【課題】転移が突然形成されたり、溶融シリコンはその時点まで成長した単結晶の側部において流出することがなく、歩留まりの高いシリコン単結晶の形成方法を提供する。
【解決手段】第１の誘導加熱コイル２によって、成長する単結晶と、シリコンから成る円錐状の管部分１の下端部との間に、溶融したシリコンの第１の体積９を形成し、プレート３の上方に配置された第２の誘導加熱コイル７によって、溶融したシリコンの第２の体積１０を形成し、溶融したシリコンの第２の体積１０のための通過開口が形成される程度まで管部分１の下端部を溶融させ、通過開口が、溶融したシリコンの第２の体積１０がまだ存在しないか又は溶融したシリコンの第１の体積９の２倍よりも少ない時点で形成され、第１及び第２の体積９，１０から溶融したシリコンを消費することによって、成長する単結晶にモノクリスタルシリコンを結晶させる。 （もっと読む）

誘導法により多結晶シリコンインゴットを製造する方法が、インダクタで囲まれる冷却るつぼの溶融チャンバ内にシリコン原料を装入すること、融液表面を形成すること、及び、溶融することを含み、なお、インダクタの上面よりも下であるが、その高さの１／３よりも下ではない融液表面位置をもたらすように、シリコン原料の質量装入量及びインゴットを引き抜く速度を設定し、融液表面を同じ高さに保持する。この場合、インダクタの供給出力パラメータを所定範囲内に維持することによって、融液表面位置が同じ高さに保持される。本方法は、太陽電池の製造に好適な多結晶シリコンインゴットを鋳造することをもたらし、注目すべきより高い効率及びより低いエネルギー原単位を有する。 （もっと読む）

【課題】石英坩堝のより長期的な使用を可能とし、しかも稼働効率の改善を図ることができる結晶成長装置及び結晶成長方法を提供する。
【解決手段】結晶成長装置は、石英坩堝１を備えた結晶成長炉９と、原料溶融炉１０と、前記原料溶融炉１０から溶融原料３を前記石英坩堝１に繰り返し供給する供給手段２２とを備える。前記結晶成長炉９は前記溶融原料３を供給する供給口を有し、前記供給口は、前記原料溶融炉１０に対し接離自在２１となっていてもよい。また、前記原料溶融炉１０の周囲に前記結晶成長炉９の複数が配置されていてもよい。更に、前記原料溶融炉１０は不溶解物質分離手段を備えていてもよい。また、結晶成長方法では、石英坩堝１に、予め溶かした溶融原料３を充填する。結晶成長方法において、前記充填の前に、前記溶融原料３から不溶解物質を除去してもよい。 （もっと読む）

チョクラルスキー法にしたがって単結晶若しくは多結晶シリコンインゴットを成長させるに際し用いられるシリコン粉末から溶融物を調製する方法は、上記粉末からシリコン酸化物を除去すること；空気及び他の酸化ガスを除去するため真空を付加すること；酸化物が溶解する時間間隔粉末の溶融及びその融点を超える温度に上記充填物を維持する間及びその後上記ヒータに対する上記充填物の位置を制御すること；酸化物及びシリコンのブリッジを減少させるため上記坩堝側壁と上記シリコン粉末充填物との間において除去可能なスペーサを用いることを含む。
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【課題】圧電デバイス用基板及びこれを用いた表面弾性波デバイスにおいて、均一な単結晶で結晶育成の成功率が高く、生産コストが低い圧電デバイス用基板、及びこれを用いた表面弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶で形成された圧電デバイス用基板であって、前記Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶は、点Ａ（Ｌａ_２Ｏ_３が４４重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が４６重量％、ＳｉＯ_２が１０重量％）、点Ｂ（Ｌａ_２Ｏ_３が４５重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が５２重量％、ＳｉＯ_２が３重量％）、点Ｃ（Ｌａ_２Ｏ_３が３２重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が６５重量％、ＳｉＯ_２が３重量％）、点Ｄ（Ｌａ_２Ｏ_３が３７重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が５３重量％、ＳｉＯ_２が１０重量％）で囲まれる組成範囲内で秤量してルツボ内で融解させ、該ルツボ内から引き上げる。 （もっと読む）

【課題】容器材料排出口を開放して固体材料を材料貯蔵容器から排出するとともに、固体材料がバルブ開口部からバルブ筐体内に飛散して進入するのを防止することができ、設備コストを低減するとともに駆動制御を簡単化することができる固体材料供給装置を提供する。
【解決手段】固体材料２１を貯蔵する材料貯蔵容器５は、固体材料２１が排出される開口である容器材料排出口６ｂを閉鎖する閉鎖位置と、容器材料排出口６ｂを開放する開放位置とに変位可能に形成される開閉部材７を有する。また開閉部材７は、開閉部材７が閉鎖位置から開放位置に変位するとともに、材料投入バルブ２が有する投入バルブ筐体３に形成される投入バルブ開口部３ａに挿通するように構成される。 （もっと読む）

【課題】塊状の固体原料が坩堝に投入されるときに発生するスプラッシュを抑制するとともに、発生したスプラッシュの飛散を抑制することができる固体原料投入装置を提供する。また前記固体原料投入装置を含んで構成される融液原料供給装置および結晶製造装置を提供する。
【解決手段】塊状の固体原料４を副坩堝２１の開口に向けて案内して供給する案内部材１と、固体原料４を案内部材１に供給する固体原料供給手段３と、飛散防止部材２とを含む固体原料投入装置１０とする。また固体原料投入装置１０を備える融液原料供給装置２０および結晶製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】 不定比欠陥を有するも、完全な定比組成のタンタル酸リチウム単結晶と同様の特性を維持したタンタル酸リチウム単結晶からなる波長変換素子を提供すること。
【解決手段】 周期分極反転構造を有するタンタル酸リチウム単結晶に入射されるレーザー光の波長を、周期分極反転構造に基づく擬似位相整合により、短波長化または長波長化するタンタル酸リチウム単結晶からなる波長変換素子であって、タンタル酸リチウム単結晶は、Ｍｇ、Ｚｎ、ＳｃおよびＩｎからなる群から少なくとも一種選択される元素を０．１〜３．０ｍｏｌ％含み、タンタル酸リチウム単結晶におけるＬｉ_２Ｏ／（Ｔａ_２Ｏ_５＋Ｌｉ_２Ｏ）のモル分率は、０．４９０以上０．５００未満の間にあり、タンタル酸リチウム単結晶の室温で分極反転するために必要な印加電圧が３．５ｋＶ／ｍｍ未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

不純物を有する材料から形成される結晶を生成するシステムは、材料を収容するるつぼを有している。るつぼは、とりわけ、結晶を形成する結晶領域、材料を受容する導入領域、および、材料の一部分を除去する除去領域を有している。るつぼは、導入領域から除去領域へ向かうほぼ一方向の（液状である）材料の流れを生成するように構成されている。このほぼ一方向の流れは、除去領域が導入領域よりも高い濃度の不純物を有するという結果をもたらす。
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【課題】底蓋の落下の発生を防止する原料供給装置を提供する。
【解決手段】単結晶育成用原料であるランプ材４６を供給する原料供給装置の一実施形態であるホッパー３０において、ランプ材４６を保持する略円筒状の原料供給管３と、原料供給管３の下方開口端に脱着可能に備えられ、円錐状の底蓋５とこの円錐形状の頂部で結合される石英ガラス棒７６とからなる底蓋部材７５と、底蓋部材７５を吊り下げるための吊り棒７２と、吊り棒７２と石英ガラス棒７６とを連結する連結器７４と、を備える。底蓋部材７５の装着により閉じられた下方開口端を有する原料供給管３内に保持されるランプ材４６は、底蓋部材７５の装脱により開かれた下方開口端から放出される。底蓋５と石英ガラス棒７６との境界部の強度を補強する補強部を設ける。 （もっと読む）

【課題】底蓋の落下の発生を防止する原料供給装置を提供する。
【解決手段】単結晶育成用原料であるランプ材４６を供給する原料供給装置の一実施形態であるホッパー３０において、ランプ材４６を保持する略円筒状の原料供給管３と、原料供給管３の下方開口端に脱着可能に備えられ、円錐状の底蓋５とこの円錐形状の頂部で結合される石英ガラス棒７６とからなる底蓋部材７５と、底蓋部材７５を石英ガラス棒７６を用いて吊り下げるための吊り棒７２と、吊り棒７２の下端部と石英ガラス棒７６の上端部とを連結する連結器７４と、を備える。底蓋部材７５の装着により閉じられた下方開口端を有する原料供給管３内に保持されるランプ材４６は、底蓋部材７５の装脱により開かれた下方開口端から放出される。連結器７４は、底蓋５が揺動可能となるように、吊り棒７２と石英ガラス棒７６とを連結する。 （もっと読む）

【課題】支持部材を伸び難い材料にし、及び／または、支持部材の長さを調節することにより、原料供給管と底蓋との間の隙間の発生を防止する原料供給装置を提供する。
【解決手段】単結晶引き上げ装置に設置されて塊状の原料を供給する原料供給装置１であって、前記塊状の原料を保持する略円筒状の原料供給管３と、該原料供給管３の下端開口部に脱着可能に装着される円錐状の底蓋５と、該底蓋５を吊り下げる支持部材とを備え、前記支持部材は、熱で伸び難い材料からなる軸部材を含み、及び／または、前記支持部材の軸方向の長さを調節できる長さ調節機構を備える。これにより、原料供給装置１が高温下に置かれても前記下端開口部と前記底蓋５との間に隙間が発生することが防止される。 （もっと読む）

【課題】リチャージ管を長大化させることなく固形状原料の充填量を増やすことにより、単結晶の生産性を向上させ、製造コストを低減することを可能とするリチャージ装置およびこれを用いたリチャージ方法を提供する。
【解決手段】結晶融液を貯留するルツボを有する単結晶製造装置に設けられ、ルツボに固形状原料を充填するための固形状原料のリチャージ装置２００であって、リチャージ装置２００に備えられたリチャージ管２０１が、リチャージ管上部２０１ａ、リチャージ管下部２０１ｃ、および、リチャージ管上部２０１ａと前記リチャージ管下部２０１ｃとの間に設けられたテーパ部２０１ｂによって構成され、リチャージ管上部２０１ａの外径が、リチャージ管下部２０１ｃの外径よりも大きいことを特徴とする固形状原料のリチャージ装置２００およびこれを用いたリチャージ方法。 （もっと読む）

【課題】原料供給管の構造が簡素で、しかも原料供給速度を減速させ、ルツボの損傷や原料融液の液跳ねを抑制して、シリコン単結晶育成への悪影響等を回避できる原料供給装置およびその装置を用いた原料供給方法を提供する。
【解決手段】原料供給装置は、粒塊状の固形原料をルツボ１内の原料融液５に追加チャージまたはリチャージする装置であり、可搬式の原料供給ホッパー６と、原料供給管７と、投入する原料を原料供給管７の先端で一旦停止させた後、投入する機構とを具備する。投入する機構は、昇降可能に構成された停止物（円柱状シリコン８が望ましい）の表面と原料供給管７の先端開口部との接触部で投入原料が一旦停止され、その後停止物を徐々に上昇させて原料供給管７の先端開口部から原料がルツボ１内に投入されるように構成される。 （もっと読む）

【課題】追加供給した固形状原料の溶解時間を短縮する。
【解決手段】坩堝１内のシリコン塊を完全に溶融状態にした後に、原料供給部６の原料保持部６aに粒状のシリコン原料を充填して坩堝１内のシリコン融液２上に供給する。そして、塊状になってシリコン融液２の表面中央に浮遊するシリコン原料に、不活性ガス吹き付け部７によって不活性ガスを吹き付けて、上記塊状のシリコン原料を坩堝１の側壁に向かって分散させる。さらに、シリコン融液２の表面に不活性ガスを吹き付け続けてシリコン融液２の表面を揺らして山型状のシリコン原料を崩す。こうして、追加供給されたシリコン原料とシリコン融液２との接触面積を増加させて、追加供給したシリコン原料の溶解時間を短縮する。 （もっと読む）

【課題】石英坩堝の内壁表面を効率よくほぼ均一に失透させ、坩堝表面からの結晶片の剥離を防止し、単結晶歩留まりを向上させ得るシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、石英坩堝１ａ内のシリコン溶融液３から単結晶４を引上げて成長させるに際し、石英坩堝内のシリコン原料に、ＢａＣＯ₃粉末を、坩堝の内壁が合成石英層である場合には、シリコン原料に対する質量比で０．５〜３５ｐｐｍ添加し、天然石英層である場合には１〜７０ｐｐｍ添加する。ＢａＣＯ₃粉末の純度が９９％以上であり、また、石英坩堝内のシリコン原料へのＢａＣＯ₃粉末の添加を、当該シリコン原料の最表面の石英坩堝壁近傍で、石英坩堝の周方向に均等に振りまくことにより行うのが望ましい。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の引上げに再生処理を施した再生石英ルツボを使用するに際し、単結晶育成時における有転位化を防止し、単結晶歩留まりを向上させ得る引上げ方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によるシリコン単結晶の育成に使用した後、再生処理を施した再生石英ルツボ１ａを用い、シリコン溶融液３から単結晶４を引き上げるに際し、石英ルツボ内のシリコン原料に、ＢａＣＯ₃粉末を、シリコン原料に対する質量比で、１〜７０ｐｐｍ添加する。石英ルツボ内のシリコン原料へのＢａＣＯ₃粉末の添加を、当該シリコン原料の最表面で、かつ石英ルツボ壁の近傍で、石英ルツボの周方向に均等に振りまくことにより行うのが望ましい。 （もっと読む）

【課題】分極制御特性や非線形光学特性および電気光学特性に優れた光学用途のニオブ酸リチウム単結晶と、その単結晶を用いた光素子、およびニオブ酸リチウム単結晶を安定に成長させる製造方法を提供する。
【解決手段】Ｌｉ_２Ｏ／（Ｎｂ_２Ｏ_５＋Ｌｉ_２Ｏ）のモル分率が０．５６〜０．６０である、Ｌｉが定比組成よりも過剰な組成の融液から育成されたニオブ酸リチウム単結晶であって、融液は、Ｍｇ元素を含み、ニオブ酸リチウム単結晶は、Ｍｇ元素をニオブ酸リチウム単結晶に対して０．１〜３．０ｍｏｌ％含み、ニオブ酸リチウム単結晶におけるＬｉ_２Ｏ／（Ｎｂ_２Ｏ_５＋Ｌｉ_２Ｏ）のモル分率は、０．４９０以上０．５００未満の間にあり、室温で分極反転するために必要な印加電圧が３．７ｋＶ／ｍｍ未満であり、ニオブ酸リチウム単結晶は、分極反転構造を利用した光素子用である。 （もっと読む）

【課題】原料導入器の底部を塞ぐ底蓋と、この底蓋を吊り下げるワイヤとを係止するストッパの一部が破損しても、直ちに収容した原料や底蓋が落下することのない原料導入器を備えた単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】吊下ワイヤ４４の固着部材４４ａには、少なくとも吊下穴５４の直径よりも大きく形成された第１ストッパ６１と第２ストッパ６２とが、互いに独立して固着形成されている。また、第１ストッパ６１と凹部５３の上端面５３ａとの間には、第２ストッパ６２を取り囲むようにスペーサー６３が形成されている。こうしたスペーサー６３は、第２ストッパ６２よりも少なくとも高さが高くなるように形成される。 （もっと読む）