【課題】大口径化しても、スリップの発生を抑制できるＧａＡｓウェハ及びその製造方法
を提供する。
【解決手段】ＬＥＣ法によりＧａＡｓ単結晶を成長する成長工程と、成長工程で得られた
ＧａＡｓ単結晶をスライスしてＧａＡｓウェハを作製するウェハ作製工程とを有するＧａ
Ａｓウェハの製造方法において、成長工程では、成長工程で得られるＧａＡｓ単結晶中の
硫黄原子濃度が一様に２×１０^１４ｃｍ^−３以上となるように、原料中に硫黄を添加する
。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＧａＡｓ単結晶ウエハを用いたデバイス製造プロセス中の熱処理に対して、そのウエハ自身の反りや、熱処理時のウエハ面内温度均一性といった影響を低減し、転位の導入による残留応力の緩和を必要としないスリップ不良の発生が無いＧａＡｓ単結晶ウエハ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、半径方向歪をＳｒ、円柱接線方向歪をＳｔとするとき、半絶縁性ＧａＡｓウエハ平面内の残留応力｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が、前記平面内の中心部で｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が１.０×１０^−５未満であり、その外周部で｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が１.０×１０^−５以上である領域及び前記外周部の[０ｌｌ]方向で｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が１.０×１０^−５未満である領域が存在することを特徴とするＧａＡｓ単結晶ウエハ及びその製造方法にある。 （もっと読む）

【課題】種結晶表面へのガリウムの析出を防止し、それを原因とする多結晶部の発生を抑止した化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】原料及び液体封止剤を入れたるつぼを加熱して原料及び液体封止剤を融解し、融解した原料融液に接触させた種結晶を引き上げることにより、化合物半導体単結晶を成長させる液体封止チョクラルスキー法を用いた化合物半導体単結晶の製造方法において、表面に金属保護膜を形成した種結晶を用いるものである。 （もっと読む）

【課題】安定した半導体結晶を歩留まり良く得ることができる半導体結晶の製造方法を実現する。
【解決手段】ルツボ３内に収容した原料７及び液体封止材８を加熱、溶融し、ルツボ内に生成した原料融液に種結晶４を接触させつつ該種結晶を引上げて成長結晶１１を得る半導体結晶の製造方法において、引上げる半導体結晶の頭部１１ａにガス吹き付け装置１２によって窒素又はアルゴン又は二酸化炭素又は一酸化炭素のガスを吹き付けて前記半導体結晶内の軸方向の温度勾配を８〜１５℃／ｍｍに制御することにより、安定した単結晶を歩留まり良く製造する。 （もっと読む）

【課題】大口径化しても、スリップ不良の発生を抑制できるＧａＡｓウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＣ法によりＧａＡｓ単結晶を成長する成長工程と、成長工程で得られたＧａＡｓ単結晶をスライスしてＧａＡｓウェハを作製するウェハ作製工程とを有するＧａＡｓウェハの製造方法において、成長工程では、ＧａＡｓ単結晶と原料融液との固液界面の形状が原料融液側に凸状となっており、原料融液と前記液体封止剤との界面から原料融液中のＧａＡｓ単結晶の先端部までの長さＴ１と、ＧａＡｓ単結晶の外径Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２が、０.２５≦Ｔ１／Ｔ２≦０.４５であり、ウェハ作製工程で得られたＧａＡｓウェハは、ユニバーサル硬度がウェハ面内で一様に４０００Ｎ／ｍｍ^２以上４８５０Ｎ／ｍｍ^２以下である。 （もっと読む）

【課題】LEC法による単結晶インゴットの製造において、成長中の多結晶化や底付き現象を抑制して単結晶インゴットの製造歩留まりを向上することができる半導体単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】液体封止チョクラルスキー法による化合物半導体単結晶６の製造装置であって、ルツボ９を収容するサセプタ１０を加熱するヒータ４、１２とサセプタ１０を回転させる回転機構とを少なくとも具備し、回転機構は、サセプタ１０を支持するリング状支持部材１４と、リング状支持部材１４を回転自在に保持するリング状架台１９と、リング状支持部材１４を回転駆動するための回転軸１１とを具備し、ヒータ１２がサセプタ１０の底面に対して鉛直方向下方の位置でかつ底面の略全体と対向するように配設されている。 （もっと読む）

【課題】液体封止チョクラルスキー法（LEC法）による結晶成長において、種結晶における局所的で不測な熱分解・再結晶の発生を抑制して、良質な単結晶インゴットを再現性よく育成する化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶２の長さが液体封止剤融液７の厚みよりも長く、前記種結晶２において前記液体封止剤融液７に浸漬されない部分の位置が、前記液体封止剤融液７を加熱するヒータ８の発熱帯上端の位置よりも常に鉛直方向の上方に位置する。 （もっと読む）

【課題】引上げ法により結晶を成長させる際に、成長初期から成長完了までに亘って、結晶外径の制御性が良く、単結晶化率を向上させることができる化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ内に化合物半導体の原料と封止剤を投入し、その原料と封止剤を加熱して、原料を融液とすると共にその表面に液体封止剤を形成し、種結晶を前記融液に接触させて単結晶を成長させ、その単結晶を引き上げて化合物半導体単結晶を製造するに際し、単結晶を引き上げる過程において、成長開始時の引上速度を４ｍｍ／ｈ以下とし、その後、引上開始後の引上速度を徐々に増加させるものである。 （もっと読む）

【課題】結晶側面から液体封止剤への放熱を抑制し、結晶側面付近の凹面化を抑制し、外形制御を容易にする。
【解決手段】不活性ガスを充填した耐圧容器（高温炉１）内に収容したるつぼ３に、原料、液体封止剤を収容して加熱し、種結晶を原料融液に接触させつつ種結晶８とるつぼを相対的に移動させて単結晶１５を成長させるＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、前記るつぼ３以外の場所で加熱により軟化させた液体封止剤１３を、結晶成長中に前記るつぼ３に追加充填する。 （もっと読む）

【課題】ルツボの径に合った最適なルツボの回転数が決定できる単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】原料を入れたルツボ４を回転させつつ該ルツボ４を外周側から加熱して上記原料を融液化させ、上記ルツボ４の中央部で原料融液３の液面に種結晶９を接触させた後、該種結晶９を液面から離していくことにより、該種結晶９の下部に単結晶１０を成長させる際に、上記ルツボ４の回転数ｎ（ｒｐｍ）を上記ルツボ４の半径ｒ（ｍ）に対して
ｎ≧４．３ｅ^８．０ｒ（ｅは自然対数の底）
とするものである。 （もっと読む）

【課題】結晶中の炭素濃度として、高い炭素濃度が要求される場合であっても、結晶上端部で炭素濃度が目標値に設定されたＧａＡｓ単結晶を短時間に製造することができる方法を提供する。
【解決手段】結晶原料が融解した後、ＧａＡｓ単結晶を引き上げる前に、高圧引上げ炉１１内にＣ０ガスを供給し、るつぼ１２を回転することにより収容された液体原料と液体封止剤とを回転させ、攪拌治具２１によって封止剤融液を攪拌することにより、封止剤融液に対するＣＯの混入を促進する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによる半導体基板へのビアホール形成プロセスにおいて、柱状の残留物をビアホール中に発生させないＧａＡｓ単結晶基板の製造方法及びＧａＡｓ単結晶基板を提供する。
【解決手段】ドライエッチングによりＧａＡｓ単結晶基板８にビアホール１０を形成するに際し、エッチング残留物が生成されない程度に酸素不純物の含有量が十分少ないＧａＡｓ単結晶基板８を用い、このＧａＡｓ単結晶基板８に対してドライエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】 チャンバー内の温度の揺らぎに原因して固液界面の形状が不安定になるのを防止し、ひいては結晶の多結晶化を防止するＧａＡｓ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 引上軸１の周囲に、下端が引き上げ開始前にルツボ３上端よりも上側に在り、上端がチャンバー１２の上壁に接し又は上壁付近に位置し、かつチャンバー１２の上壁近傍の位置に排気口８を具備する熱誘導用筒状部材７を、引上軸１を取り巻くように設置し、単結晶２を引き上げる際に、この熱誘導用筒状部材７中を通して、下方の熱をチャンバー１２内の上部の温度の低い範囲へ効率よく誘導する。 （もっと読む）

【課題】常温のガスが炉内に入り、一時的にヒータ内周囲に較べヒータ外周囲の雰囲気ガスが温度低下しても、これに敏感に反応しない熱電対及び半導体結晶製造装置を提供すること。
【解決手段】ＬＥＣ法による半導体結晶製造装置において、耐圧容器３０内に配置され原料融液を収容するルツボ５４の外周に該ルツボを囲んで設けられた円筒形のヒータ３８と、前記ヒータの内部に設けられた熱電対４０と、前記熱電対により計測される実測温度に基づいて前記ヒータ３８の温度を制御する温度制御系４１とを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＣ法において結晶中に取り込まれる不活性ガスを軽減する化合物半導体単結晶の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 不活性ガス側から液体封止剤２を貫き原料融液３中に達するように、高温耐熱性物質からなる円筒材８を、引き上げる化合物半導体単結晶１の周囲に設置し、該円筒材８でるつぼ５と単結晶１との間における液体封止剤２及び原料融液３を内外の領域に仕切り、これにより単結晶成長中に取り込まれる不活性ガスの気泡を減らした環境下で、化合物半導体単結晶１を成長させる。 （もっと読む）