【課題】ＬＳＡ工程でのシリコン基板内に生じる物理的現象を正確に予測できる、シミュレーションによるＬＳＡを施す際に生じるＢＭＤからの発生転位予測方法を提供する。
【解決手段】第１〜第５ステップで、基板をメッシュ要素に細分化してメッシュ化し、ＬＳＡのレーザービームの入射エネルギーを負荷として基板の温度分布の時間変化を求め、更にこの温度分布から熱応力分布の時間変化を求める。第６〜第８ステップで、任意の位置Ａにおける深さ方向の分布を各時間で選び出し、選び出した温度分布からＢＭＤから発生する転位の臨界応力を求め、選び出した応力分布からせん断応力を求める。第９〜第１１ステップで、臨界応力とせん断応力とを各深さ位置ごとに比較し、比較結果から各深さ位置の転位長さを求め、この転位長さからスリップ発生の深さを求める。 （もっと読む）

【課題】デバイスが形成される表層に存在する微小欠陥を消滅可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハの表面から指定されたレーザー光を照射し、デバイス活性層内の微小欠陥をスリップフリーにて消滅させ、同時にレーザー照射面近傍の不純物取り込みを制御する事でデバイス特性歩留を向上させる。 （もっと読む）

【課題】高酸素濃度のシリコン単結晶の無欠陥領域から切り出されたシリコンウェーハであっても、ライフタイムを向上させることができ、かつ、半導体デバイス形成時における熱処理においてスリップの発生が抑制されたシリコンウェーハを生産性が低下することなく得ることができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりｖ／Ｇ値を制御して育成されたシリコン単結晶インゴットの無欠陥領域から切り出された酸素濃度が１．２×１０^１８個／ｃｍ^３以上１．８×１０^１８個／ｃｍ^３以下であるシリコンウェーハに対して、窒素ガスを含まない非酸化性雰囲気中、１３００℃以上１３８０℃以下の第１の最高到達温度の範囲内で１秒以上１５秒以下保持した後、更に、窒素ガスを含まない酸化性雰囲気中、１３００℃以上１３８０℃以下の第２の最高到達温度の範囲内で１秒以上１５秒以下保持する急速昇降温熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板の表面に形成されたＧａＮ系化合物結晶層を剥離するためのレーザリフトオフ処理において、ワークの温度が多少上昇したとしても、レーザリフトオフ装置内で、レーザリフトオフ後のサファイア基板がＧａＮ層から、完全に剥がれてしまうことがないようにすること。
【解決手段】レーザ光をＧａＮ結晶層の一部に複数回（２回以上）照射する。詳しくは、レーザ光を１回照射してＧａＮ層のサファイア基板との界面がガリウム（Ｇａ）となったところに、再度サファイア基板越しにレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエーハを熱処理する際に、ウエーハ支持位置から発生するスリップ転位を確実に抑制することができるウエーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】ウエーハの主表面（第一主表面）を支持部材で支持した状態で加熱源で加熱することで急速昇降温を伴う所定温度での熱処理を行うウエーハの熱処理方法において、前記支持部材で支持した前記第一主表面の温度が、前記ウエーハの前記第一主表面とは反対側の主表面（第二主表面）の温度より１〜２５℃高くなるように前記加熱源を制御しながら熱処理を行うことを特徴とするウエーハの熱処理方法。 （もっと読む）

【課題】全ウェハ体積中の安定ＢＭＤ核の密度が著しく低下したシリコンウェハと該シリコンウェハの製造方法とを提供する。
【解決手段】５×１０¹⁷から７．５×１０¹⁷ｃｍ^-3の酸素濃度を有するシリコンウェハであって、代替的に行なわれる、以下の熱プロセスの後に、
７８０℃で３時間、その後１０００℃で１６時間の処理後に、最大で１×１０⁸ｃｍ^-3のＢＭＤ密度、および
シリコンウェハを１Ｋ／分の加熱速度で５００℃の開始温度から１０００℃の目標温度に加熱し、その後１０００℃で１６時間保持した後に、少なくとも１×１０⁹ｃｍ^-3のＢＭＤ密度、を有するシリコンウェハと、閃光照射による上記シリコンウェハの製造方法とを提供する。 （もっと読む）

【課題】板状酸素析出物を含むシリコンウェーハであってデバイスプロセスにてＬＳＡ処理を行った場合であっても転位の発生を防止することが可能なシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】本発明によるシリコンウェーハは、ＬＳＡ処理を含むデバイスプロセスに供せられるシリコンウェーハであって、ＬＳＡ処理時においてシリコンウェーハに含まれる板状酸素析出物の対角線長をＳ（ｎｍ）、前記ＬＳＡ処理における最高到達温度をＴ（℃）とした場合、Ｔ×Ｓ^２≦９×１０^６を満たす。本発明によれば、上記の条件でＬＳＡ処理を行うことにより、シリコンウェーハに含まれる板状酸素析出物を起点とした転位の発生を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】多層膜の成膜により生じた反りを矯正すること。
【解決手段】単結晶基板２０と、単結晶基板２０の片面に形成された２つ以上の層を有しかつ圧縮応力を有する多層膜３０とを含み、単結晶基板２０をその厚み方向において２等分して得られる２つの領域２０Ｕ、２０Ｄのうち、少なくとも単結晶基板２０の多層膜３０が形成された面側と反対側の面側の領域２０Ｄ内に、熱変性層２２が設けられている多層膜付き単結晶基板、その製造方法および当該製造方法を用いた素子製造方法 （もっと読む）

【課題】再度、鏡面研磨等を行う必要がなく、デバイス活性領域における酸素濃度の低下を抑制し、かつ、デバイス活性領域の欠陥密度を大きく低減することができるシリコンウェーハの製造方法の提供。
【解決手段】チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハに対して、酸化性ガス雰囲気中、１３２５℃以上１３９０℃以下の最高到達温度で急速昇降温熱処理を行う工程と、前記熱処理を行ったシリコンウェーハの半導体デバイスが形成される表面側におけるデバイス活性領域の表面部に対して、不活性ガス雰囲気中、レーザー光を照射して、１２００℃以上１３５０℃以下の最高到達温度でレーザー熱処理を行う工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】被加工物の切断予定ライン周囲に生じる歪みや微少な欠陥を生じさせることなくレーザ照射によるスクライブラインを形成させることによって、透明基板を精密かつ効率的に割断できる透明基板の改質領域形成方法を提供する。
【解決手段】レーザ発振器１１から照射されるレーザ光１５を透明基板１０に照射して透明基板内に改質領域を形成する方法であって、前記レーザ光の焦点ｆを前記透明基板の裏面に設定するとともにレーザ光を裏面に集光させたままスキャンして裏側面状改質領域２２を形成させる裏側改質領域形成工程と、前記レーザ光の焦点を前記透明基板の表面に設定するとともにレーザ光を表面に集光させたままスキャンして前記裏側面状改質領域に対向する割断予定ライン１４上に表側面状改質領域２３を形成させる表側改質領域形成工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、短時間で製造することができ、さらに、ゲッタリングサイトを容易かつ短時間に形成できるとともに、内部応力に起因した転位の発生を有効に抑制できるシリコンウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】高速引上げ工程と、ウェーハ作製工程と、シリコンウェーハ１０の表面１０ａから所定の深さ位置Ａに対して、長波長である第１レーザー光線２０及び短波長である第２レーザー光線３０を照射するレーザー照射工程（図２(ｃ)）とを具え前記第１レーザー光線２０は、前記ウェーハ１０の所定の深さ位置Ａに集光し、重金属を捕獲するための加工変質層１１を形成し、前記第２レーザー光線は、前記ウェーハの表面１０ａ近傍（表層部分１０ｂ）に集光し、該集光部分を溶融させた後、再結晶化させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光加熱式のアニール炉の低コスト化および光加熱源の長寿命化が図れ、ウェーハ表面のボイド欠陥を消滅させ、ウェーハの表面粗さを小さく可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ表層にイオン注入して形成されたアモルファスシリコン領域部が、単結晶シリコンに比べて吸光係数が高いので、シリコンウェーハより低い加熱温度で、アモルファスシリコン領域部のみを溶融できる。その結果、仮にウェーハ表面にボイド欠陥が存在しても、ウェーハより低温でボイド欠陥を消滅させ、その表面粗さを小さくできる。しかも、従来より低出力の光加熱式のアニール炉でこれらの効果が得られ、アニール炉の低コスト化および光加熱源の長寿命化が図れる。 （もっと読む）

【課題】デバイスが形成される表層のＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥を消滅可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により引き上げられたシリコン単結晶インゴットをウェーハ加工して得られたシリコンウェーハの表層にレーザ光やランプ光などの高エネルギ光を照射し、この表層のみを溶融（溶融工程）させる。その結果、シリコンウェーハの表層に存在する結晶引上げに起因したＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥を消滅させることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの少なくとも表層のボイド欠陥を消滅させるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハに対して、ランプ式急速加熱炉を用い、非酸化性ガスの雰囲気下、１１５０℃で４５秒間の第１熱処理を施す。これにより、少なくともウェーハ表層のボイド欠陥の内壁酸化膜が除去される。その後、連続してランプ炉内でウェーハを酸化性ガスの雰囲気下、１１５０℃で１０秒熱処理し、ボイド欠陥に格子間シリコンを注入する第２熱処理工程を施す。これにより、少なくともウェーハ表層のボイド欠陥の消滅速度が促進し、このボイド欠陥が消滅される。更に第３熱処理工程として窒素含有ガス雰囲気下にて１１５０℃で１０秒熱処理し、その後５０℃／秒の冷却速度で降温することで基板表層近傍に空孔を大量に注入することでゲッタリング能力も高まる。 （もっと読む）

【課題】紫外／可視光ブラインド比を向上させたダイヤモンド紫外線センサー素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶を受光部とし、この受光部に照射される光によって生じる電気抵抗の変化で光を検出するダイヤモンド紫外線センサー素子の製造方法であって、（１）ダイヤモンド単結晶の表面を実質的に水素を含む雰囲気中で水素化する工程と、（２）前記水素化したダイヤモンド単結晶の表面をオゾンまたは活性酸素を含む雰囲気中に曝露することにより受光部を形成する工程と、を含むこととする。 （もっと読む）

【課題】表層から例えば１０μｍ以内までの浅い領域にＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔ）が高密度で存在するが、デバイス活性層として機能する極表層には欠陥が存在せず、薄膜デバイスに対してもゲッタリング効果を有効に発揮しうるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のない直胴部を持ち、格子間酸素濃度［Ｏｉ］が１．４×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３ 以上のシリコンインゴットから切り出したウェーハに１０００℃以上で１０秒以下の急速昇降温熱処理を施す。急速昇降温熱処理は、アルゴンガス、窒素ガス、水素ガスまたはこれらの混合ガスの雰囲気中で、熱源としてハロゲンランプ、キセノンランプあるいはレーザーを用いておこなう。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド表面の任意の領域を、結晶欠陥を生成することなく、室温で、また従来に比しその１／１０程度の短時間の処理時間で、改質する方法を提供する。
【解決手段】酸素元素含有雰囲気中若しくは真空中、若しくは不活性元素含有雰囲気中に配置したダイヤモンド１の表面に高エネルギー光線７を照射することにより、ダイヤモンド１の表面を酸化して改質する。なお、酸素元素含有雰囲気を構成するのはオゾンあるいは活性酸素であり、不活性元素含有雰囲気を構成するのは窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンあるいはキセノンである。 （もっと読む）

【課題】薄膜デバイスに対してもゲッタリング効果が有効に発揮されるシリコン単結晶ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によって育成された単結晶から加工されたシリコンウェーハであって、初期格子間酸素濃度が１．４×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｃ（ＡＳＴＭ Ｆ−１２１，１９７９）以上のウェーハに、１０秒以下の急速昇降温熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】高価かつエネルギー多消費型の大掛かりな装置を必要とせず、大面積の基板にも対応可能であり、容易、安価に半導体薄膜を形成する方法を提供すること。
【解決手段】上記課題は、一対の電極の間に、不純物の濃度および／または種類の異なる半導体薄膜を少なくとも二層以上積層した構造を有する太陽電池の製造において、該半導体薄膜のうちの少なくとも一層が、（Ａ）式Ｓｉ_ｎＲ_ｍで表されるポリシラン化合物 並びに（Ｂ）シクロペンタシラン、シクロヘキサシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも１種のシラン化合物を含有することを特徴とするシラン組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程と、該塗膜を熱処理および／または光処理する工程を含む形成方法により形成されていることを特徴とする、太陽電池の製造方法により達成される。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコンロッドの製造方法及び単結晶シリコンロッド構造体を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層にホールを形成する工程と、ホール内にシリコンを選択成長させる工程と、ホール及び絶縁層上にシリコン層を形成する工程と、シリコン層にホールに対して非放射状方向にロッドパターンを形成する工程と、シリコン層を溶融させてホールに対応する位置に結晶核が生成されるように、ロッドパターンが形成されたシリコン層上にレーザビームを照射してシリコン層を結晶化する工程と、を含む単結晶シリコン製造方法である。これにより、欠点のない単結晶シリコンロッドを形成しうる。 （もっと読む）