【課題】炭化ケイ素ナノ粒子同士の凝集を抑制することにより分散性及び分散安定性を向上させることが可能な炭化ケイ素ナノ粒子分散液の製造方法及び炭化ケイ素ナノ粒子分散液、この炭化ケイ素ナノ粒子分散液を用いて得られる耐摩耗性、耐擦傷性、耐熱性、硬質性に優れた炭化ケイ素ナノ粒子膜を提供する。
【解決手段】本発明の炭化ケイ素ナノ粒子分散液の製造方法は、熱プラズマ法またはシリカ前駆体焼成法により作製され、一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上かつ５００ｎｍ以下の炭化ケイ素ナノ粒子１の表面に酸化処理を施して表面酸化層３を形成し、次いで、この炭化ケイ素ナノ粒子１の表面酸化層３を、フッ酸、フッ化アンモニウム、硝酸の群から選択された１種または２種以上を含む溶液を用いて溶解することにより除去し、次いで、この表面酸化層３が除去された炭化ケイ素ナノ粒子１１を分散媒４中に分散させる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体の表面特性を向上できるＳｉＣ半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体の洗浄方法は、以下の工程を備えている。ＳｉＣ半導体の表面にイオン注入する。表面に酸化膜を形成する。酸化膜を除去する。形成する工程では、１５０ｐｐｍ以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、ＳｉＣ半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】大面積かつ低抵抗のグラフェンシートを備えたグラフェンシート付き基材、及び、このグラフェンシート付き基材を安価に製造することが可能なグラフェンシート付き基材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェンシート付き基材１は、結晶方位が（１１１）面のシリコン基板２に、エピタキシャル成長させた立方晶炭化珪素層３、グラフェンシート４が順次積層されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数のハニカムユニットに安定して通電すると共に、高容量バッテリーから端子を経て電極間に電圧を印加しても断線及び接触抵抗による発熱を抑制することが可能なハニカム構造体及び該ハニカム構造体を有する排ガス浄化装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ハニカム構造体１０は、複数の貫通孔が長手方向に並設されていると共に、導電性セラミックスを含むハニカムユニット１１が接着層１２を介して４個接着されており、ハニカムユニット１１の外周面には、一対の帯状電極１３が形成されており、４個の一対の帯状電極１３と電気的に接続されている一対の導電部材１４が設置されている。 （もっと読む）

改善された炭化ケイ素粒子、改善された炭化ケイ素研磨粒子および化学的機械的平面化（ＣＭＰ）法において用いるための研磨スラリー組成物において、粒子は、ナノサイズ炭化粒子、詳しくはシリカに似た化学的表面特性を有する炭化ケイ素粒子を含むことが可能である。
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【課題】気相中で合成したナノ粒子の表面を改質して凝集を防止することができ、或いは、粒子表面に電荷を付加することなく他物質を被覆することができるナノ粒子の表面処理装置および方法を提供する。
【解決手段】内部にマイクロ波２が共鳴可能な共鳴空間９を有し、マイクロ波の吸収が少ない材料からなる中空共鳴容器１０と、中空共鳴容器内に所定の周波数のマイクロ波を供給して共鳴空間にマイクロ波の共鳴状態を形成するマイクロ波供給装置１２と、中空共鳴容器の外部から、共鳴空間を通って、その外部まで連続して延びる連続中空管２０と、連続中空管の内側を通してその一端から他端に向けて、ナノ粒子を含む混合ガスを連続的に供給するナノ粒子供給装置２２と、連続中空管の他端から排出された混合ガスからナノ粒子１を分離するナノ粒子分離装置２６とを備える。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素の表面に反応性イオンエッチングにより微細加工を施す際に、炭化ケイ素の表面を任意形状かつ高精細に微細加工することができ、特に、ナノメートル級の寸法公差による微細加工を行うことができる炭化ケイ素の表面処理方法を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素基板の表面に反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により微細加工を施す前に行う表面処理方法であって、単結晶炭化ケイ素基板の表面に、アンモニア及び過酸化水素を含む水溶液、塩酸及び過酸化水素を含む水溶液、硫酸及び過酸化水素を含む水溶液、フッ酸及び過酸化水素を含む水溶液の群から選択される１種または２種以上を順次用いてケミカル洗浄を施し、次いで、この表面に酸素プラズマ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】 実用的な条件によって加工変質層を除去するＳｉＣ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のＳｉＣ基板１１は、実質的に平行な第１および第２の主面１１ａ、１１ｂを有し、第２の主面１１ｂのみが鏡面仕上げされており、反りが±５０μｍ以下であるＳｉＣ基板であって、第２の主面１１ｂの表面粗度Ｒａは１ｎｍ以下であり、第１の主面１１ａの加工変質層が除去されている。 （もっと読む）

【課題】広帯域に渡って電波吸収特性をもち、薄型で複雑形状対応の電波吸収体を低コストで製造すること。
【解決手段】炭化ケイ素質の粒子内部と炭素を主体とする導電性無機物質の表面層とからなる微粒子であって、粒子の表層に向かって導電性無機物質の存在割合が傾斜的に増大した導電性無機物質の傾斜層を有し、導電性無機物質の傾斜層の厚さが１〜５００ｎｍであることを特徴とする導電性無機物質含有炭化ケイ素質微粒子および電波吸収材料。本発明の電波吸収材料は１〜３００ＧＨｚの電波を選択的に広帯域で吸収することができる。 （もっと読む）

【課題】特別な工程や添加剤等を必要とせずに、種々の仕様用途に応じて制御された細孔径や気孔率等を有する炭化珪素系多孔質成形体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素系多孔質成形体の表面にＳｉＣＯからなる層を形成することにより、細孔を制御した炭化珪素系多孔質成形体を製造する。炭化珪素系多孔質成形体としては、平均細孔径０．２〜２ｎｍ、平均気孔率３０〜７０％、比表面積１０〜１０００ｍ^２／ｇの成形体を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】既知のＳｉＣを基盤とする、もしくはＢ４Ｃを基盤とする素材、又は連続摩擦低減被覆層を持つ素材よりも、摩擦荷重に対してよりよく耐え得る素材を提供する。
【解決手段】本発明は、金属炭化物−炭素複合物からなる表面を有する素材に関する。この素材は、金属炭化物表面の幾何学的に規定された領域が、０．０１から１，０００μｍまでの深さまで物質合体によって結合した炭素を含む。
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【課題】小さな金属炭化物パーティクルを発生させずに金属炭化物基体ン表面を処理する方法を提供する。
【解決手段】半導体製造プロセスに使用される金属炭化物基体の表面処理方法であって、反応性ガス混合物を用いて金属炭化物基体（１０）の表面を選択的にエッチングし、それにより金属炭化物基体（１０）上に炭素表面層（１３）を形成する工程、および金属炭化物基体（１０）上に形成された炭素表面層（１３）を除去する工程を包含する方法。 （もっと読む）