【課題】ＬＥＤ用の基板として用いられるＳｉ添加ＧａＰ単結晶をＬＥＣ法により製造するに際して、得られる単結晶の結晶成長軸方向におけるキャリア濃度の変化を低減させる。
【解決手段】Ｓｉ添加ＧａＰ単結晶を製造する方法において、Ｓｉ添加ＧａＰ単結晶の引き上げ速度を、Ｓｉ添加ＧａＰ単結晶の固化率が０．１５〜０．３の範囲で切り換えると共に、切換前の平均引き上げ速度が、５ｍｍ／ｈｒ〜１２ｍｍ／ｈｒの範囲となり、かつ、切換後の平均引き上げ速度が、前記切換前の平均引き上げ速度に対して０．２〜０．９の範囲となるように、前記引き上げ速度を制御する。好ましくは、Ｂ₂Ｏ₃の水分量を２００ｐｐｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶の抵抗値を再現性よく制御でき、歩留まりが向上する化合物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】一酸化炭素を含む不活性ガス雰囲気中で、ルツボ内に収容した化合物半導体結晶の原料および封止材を、原料の融点以上に加熱して融解させると共に原料融液の温度を最高到達温度に保って原料融液上に融解した封止材の層を形成し、しかるのち、その封止材の層と原料融液の界面の温度を融点以下に下げ、かつ原料融液に種結晶を接触させると共にこれを引き上げて単結晶を得る化合物半導体結晶の製造方法において、最高到達温度及び／又は封止材の含有水分量を制御して、原料融液に含ませる炭素濃度を調整し、これにより、単結晶の炭素濃度を調整して単結晶の抵抗値を制御する。 （もっと読む）

【課題】成長結晶表面に酸化ゲルマニウムが付着するのを防ぎ、低転位密度または無転位でゲルマニウムの単結晶を成長させることができるゲルマニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】石英るつぼ製、グラッシーカーボン製、またはグラファイトるつぼ製のるつぼ１０の内部で、ゲルマニウム融液１ａの表面の一部または全体を酸化ホウ素（B₂O₃）融液２ａで覆った後、チョクラルスキー法（ＣＺ法）によりゲルマニウム単結晶４を引き上げて結晶成長させる。炉内は、高真空またはアルゴンガス雰囲気である。 （もっと読む）

【課題】単結晶表面からのＶ族元素の局所的な解離及びＩＩＩ族元素の液垂れを抑制する方法を提供する。
【解決手段】不活性ガスを充填した耐圧容器１内に収容したるつぼ４に原料５と液体封止剤６とを収納して加熱し、種結晶７を原料融液９に接触させつつ種結晶７とるつぼ４とを相対的に移動させて単結晶１０を成長させるＬＥＣによる化合物半導体単結晶の製造方法において、液体封止剤６の上方に引き上げられた単結晶１０の外径が目標とする外径に到達した時の液体封止剤６の厚さをｈ（ｍｍ）、るつぼ４の内径をＤ１（ｍｍ）、目標とする外径をＤ２（ｍｍ）としたときに、０．１９≦ｈ／｛（Ｄ１−Ｄ２）／２｝≦０．５２の範囲になるようにした。 （もっと読む）

【課題】 処理後のウエハの不良品発生率を低減することが可能な半絶縁性ＧａＡｓウエハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 直径Φが４インチ以上の半絶縁性ＧａＡｓウエハであって、ウエハの半径Ｒに対してウエハ中心から（２／３）・Ｒの半径を有する円の部分を中心部とし、前記ウエハ面内の中心部以外の部分である外周部の平均転位密度が、前記中心部の平均転位密度より大きい。 （もっと読む）

【課題】液体封止引き上げ法（ＬＥＣ法)において、結晶増径部への液体封止剤の付着残留を防止し、結晶のクラック発生を防ぐ化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】不活性ガスを充填した耐圧容器内に収容され加熱されたルツボ４に、原料融液と液体封止剤を収納し、原料融液に種結晶を接触させ、この種結晶を引き上げることで単結晶を成長させるＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、前記液体封止剤の上面温度を調整することにより、あるいは、前記液体封止剤の含有水分量を調整することにより、前記液体封止剤上面と前記単結晶表面との界面における前記液体封止剤の粘度を１３．０Pa・s以下とする。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、原料融液からの輻射熱を断熱材で遮断することで、固液界面の凸面形状の凸度のバランスをとり、固液界面とルツボ底部との接触による不良を低減することを可能にする。
【解決手段】 ルツボ７からサセプター９のベース部９ａへの輻射熱を、サセプター９のベース部９ａの内側に設けた断熱材１０で遮断することにより、化合物半導体単結晶と原料融液の固液界面１２を原料融液側に凸面形状に維持し、かつ、その固液界面１２が成長中にルツボ７の底部に接触しないように固液界面１２の凸面形状のバランスをとる。 （もっと読む）

【課題】 構造が簡単で製造歩留りが向上する化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 単結晶原料を収容するるつぼ１２の底部に支持軸１３を接合し、そのるつぼ１２の周囲にヒータ１４を配置し、そのヒータ１４でるつぼ１２内の原料を溶融加熱させ、かつるつぼを回転させて単結晶２０を成長させる化合物半導体単結晶の製造方法において、るつぼ１２の底部と支持軸１３との接合部３１に雰囲気ガスを流通させてるつぼ１２底部の温度低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】 炉内上部のガス対流の影響によるメインヒーターの加熱変動を抑止し、三酸化硼素とＧａＡｓ融液との間にある気泡を取り込まない半導体単結晶製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】 チャンバー９内に設けられた坩堝７と、坩堝７の外周に配置されたメインヒーター５と、坩堝７の下方に配置されたサブヒーター６と、メインヒーター５を制御するためのメインヒーター熱電対１１とを備えたＬＥＣ法による半導体単結晶製造装置１において、メインヒーター５の長さをＡとし、メインヒーター５の最下部からメインヒーター熱電対１１までの取り付け位置の距離をａとしたとき、上記距離ａの範囲が下式（１） ０≦ａ≦１／４ × Ａ ・・・（１）
を満たすことを特徴とする半導体単結晶製造装置１及び製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 液体封止チヨクラルスキー法（ＬＥＣ法）による化合物半導体単結晶の製造方法において、結晶側面から液体封止剤への放熱を抑制し、結晶側面付近の固液界面形状の凹面化を無くすことで、多結晶化の発生を効果的に抑制することを可能にする。
【解決手段】 成長結晶径よりも大きな内径を有する高温耐熱性物質からなる筒９を、引き上げる成長結晶２と同軸に設置し、その筒の一端を液体封止剤４中に浸漬し、他端を液体封止剤４と不活性ガスとの界面の不活性ガス側にあるように位置させることを前提とし、その液体封止剤４中にある一端の内径を、液体封止剤４と不活性ガスとの界面の不活性ガス側にある他端の内径よりも大きく設定した筒を用いて成長する。 （もっと読む）