【課題】双晶化を効果的に抑えることのできるβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】ＥＦＧ（Edge-defined film-fed growth）法を用いたβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶２５の成長方法であって、種結晶２０をＧａ_２Ｏ_３系融液に接触させる工程と、種結晶２０を引き上げ、ネッキング工程を行わずにβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶２５を成長させる工程と、を含み、すべての方向においてβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶２５の幅が種結晶２０の幅の１１０％以下とする。 （もっと読む）

【課題】双晶化を効果的に抑えることのできるβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】ＥＦＧ（Edge-defined film-fed growth）法によるβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶の製造において、β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶をその（１０１）面に平行な方向に成長させ、（１０１）面内における＜１０−１＞方向と成長方向とのなす角度φ（０°≦φ＜９０°）を９０°未満とする。ＦＺ（Floating Zone）法等の他の結晶成長方法を用いた場合であってもβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶２５の双晶化を効果的に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウム単結晶毎のドーパント含有量の再現性向上を図ることが可能な酸化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】例えば、ＥＦＧ（Ｅｄｇｅ Ｄｅｆｉｎｅｄ Ｆｉｌｍ Ｆｅｄ Ｇｒｏｗｔｈ）法による酸化ガリウム単結晶の製造において、酸化ガリウムを含む原料の融点と、原料に添加されるドーパント酸化物の融点との差が±３００℃内に設定されるドーパント酸化物を原料に添加した後、坩堝３内で溶融し、融液２に種結晶１０を接触させて融液２から酸化ガリウム単結晶１３を結晶成長させる。酸化ガリウムを含む原料の融点と、前記原料に添加されるドーパント酸化物の融点との差を±３００℃内に設定することにより、前記原料に対する前記ドーパントの蒸発量制御が容易となる。従って、結晶成長させる酸化ガリウム単結晶に含有されるドーパント含有量の制御が容易化される。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮを結晶成長させる場合でも、転移密度が低い良質なエピタキシャル結晶成長が可能なβ―Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる半導体基板、（１００）面の上にＧａＮが成長して形成されたエピタキシャル層を有するβ―Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる半導体基板、及び、これらのβ―Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の面方位である（１００）面を有し、この（１００）面の表面層の酸素が除去されたことを特徴とするβ―Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる半導体基板とする。 （もっと読む）

【課題】陽電子放出核種断層撮影装置、シングルフォトン断層法、コンピューター断層撮影装置等に有用な、高発光量・短蛍光寿命を有するシンチレータ単結晶、並びに該単結晶の製造法の提供。
【解決手段】ＲＥ_ａＲＥ’_ｂＭ_ｃ（Ｆ_１−ｄＸ_ｄ）_ｅで表されることを特徴とするハロゲン置換フッ化物シンチレータ材料。（ＲＥはＣｅ，Ｐｒのいずれか１種以上、ＲＥ’はＬａ，Ｇｄ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｙから選ばれた１種又は２種以上、Ｍは、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｃｓ，Ｒｂ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ａｌから選ばれた１種又は２種以上、ＸはＣｌ，Ｂｒ，Ｉから選ばれた１種又は２種以上である。）該単結晶の製造法は、前記で表される組成の融液から、マイクロ引き下げ法により単結晶を育成することを特徴とする。 （もっと読む）