【解決手段】
０．０１重量％未満の総鉱物性不純物と選択的に決定された炭素：シリコンの比率を含む、シリコン、炭化ケイ素および窒化ケイ素などのシリコン含有生成物。その生成物は、少なくとも３重量％のシリカを含む、籾殻および稲藁などの植物に由来する。制御された温度、圧力および反応時間の下、固定炭素：シリカのモル比を調節しながら、シリコン含有植物を硫酸水溶液で浸出して鉱物および金属を除去し、次いで、制御された条件下、熱的に処理して所望の生成物を生産することを特徴とする、そのような高純度のシリコン含有生成物を作るための方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性の向上や摩擦特性の向上に有効な尖頭状の形態を有する炭化ケイ素ナノ構造体、およびその炭化ケイ素ナノ構造体を低温で簡素なプロセスで製造できる方法の提供。
【解決手段】Ｓｉ基板の表面に尖頭状の炭化ケイ素集合体が突出して点在している炭化ケイ素ナノ構造体、および圧力１〜７０Ｐａ、０．５〜３ｋＷのマイクロ波出力、基板温度３５０〜６００℃のＳｉ基板を用いるマイクロ波プラズマＣＶＤ法による炭化ケイ素ナノ構造体の製造方法。 （もっと読む）

ケイ素金属間化合物、例えば金属ケイ化物を特徴とするケイ素金属溶浸法によって作製された複合体。これは、複合材料技術者に、得られる複合材料の物理的性質を設計又は調整するより大きな柔軟性を与えるばかりでなく、該溶浸材を、固化の際の膨張の量をはるかに減少して有するように組成的に設計することができ、それによってネットシェイプ作製能力を高めることができる。ケイ素溶浸によってなされる複合体の金属成分を設計することによるこれらの及びその他の結果は、複雑な形状の大きな構造物の製作を可能にする。 （もっと読む）

【課題】任意形状を持つダイヤモンドおよび立方晶窒化ホウ素（ｃ−ＢＮ）の合成方法を提供する。
【解決手段】パルスレーザーを多方向からグラファイトおよび六方晶窒化ホウ素（ｈ−ＢＮ）に照射し、瞬間かつ局所的に高温高圧環境を作り出し、グラファイトおよびｈ−ＢＮ上の集光点の位置を移動させることにより、合成点５が移動し、ミリオーダーの任意形状ダイヤモンドおよびｃ−BＮが合成される。またレーザー照射によりダイヤモンドおよびｃ−ＢＮを合成し、ダイヤモンドおよびｃ−ＢＮのコーティングが可能となる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、籾殻又は稲藁のようなシリコン含有植物からカーボン−シリカ生成物を生成する方法であり、硫酸で浸出することによって、非シリカ無機物及び金属を除去し、その一方、残った生成物内の固定カーボン対シリカのモル比を調整する。カーボンとシリカは、ミクロン又はサブミクロンスケールで密接に混合され、高純度と高い反応性、小さな粒子サイズ、高い空隙率を特徴とし、カーボン−シリカ生成物からシリコン含有生成物を生成するエネルギー源として用いられる揮発性カーボンを含む。本発明のカーボン−シリカ生成物から作られる高純度のシリコン含有物もまた開示される。 （もっと読む）