アモルファスダイヤモンド材料（５）および陰極（２５）と陽極（３０）との間に結合される中間部材（５５）。このアモルファスダイヤモンド材料（５）は、少なくとも約９０％の炭素原子を含み、この炭素原子の少なくとも約２０％は、歪んだ四面体配位で結合されている。アモルファスダイヤモンドコーティング（５）は、陰極（２５）のベース部材と接触しているエネルギー入力表面（１０）およびこのエネルギー入力表面（１０）に対向する電子放出表面（１５）を有する。この電子放出表面（１５）は、約１０〜約１，０００ナノメートルの隆起高さを有し得、そして十分量のエネルギーが該アモルファスダイヤモンド材料に入力された際に、電子を放出し得る。
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