晶の製造過程における酸化ガリウムを含む原料の蒸発量を算出する。そして、制御部５０は、特定された酸化ガリウム単結晶の重量と、算出された酸化ガリウム原料の蒸発量とに基づいて、所望する酸化ガリウム単結晶の重量を製造するのに必要な酸化ガリウム原料の重量を算出する。 （もっと読む）

【課題】シリコン廃材等の不純物を含むシリコン原料から高純度のシリコンインゴットを、簡単に、かつ、確実に製造することが可能なシリコンインゴットの製造方法、シリコンインゴットの製造装置及びシリコン結晶成長方法を提供する。
【解決手段】不純物を含むシリコン原料から高純度のシリコンインゴットを製出するシリコンインゴットの製造方法であって、前記シリコン原料に、Ｓｉ元素と共晶反応する合金元素を添加して溶解し、共晶組成よりもＳｉ濃度が高くされたシリコン合金溶湯を生成するシリコン合金生成工程Ｓ１と、前記シリコン合金溶湯を一方向凝固させるとともに、凝固して得られたインゴットを連続的に引き出す凝固工程Ｓ２と、前記凝固工程によって消費されたＳｉ元素を補うように、前記シリコン合金溶湯にシリコン原料を追加供給するシリコン追加工程Ｓ３と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】中性子線の照射を行うことなくほぼ均一な高抵抗を持つＣＺウェーハを高い歩留まりで作製可能な方法を提供する。
【解決手段】石英るつぼ１４の内部に原料となるシリコンの固体層２１ａと液体層２１ｂとを共存させ、固体層２１ａを融解させながら液体層２１ｂからシリコンインゴット２０を引き上げる。シリコンインゴット２０から切り出されたシリコンウェーハに対し、格子間酸素密度に応じた酸素雰囲気中アニールを行うことによってＣＯＰを消滅させる。これにより、ドーパントの偏析による抵抗率の変動が抑制され、シリコンインゴットの軸方向における抵抗率を全長の５０％以上に亘って１Ω・ｃｍ以上の高抵抗とすることが可能となる。また、酸素雰囲気中アニールによってＣＯＰが完全に埋め込まれ、消滅する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の直胴部の前半部までが形成される時間の長短によることなく、昇華性ドーパントが確実に高濃度に添加された、所望の抵抗率を有するシリコン単結晶を成長することができるシリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ドープされたシリコン単結晶をチョクラルスキー法により融液から引上げるシリコン単結晶引上装置１ａであって、昇華性ドーパントを収納する収納手段として引上炉２の上部に設置された試料皿２０ａを用いる。試料皿２０ａの中には昇華性ドーパントを入れ、駆動手段２５ａによってヒンジに接続された試料皿２０ａを斜めに傾けて、昇華性ドーパントを供給管２２の一端に接続されたドープ管２１ａに投入していく。試料皿２０ａから駆動手段２５ａを用いて順次供給手段に投入することにより、１バッチの結晶成長において所望のタイミングで高濃度の昇華性ドーパントを供給することができる。 （もっと読む）

【課題】ドープが行われた後の結晶の領域において成長軸方向の比抵抗プロファイルが急激に変化したシリコン単結晶を引き上げることのできるシリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ドープされたシリコン単結晶をチョクラルスキー法により融液から引上げるシリコン単結晶引上装置１ａであって、昇華性ドーパントを収納する収納手段として、例えば引上炉２の上部に設置された試料皿２０ａを複数用いる。試料皿２０ａの中には昇華性ドーパントを入れ、駆動手段２５ａによって、ヒンジに接続された試料皿２０ａを斜めに傾けて、昇華性ドーパントを供給管２２の一端に接続されたドープ管２１ａに投入していく。複数の試料皿２０ａから駆動手段２５ａを用いて順次供給手段に投入することにより、１バッチの結晶成長において所望のタイミングで高濃度の昇華性ドーパントを複数回供給することができる。 （もっと読む）

【課題】主、副のドーパントをドープする、いわゆるコドープにおけるドーパントの注入作業の手間を大幅に軽減することのできるドーピング装置の提供。
【解決手段】ドーピング装置４は、上部に開口部４１３Ａが形成され、半導体融液表面近傍で気化する第１ドーパントＤ１が収容される第１ドーパント収容部４１と、半導体融液表面近傍で液化する第２ドーパントＤ２を保持するとともに、液化したドーパントを下方に流す連通孔４２２Ａが形成されたドーパント保持部４２２と、ドーパント保持部４２２の下部に設けられ、連通孔４２２Ａから流れ出した液化したドーパントを半導体融液表面に導く導管４２１とを有する第２ドーパント収容部４２と、下端が開口し、上端が閉塞された筒状体４３１から構成され、第１ドーパント収容部４１及び第２ドーパント収容部４２を収容し、気化した第１ドーパントのドーパントガスを半導体融液表面に案内する案内部４３とを備える。 （もっと読む）

【課題】チャンバの周囲とは異なる気体が充填されるチャンバ内に固体材料を供給する装置において、固体材料に付着したチャンバの周囲に存在する外部気体がチャンバ内に持込まれるのを防止する固体材料供給装置を提供する。
【解決手段】固体材料を搬送手段２によって搬送する場合、搬送室材料投入口５から搬送室４内に投入された固体材料は、搬送手段２によって搬送室材料排出口６に向けて搬送され、搬送室材料排出口６から搬送室４外に排出される。このとき気体供給手段によって搬送室気体供給口から搬送室４内に供給された搬送室の周囲とは異なる気体が、搬送途中の固体材料に接触して、搬送室気体排気口から搬送室４外に排気される。 （もっと読む）

【課題】引下げ装置に対する原材料の連続的な供給を可能とし、結晶材料の量産化を図る方法を提供する。
【解決手段】引下げ装置２０の坩堝２１に対する原材料２の投入経路である材料供給チューブ４の管状部分４ｂを囲み且つ高周波誘導加熱可能な管形状の加熱ヒータ７と、加熱ヒータ７を囲む高周波発振用の加熱コイル９からなる原材料供給装置１を設置し、坩堝２１投下前の原材料２を溶融時或いは溶融直前の温度まで予備加熱することとする。 （もっと読む）

【課題】半導体融液に揮発性ドーパントによるドーピングを行うに際し、ドーパントガスを半導体融液中に十分に拡散させることのできるドーパントの注入方法の提供。
【解決手段】坩堝３１内の半導体融液中に揮発したドーパントガスを注入するドーパントの注入方法は、ドーパントガスの流れ方向に沿った支持軸３６を中心として、坩堝３１を時計回り又は反時計回りに交互に回転させながら、ドーパントガスを半導体融液に吹き付ける。坩堝３１を回転させることで、内部の半導体融液に対流が生じ、吹き付けられたドーパントが半導体融液内に拡散し易くなる。 （もっと読む）

【課題】融液面の固化割合の低い状態で固形状原料のルツボへの投入を可能にし、単結晶製造の生産性を向上させる固形状原料のリチャージ装置およびリチャージ方法を提供する。
【解決手段】固形状原料が充填される筒状のリチャージ管１と、リチャージ管１の下部外側に設けられ、リチャージ管１に対して摺動可能な構造となっている漏斗状外筒２と、漏斗状外筒２を吊り下げるワイヤ７を備え、漏斗状外筒２は下端に縮径傾斜部を有し、縮径傾斜部下端に固形状原料をルツボに供給するための開口部５が設けられ、リチャージ管１内部は分割板３によってリチャージ管１縦軸方向に複数に分割され、リチャージ管１下端中央には、漏斗状外筒の開口部５を塞ぐことが可能な拡径傾斜部を有する下端蓋４が設けられていることを特徴とする固形状原料のリチャージ装置およびこれを用いたリチャージ方法。 （もっと読む）

【課題】単結晶引上後の原料シリコン充填工程において、原料シリコンの多量の充填が必要な場合に、作業時間を短縮して効率的に原料シリコンを充填することのできる単結晶引上装置及び原料シリコン充填方法を提供する。
【解決手段】ルツボ３を収容する第一のチャンバ２と、第一のチャンバ２上に連結して設けられ、原料シリコンＬが装填された供給容器をセットするための第二のチャンバ１２と、第二のチャンバ１２内から第一のチャンバ２に移送されて第一のチャンバ２内に保持され、原料シリコンＬをルツボ３内に供給する第一の供給容器１３と、第二のチャンバ１２内から第一のチャンバ２内に移送されて第一の供給容器１３内に装着され、原料シリコンＬをルツボ３内に供給する第二の供給容器とを備える。 （もっと読む）

シリコンまたは他の結晶性物質のリボンを作るための装置および製造方法。この装置は、底部(２)および側壁(３)を有したるつぼ(１)を備える。このるつぼ(１)は、側壁(３)の底部に水平に配置された少なくとも一つの横方向スリット(４)を有している。横方向スリット(４)は、５０ｍｍより大きく、好ましくは１００ｍｍ〜５００ｍｍの幅を具備する。スリット(４)の高さ（Ｈ）は、５０〜１０００マイクロメートルである。結晶性物質は、横方向スリット(４)を介してるつぼから取り出されて結晶リボン(Ｒ)を形成する。この方法は、横方向スリット(４)から取り出される材料に種結晶(１３)を接触させる段階、およびリボン(Ｒ)を水平移動させる段階(１４)を含む。
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【課題】 結晶成長過程における組成変化を防止し、高品質の単結晶を製造する。
【解決手段】 炉１５内に設置されたるつぼ１１内の原料溶液１８に、種子結晶１７を浸して引き上げながら結晶を育成する結晶成長方法において、種子結晶１７を原料溶液１８に接触させ、種子結晶１７を引き上げると同時に、原料溶液１８を一定冷却速度で冷却し、単位時間あたりに成長した結晶の組成と同一組成の補給原料を、単位時間あたりの成長結晶の重量に一致する単位時間あたりの供給量で、原料溶液１８に加熱溶解しながら供給する。 （もっと読む）

【課題】結晶汚染を生ずることのない固形原料を円周方向で均等に、かつ多量に投入することができる原料供給装置および供給方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法（ＣＺ法）による単結晶の育成に用いられ、追加チャージまたはリチャージする原料供給装置であって、前記固形原料を充填する円筒状の原料供給管と、前記原料供給管の下方開口端に脱着可能に装着される円錐状の底蓋と、前記原料供給管の内部を保護管で被覆されつつ貫通し前記底蓋に連結され、底蓋の下降並びに原料供給管および底蓋の上昇を可能とする金属製支持部材と、前記原料供給管の下降を停止させる掛止部材と、前記金属製支持部材を介して前記原料供給管および底蓋を吊り下げて昇降可能にする引き上げ手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 低圧または常圧で良質の第１３族金属窒化物バルク結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】 周期表第１３族金属合金相と窒化物を含む溶融塩相との反応を、周期表第１３族金属以外の金属元素を含む副生成物を反応場から取り除きながら進行させて、周期表第１３族金属窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）