【課題】表層にＲＩＥ欠陥がなく、かつライフタイムが十分長いシリコン基板の製造方法及びシリコン基板を提供することを目的とする。
【解決手段】チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコン基板に、急速加熱・急速冷却装置を用いて、１３００℃より高くかつシリコン融点以下の温度で１〜６０秒保持して急速熱処理を施した後、６００〜８００℃の範囲の温度まで降温速度５〜１５０℃／ｓｅｃで一段目の降温工程を行い、その後、冷却時間Ｘ秒と降温速度Ｙ℃／ｓｅｃが、Ｘ＜１００の場合はＹ≦０．１５Ｘ−４．５を、Ｘ≧１００の場合はＹ≦１０を満たすように二段目の降温工程を行うシリコン基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエーハを熱処理する際に、ウエーハ支持位置から発生するスリップ転位を確実に抑制することができるウエーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】ウエーハの主表面（第一主表面）を支持部材で支持した状態で加熱源で加熱することで急速昇降温を伴う所定温度での熱処理を行うウエーハの熱処理方法において、前記支持部材で支持した前記第一主表面の温度が、前記ウエーハの前記第一主表面とは反対側の主表面（第二主表面）の温度より１〜２５℃高くなるように前記加熱源を制御しながら熱処理を行うことを特徴とするウエーハの熱処理方法。 （もっと読む）

【課題】デバイス作製領域となる表面から少なくとも１μｍの深さに、酸素析出物、ＣＯＰ、ＯＳＦ等のＲＩＥ法により検出される欠陥（ＲＩＥ欠陥）が存在せず、かつ、ライフタイムが５００μｓｅｃ以上のシリコン基板の製造方法及び当該方法により製造されたシリコン基板を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコン基板に、急速加熱・急速冷却装置を用いて、窒化膜形成雰囲気ガス、希ガス及び酸化性ガスのうちの少なくとも一種類のガスを含む第１の雰囲気で、１３００℃より高くかつシリコン融点以下の第１の温度で１−６０秒保持して急速熱処理を施す第１熱処理工程と、該第１熱処理工程に続いて、前記シリコン基板内部の空孔起因の欠陥の発生を抑制する第２の温度及び第２の雰囲気に制御し、前記シリコン基板に前記制御した第２の温度及び第２の雰囲気で急速熱処理を施す第２熱処理工程とを具備するシリコン基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】極薄のウェーハを安全、簡単、確実かつ迅速に単離させることができ、かつ従来と比べて処理スピードが改善されたウェーハ単離方法及びウェーハ単離装置を提供する。
【解決手段】多数枚又は複数枚のウェーハが積層されたウェーハ積層体を液体中に浸漬させて準備するステップと、前記最上層のウェーハの一端部を吸着し、前記最上層のウェーハの他端部は吸着せずにおさえ、前記最上層のウェーハを水平方向で傾斜させる吸着ステップと、前記最上層のウェーハの下面と隣接する下側のウェーハの上面との間に流体を吹き込む流体吹き込みステップと、前記傾斜させた最上層のウェーハを、その傾斜の延長線上に沿って変位させて液中から前記最上層のウェーハを取出せしめるウェーハ変位ステップと、を含み、ウェーハを単離するようにした。 （もっと読む）

【課題】極薄のウェハを安全、簡単、確実かつ迅速に単離させることができるウェハ単離方法及びウェハ単離装置を提供する。
【解決手段】液体中に浸漬された状態の多数枚又は複数枚のウェハが積層されたウェハ積層体から最上層のウェハを単離するウェハ単離方法であって、該最上層のウェハの晶癖線軸から時計回り又は反時計回りに角度１５°〜７５°ずらした軸方向で該最上層のウェハを押えると共に、該最上層のウェハの曲げ応力が該軸方向に生じるように、該最上層のウェハの周縁部を上方に反らせつつ、該最上層のウェハの下面と隣接する下側のウェハの上面との間に液体を吹き込むと共に該最上層のウェハを上昇せしめ、ウェハを単離するようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特に、縦型熱処理炉に熱処理用ボートをローディングする際に発生するウェーハ表面のキズやパーティクルを、生産性を落とすこと無く抑制することができる熱処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】反応管と、該反応管内に配置され、被処理基板を保持するための熱処理用ボートと、反応管の外側に配置されたヒータとを有する縦型熱処理炉を用いて結晶面が（１００）のシリコンウェーハを熱処理する方法であって、結晶面が（１００）のシリコンウェーハ裏面の結晶方位＜１１０＞方向の外縁領域を熱処理用ボートのウェーハ支持部により４点支持して、反応管内温度を反応管の下方の炉口側が上方の炉奥側より低い温度分布になるようにした反応管内へ、ウェーハを保持した熱処理用ボートをローディングしてウェーハの熱処理をするシリコンウェーハの熱処理方法。 （もっと読む）

【課題】超音波洗浄における被洗浄物の洗浄ムラを抑制し、洗浄槽数を削減して装置のコストを低減することができ、パーティクル除去を効果的に行うことができる超音波洗浄装置および超音波洗浄方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、被洗浄物を浸漬して洗浄するための洗浄液を収容する洗浄槽と、該洗浄槽に超音波を伝搬するための伝搬水を収容する超音波伝搬槽と、前記超音波伝搬槽の下部に配置され振動子により超音波を前記伝搬水に重畳する振動板と、洗浄する被洗浄物を前記洗浄槽中に保持する保持治具とを具備し、前記被洗浄物が前記保持治具で保持されて前記洗浄槽内の洗浄液に浸漬され、前記洗浄槽が前記超音波伝搬槽内の伝搬水に浸され、前記振動板により重畳した超音波を伝搬水を介して洗浄槽に伝搬させて前記被洗浄物を超音波洗浄する超音波洗浄装置であって、前記超音波伝搬槽を水平面内で揺動させる伝搬槽揺動機構を具備する超音波洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】吸引装置を付帯し、繋ぎ服と頭巾とが一体化された防塵服において、頭巾内空間についても好適に減圧することができ、頭部からの発塵を可及的に抑制することができる吸引装置付き防塵服を提供する。
【解決手段】繋ぎ服２と頭巾３とが一体化された防塵服１において、繋ぎ服２及び頭巾３内の空気を吸引し、濾過したうえで外部へ排出する吸引装置を有し、一方側に凹部が形成されるように屈曲或いは湾曲した形状の芯材５を、繋ぎ服２と頭巾３との接続部４に配置することによって、繋ぎ服２内空間と頭巾３内空間とを連通させるための通気路７が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】非回転管と回転管とを接続する部位での摩耗粉の発生をなくし得、通過する純水、洗浄液体、窒素ガス、純水と窒素ガスとの混合体又は洗浄液体と窒素ガスとの混合体等の流体への摩耗粉の混入をなくし得るロータリージョイントを提供すること。
【解決手段】ロータリージョイント１は、流体導入孔５を有した中空部材６と、中空部材６の中空部２に装着された中空回転軸部材１２と、中空回転軸部材１２をＲ方向に回転自在とする接触型の軸受１３と、中空部材６の内周面１４と中空回転軸部材１２の外周面１５との間の円筒状隙間１６に高圧気体を供給する高圧気体供給手段１７と、円筒状隙間１６に供給された高圧気体を外部４に排出する高圧気体排出手段１８とを具備している。 （もっと読む）

【課題】 ＰＩＤ（Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｄｅｆｅｃｔ）の少ないシリコン単結晶ウエーハを得ることができる仕上げ研磨方法及びこの方法によって仕上げ研磨されたシリコン単結晶ウエーハを提供する。
【解決手段】 シリコン単結晶ウエーハと研磨布との間に研磨スラリーを介在させて前記シリコン単結晶ウエーハを研磨する複数段の研磨工程のうち、最終段である仕上げ研磨工程において、研磨速度を、１０ｎｍ／ｍｉｎ以下として仕上げ研磨するシリコン単結晶ウエーハの仕上げ研磨方法、及びこの方法によって仕上げ研磨されたシリコン単結晶ウエーハ。 （もっと読む）