本発明は、半導体物質のコア／シェル型ナノ結晶を形成する方法に関する。典型的には、コアは、ＣｄＴｅを含み、シェルは、ＣｄＳとすることができる。シェルは、水溶液中でコア上に合成される。この方法において、前もって合成されているコアは、水溶液中に置かれ、シェルを形成する反応物および３−メルカプトプロピオン酸（ＭＰＡ）などのチオールが加えられ、混合物は、シェルが所望の厚さで完成するまで還流される。シェルの合成は、コアとシェルとの間の格子不整合が低減されるようにシェルとコアとの間に界面領域を設けることにより補助される。界面領域は、例えば、コア中心に比べて表面のところで硫黄レベルを高めた傾斜合金コアを形成する方法を使用して生成することができる。それとは別に、界面領域は、均質なコア上の独立した層とすることもできる。 （もっと読む）

本発明では、微粒子複合化工程において、原料微粒子に複合用原料を混合した上で、マイクロ流路内に連続的に供給しながら反応条件を制御することにより、上記原料微粒子と複合用原料とを反応させて複合化する。このとき用いられるマイクロ流路として、レイノルズ数が１〜４０００の範囲内に設定されているものを用いる。これにより、反応条件をより正確に制御し、被覆量分布の均一を図ることが可能であり、被覆層形成制御も容易で、連続的に複合微粒子を製造することが可能な、マイクロ流路を有する反応器を用いた製造技術を提供することができる。
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