【課題】抵抗加熱ヒーターにより溶融物を加熱する溶融炉において、抵抗加熱ヒーターに流れている電流により磁場が発生し、この磁場が溶融物に作用して溶融物が回転することにより、ルツボの内面が不均一に削られることを防止できる加熱溶融炉を提供し、また、これを用いた加熱溶融方法を提供する。
【解決手段】ルツボの外壁面外側に抵抗加熱ヒーターが配設されて、前記抵抗加熱ヒーターから発生する磁場の影響を受け、ルツボ内に収容された溶融物がルツボの内壁側面に沿って回転する加熱溶融炉において、溶融物の回転方向を逆転させる手段を備えて、所望のタイミングで溶融物の回転方向を逆転させることができる加熱溶融炉であり、また、この加熱溶融炉を用いて、所望のタイミングで溶融物の回転方向を逆転させる加熱溶融方法である。 （もっと読む）

【課題】上下方向や横断面半径方向におけるドーパント濃度差の発生を防止できる半導体単結晶（インゴット）の引上げ方法及び装置を提供する。
【解決手段】インゴット４の成長に用いる第１るつぼ１に加えて、第１るつぼに補充する融液６を貯留する第２るつぼ２と、第２るつぼを昇降する第２るつぼ支持体５を設ける。第２るつぼ支持体を上昇させて第２るつぼの融液を、引き上げにより固化する量のみを第１るつぼへ逐次供給する固化量融液逐次供給と、インゴットの引き上げ固化とを繰り返しながらインゴットを成長させ、インゴット下方向でドーパント濃度が高くなることを防ぐ。第１るつぼ底面中央部分に突部１ｂを設けて固化の遅いインゴット中央部分の融液量を少なくし、インゴット横断面内の中央部分でのドーパント濃度が高くなることを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】原料融液から各種の単結晶体または多結晶体を製造する場合、原料融液を耐熱性容器中に供給する際に原料融液の液面に揺れが生じることを防止できる原料融液供給装置を提供する。
【解決手段】原料融液４０３を貯留する第１の耐熱性容器３と、第２の耐熱性容器２と、該第２の耐熱性容器２中の原料融液４０１を前記第１の耐熱性容器３中に供給するための供給管６とを備え、前記供給管６の排出口６０１が前記第１の耐熱性容器３中の原料融液４０３に接しており、前記第２の耐熱性容器２中の原料融液４０１が前記供給管６の内壁に沿って流れて前記第１の耐熱性容器３中に供給される。このとき、供給管中の原料融液４０２は供給管６の内壁に沿って流れることで緩やかな速度で移動し、緩やかな速度のまま第１の耐熱性容器中の原料融液４０３へ流入するため、原料融液４０３の液面に生じる揺れの程度を減少させることができる。 （もっと読む）

単結晶ゲルマニウムの結晶成長を対象とするシステム、方法および基板が開示される。例示的な一実施形態によれば、単結晶ゲルマニウムの結晶成長法が提供される。さらに、上記方法は、坩堝の中に、第１のゲルマニウム原材料を充填する段階と、ゲルマニウム融解材料の補充に用いられる容器の中に、第２のゲルマニウム原材料を充填する段階と、アンプルの中に、前記坩堝および前記容器を密封する段階と、結晶成長炉の中に、坩堝とともにアンプルを配置する段階と、第１および第２のゲルマニウム原材料を融解する段階と、結晶化させるための融液の温度勾配を制御して、改善されたまたは予め定められた特性を有する単結晶ゲルマニウムのインゴットを再現性よく提供する段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】電磁誘導により固体シリコン原料を確実に融解させてシリコン融液を形成することができ、ＣＣＺ法(連続チャージチョクラルスキー法)による単結晶育成に採用できるシリコン融液形成装置を提供する。
【解決手段】融液形成装置２０は、石英容器２１の下部を囲繞する誘導加熱コイル２２と、石英容器２１と誘導加熱コイル２２との間に配設されたカーボン製の第１の筒体２３Ａおよび第２の筒体２３Ｂと、を備える。これにより、第１、第２の筒体２３Ａ、２３Ｂは、誘導加熱コイル２２からの電磁誘導で発熱し、石英容器２１内の固体シリコン原料２９を加熱する。加熱された固体シリコン原料２９は比抵抗が低下し、電磁誘導により渦電流が有効に生じて発熱し、融解する。 （もっと読む）

【課題】中性子線の照射を行うことなくほぼ均一な高抵抗を持つＣＺウェーハを高い歩留まりで作製可能な方法を提供する。
【解決手段】石英るつぼ１４の内部に原料となるシリコンの固体層２１ａと液体層２１ｂとを共存させ、固体層２１ａを融解させながら液体層２１ｂからシリコンインゴット２０を引き上げる。シリコンインゴット２０から切り出されたシリコンウェーハに対し、格子間酸素密度に応じた酸素雰囲気中アニールを行うことによってＣＯＰを消滅させる。これにより、ドーパントの偏析による抵抗率の変動が抑制され、シリコンインゴットの軸方向における抵抗率を全長の５０％以上に亘って１Ω・ｃｍ以上の高抵抗とすることが可能となる。また、酸素雰囲気中アニールによってＣＯＰが完全に埋め込まれ、消滅する。 （もっと読む）

【課題】連続チャージ方式のＨＭＣＺ法によりシリコン単結晶を育成する際に、製品歩留りを低下させることなく、安定した品質の単結晶を育成することができる単結晶育成方法を提供する。
【解決手段】単結晶引き上げ用のルツボ２内のシリコン融液１０に対し、そのルツボ２の側壁とシリコン単結晶１１の外周との間の環状領域Ｒのうち、シリコン単結晶１１の外周から横磁場の印加方向と直交する方向に延在する第１領域Ｒ１を除く第２領域Ｒ２に、シリコン融液を供給しながら、シリコン単結晶１１を育成する。 （もっと読む）

【課題】連続チャージＣＺ法によりシリコン単結晶を育成する際に、単結晶引き上げ用ルツボにシリコン融液を安定して供給することができるシリコン融液の供給装置を提供する。
【解決手段】融液供給装置２０は、原料融解用ルツボ２１と、この原料融解用ルツボ２１に固形のシリコン原料を供給する原料供給管２６と、原料融解用ルツボ２１を囲繞し原料融解用ルツボ２１内の固体シリコン原料を融解させる誘導加熱コイル２５と、原料融解用ルツボ２１の底から上方に突出し原料融解用ルツボ２１内のシリコン融液３０を流出させる融液流出管２４と、を備える。融液流出管２４から流出するシリコン融液３０を単結晶引き上げ用ルツボ２に供給する。 （もっと読む）

【課題】相対的に小さい石英坩堝を用いて大口径のシリコン単結晶の引き上げが可能なシリコン単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造装置において、シリコン単結晶４を引き上げる、シリコン融液３を収容する石英坩堝１と、石英坩堝１の外部に配置され、石英坩堝１中にシリコン融液２３を供給する融液供給部２０とを備えるものとする。そして、石英坩堝１の直径を９１４ｍｍ以上１１１８ｍｍ以下とし、シリコン単結晶の直径を４５０ｍｍとする。 （もっと読む）

【課題】シリコンなどの半導体の結晶体を製造する結晶製造装置の主坩堝に、融液原料を継続的に安定して供給可能な固体原料融解装置を提供する。
【解決手段】固体原料供給手段１０と、検出手段１４と、制御手段１５と、副坩堝２１と、加熱手段２３と、融液導入手段２５とを含んで構成される融解装置１において、検出手段１４が、副坩堝２１に貯留される融液原料３の表面に未融解状態の固体原料２が浮遊していることを検出する。そして、制御手段１５が検出手段１４から出力される検出結果に基づいて、融液表面に所定量より多い固体原料が浮遊していることを判断すると、固体原料供給手段１０の副坩堝２１に対する固体原料２の供給動作を停止させる。 （もっと読む）

【課題】主、副のドーパントをドープする、いわゆるコドープにおけるドーパントの注入作業の手間を大幅に軽減することのできるドーピング装置の提供。
【解決手段】ドーピング装置４は、上部に開口部４１３Ａが形成され、半導体融液表面近傍で気化する第１ドーパントＤ１が収容される第１ドーパント収容部４１と、半導体融液表面近傍で液化する第２ドーパントＤ２を保持するとともに、液化したドーパントを下方に流す連通孔４２２Ａが形成されたドーパント保持部４２２と、ドーパント保持部４２２の下部に設けられ、連通孔４２２Ａから流れ出した液化したドーパントを半導体融液表面に導く導管４２１とを有する第２ドーパント収容部４２と、下端が開口し、上端が閉塞された筒状体４３１から構成され、第１ドーパント収容部４１及び第２ドーパント収容部４２を収容し、気化した第１ドーパントのドーパントガスを半導体融液表面に案内する案内部４３とを備える。 （もっと読む）

【課題】副坩堝の融解槽から表面張力の大きい融液原料を溢れ出させて主坩堝に供給するに際し、融液原料に副坩堝や外気以外の物質を直接触れさせることなく、表面張力による融液面の盛り上がりを解消し、融液原料を定量的に少量ずつ、かつ、精度良く供給時期を制御し連続的に主坩堝へ供給する融液原料供給装置を提供する。
【解決手段】融解槽１ａを有する副坩堝１と、断熱層２と、加熱手段３と、融解槽１ａに連通するように設けられる融液供給パイプ４と、固体原料供給手段５と、融液供給パイプ加熱手段６と、支持手段７と、基礎部材８と、副坩堝１を振動させる振動手段１０１とを含む融液原料供給装置１００において、振動手段１０１により副坩堝１を振動させながら、固体原料供給手段５から固体原料１０を融解槽１ａに供給し、融解槽１ａから溢れ出る融液原料９を融液供給パイプ４を介して主坩堝に供給する。 （もっと読む）

【課題】二重ルツボ法によるＬｉＮｂＯ₃、Ｙ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂、Ｌｕ₂ＳｉＯ₅、Ｇｄ₂ＳｉＯ₅、ＹＶＯ₄等の酸化物、Ｓｉ、ＧａＡｓ等の半導体等の単結晶引き上げにおいて、簡単な装置構成で、単結晶の組成制御操作性に優れ、メンテナンスも容易であり、高品質の単結晶を低コストで効率的に得られる製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】側面に孔１ａが形成された内ルツボ１と外ルツボ２とかならなる二重ルツボを用い、前記内ルツボ１と外ルツボ２に、異なる組成の原料融液４，５をそれぞれ充填し、前記孔１ａを外ルツボ２内の原料融液５の液面より高い位置に保持して、内ルツボ１内の原料融液４と外ルツボ２内の原料融液５とを分離し、単結晶６引き上げ開始後、前記孔１ａを外ルツボ２内の原料融液５の液面より低い位置にして、内ルツボ１内に外ルツボ２内の原料融液５を流入させて、内ルツボ１内の原料融液４の組成制御を行う。 （もっと読む）

液体供給材料、例えばシリコンのメルトプールから連続的に結晶リボンを製造する装置及び方法。シリコンは、溶融され且つ成長トレイ内へ流されて液体シリコンのメルトプールを提供する。当該メルトプールからチムニーを介して上方へ熱を流れさせることによって、熱が受動的に除去される。熱の損失をチムニーを介して生じさせながら、シリコンを液体相に保つために、成長トレイに熱が同時に適用される。熱がチムニーを介して失われるときに、シリコンが“凍結”（すなわち、凝固）し始め且つテンプレートに付着するように、テンプレートがメルトプールと接触せしめられる。当該テンプレートは、次いで、メルトプールから引き出されて結晶シリコンの連続するリボンが製造される。 （もっと読む）

【課題】結晶全体に渡って均質な特性を有する結晶を製造することができる単結晶製造方法および単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】るつぼ１１が、内部に、引き上げ中の結晶１の底面形状に沿うよう、中心から周縁にかけて同心円状に浅くなるよう傾斜した傾斜面２１を有している。原料供給手段１３が、引き上げ作業の間、るつぼ１１内に原料を融解して供給可能に設けられている。制御部１４が、融液２の液面を所定の高さに維持するよう、原料供給手段１３を制御可能に設けられている。融液２の液面を所定の高さに維持するよう原料を融解して供給しつつ、融液２の液面の位置でのるつぼ１１の径に対する結晶１の肩１ａより下の結晶１の径の割合が、０．７乃至０．９になるよう引き上げる。結晶１の肩１ａまで引き上げた後、原料の供給量に応じて所定の割合で融液２の中にドーパントを添加する。 （もっと読む）

【課題】多結晶体または単結晶体製造装置の主坩堝に融液原料を供給するに際し、特別な加熱手段を設けることなく、また融液原料の液温が該原料の融点付近の比較的低い温度でも、融液原料の凝固を防止し、融液原料を少量ずつ連続的に供給することができる融液原料供給装置を提供する。
【解決手段】融解槽を有する副坩堝２と、副坩堝２の周囲に設けられる加熱手段８と、副坩堝２の融解槽に固体原料を供給する原料供給手段９とを含む融液原料供給装置１において、副坩堝２の融解槽と加熱手段８との間に空隙部３を形成し、この空隙部３を介して融解槽から溢れ出る融液原料５を多結晶体または単結晶体製造装置の主坩堝に供給する。 （もっと読む）

シリコンまたは他の結晶性物質のリボンを作るための装置および製造方法。この装置は、底部(２)および側壁(３)を有したるつぼ(１)を備える。このるつぼ(１)は、側壁(３)の底部に水平に配置された少なくとも一つの横方向スリット(４)を有している。横方向スリット(４)は、５０ｍｍより大きく、好ましくは１００ｍｍ〜５００ｍｍの幅を具備する。スリット(４)の高さ（Ｈ）は、５０〜１０００マイクロメートルである。結晶性物質は、横方向スリット(４)を介してるつぼから取り出されて結晶リボン(Ｒ)を形成する。この方法は、横方向スリット(４)から取り出される材料に種結晶(１３)を接触させる段階、およびリボン(Ｒ)を水平移動させる段階(１４)を含む。
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【課題】窒素を１×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上４．５×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ³未満の割合でドープしたシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】石英るつぼ１３に貯留された窒素を含むシリコン融液１２からシリコン単結晶２９を引上げる際に、シリコン融液１２中に、窒素を含まないシリコン原料２３を単結晶の成長量に相応して石英るつぼに貯留されたシリコン融液の液面位置が一定に保たれるように供給しながら単結晶を引上げる。 （もっと読む）

【課題】本発明は四塩化珪素の亜鉛還元によるシリコン生成に当たりその製造手間、エネルギー消費を増大させることなくより高純度化したシリコンを製造する製造方法並びに該目的のための製造装置を得る事を課題とした。
【解決手段】本発明は第一に四塩化珪素と亜鉛を高温気相中で反応させてシリコンを製造するに当たり、非酸化性雰囲気中で行い、シリコン結晶として析出した後該系内でシリコンの融点以上に加熱して融体化した後に、シリコン結晶又は融体で取り出す高純度シリコンの製造方法であり、第二に雰囲気ガスの循環機構と亜鉛ガスの供給機構、該亜鉛ガスの供給機構の下流側に四塩化珪素供給機構を有し、結晶成長部を経てガス分離機構と生成シリコン保持槽、並びに生成ガスの回収機構とを有し、該機構の各部分に温度制御機構を有する高純度シリコン製造装置である。 （もっと読む）