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Fターム[4G146BC45]の内容

炭素・炭素化合物 (72,636) | 製造−製造工程、製造条件 (14,091) | 添加剤の使用 (2,974) | ホウ素(B)含有 (47)

Fターム[4G146BC45]に分類される特許

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【課題】ナノスケールを有する新規なカーボン構造物を利用した新規なデバイス、カーボンナノウォール、カーボンナノウォールの製造方法を提供する。
【解決手段】デバイスは、伝導領域がカーボンナノウォールを基材として形成されている。カーボンナノウォールはヘテロ原子が含有されているものでも、ヘテロ原子を含有しないものでも良い。ヘテロ原子を含むカーボンナノウォールは、ヘテロ原子と炭素源とを含む原料ガスをプラズマCVD法により製造できる。 (もっと読む)


【課題】 無機および有機系の溶媒中において均一に分散し、しかもその状態を長時間保持することが可能であり、かつ結晶性が高いカーボンナノチューブを提供する。
【解決手段】 上記課題は、炭素の含有量が80〜99.98重量%、ホウ素の含有量が0.01〜10重量%および酸素の含有量が0.01〜10重量%であることを特徴とするカーボンナノチューブによって解決される。 (もっと読む)


ナノ構造体の分散物を形成する方法、カーボンナノチューブの分布、及びセンサー又はトランジスターのようなナノ構造体デバイスのアレイが記載される。この方法は、基板を用意し、成長促進物質を基板の少なくとも一部に適用し、基板及び成長促進物質をプラズマに暴露し、そして次いで成長促進物質からナノ構造体の分散物を形成することを含む。プラズマは、成長促進物質を約1nmないし50nmの大きさの個別の単離した成長促進物質のナノ粒子として基板上に分散する。ナノ構造体デバイスのアレイは、ナノ構造体の分散物及びナノ構造体と接触した電極のアレイを含む。ナノ構造体は、ナノ構造体を含有する領域を残してある区域から除去されて、二つ又はそれより多い電極間の電気的伝達を与え、このようにしてナノ構造体デバイスのアレイを形成する。 (もっと読む)


【課題】 従来のダイヤモンド電極より多数の微細孔を有し、電極活性の高いダイヤモンド電極の製造方法を提供する。
【解決手段】 ダイヤモンド層に析出させた金属粒子を、還元ガス雰囲気中で熱処理することにより、前記金属を触媒とする炭素還元反応を進行させ、前記ダイヤモンド層の表面に微細孔を形成させる。ダイヤモンド層表面に担持した金属粒子を利用するため、原子レベル又はそれに近いレベルで微細孔が形成されたダイヤモンド層やダイヤモンド粒子が得られる。 (もっと読む)


【課題】良好な負極特性を有するリチウム二次電池負極用黒鉛材料の製造を工業的に容易に実現することができるリチウム二次電池負極用黒鉛材料の製造方法およびリチウム二次電池を提供する。
【解決手段】リチウム二次電池負極用黒鉛材料の製造方法は、硼素化合物を添加した炭素材料を黒鉛化処理して黒鉛化材料を得る黒鉛化処理工程と、黒鉛化材料を酸化性ガス雰囲気下で400〜700℃の温度で熱処理する熱処理工程と、を有する。より好ましくは、熱処理工程において、黒鉛化材料に予め機械的な表面処理を施しておく。リチウム二次電池は、得られた黒鉛化材料を負極とし、正極および非水系溶媒中に電解質を溶解させた電解液を備えてなる非水系のリチウム二次電池である。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】 ダイヤモンド結晶の耐酸化性を改善するため、ホウ素をドープしたダイヤモンドを合成する方法であって、グラファイトと触媒/溶媒金属と任意のダイヤモンド種結晶とホウ素源との十分に高密度な核(混合物)を形成する工程を含む。この混合物は、ダイヤモンドを形成する高圧/高温(HP/HT)状態でダイヤモンドを形成するのに十分な時間曝される。このように形成されたダイヤモンド製品は回収され、ダイヤモンド構造中には置換されたホウ素を含むものである。前記十分に高密度な核は、空気/窒素(N)を実質上含有しないものである。1実施形態において、前記ホウ素は非晶質Bである。
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【課題】 黒鉛の層間を利用し、常温において活性炭等の多孔質材料よりも高い水素吸蔵量を有し、作製も容易な黒鉛系水素吸蔵材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発明の黒鉛系水素吸蔵材料は、黒鉛の層間に酸素を共有結合した酸化黒鉛であって、前記層間内の酸素を一部または全て取り出すことで、層間内に形成された水素侵入用の空間を有していることを特徴としている。また、この製造方法は、黒鉛の層間に共有結合した酸素を有し、かつ粉末X線回折法による回折角度(2θ)が13.5〜16.0°および26.0〜26.6°にピークを持つ酸化黒鉛を用いて、前記酸化黒鉛を還元処理することにより層間内の酸素を一部または全て取り出して、層間内に水素侵入用の空間を形成し、かつ粉末X線回折法による回折角度(2θ)が13.5〜16.0°のピークを消失し、2θ=19.5〜20.5°又は21.0〜23.0に新たなピークを発現している。 (もっと読む)


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