説明

Fターム[4H049VQ83]の内容

第4族元素を含む化合物及びその製造 (22,055) | 第4族元素含有化合物上の結合又は基(目的化合物) (4,225) | M含有基 (331) | 第4族元素のM′を置換基中にもつもの(例;Si*−O−Pb) (4)

Fターム[4H049VQ83]に分類される特許

1 - 4 / 4


【課題】エチレンより1−ヘキセンを製造する場合に、副生ポリマー量を低減する製造方法を提供する。
【解決手段】下記工程を有する1−ヘキセンの製造方法。工程1:式(1−3)に代表される遷移金属錯体と有機アルミニウム化合物とを接触させる触媒成分の調製工程工程2:更に、ホウ素化合物とを接触させて得られる触媒の存在下、エチレンを三量化させる工程


〜Rはメチル基、R〜R21は水素又はメチル基、X〜Xは塩素又はメチル基、Jはケイ素、Mはチタン (もっと読む)


【課題】メタロセン化合物を提供する。
【解決手段】ジメチルシランジイルビス(2−メチル−4−(1−ナフチル)インデニル)−ジルコニウムジクロリド、ジメチルシランジイルビス(2−メチル−4−(3,5−ビストリフルオロメチル)−(フェニル)インデニル)ジルコニウムジクロリドなどに代表される、インデン化合物をジメチルシリルでブリッジされたジルコノセン化合物。 (もっと読む)


【課題】半導体ナノクリスタル化合物を提供すること。
【解決手段】半導体ナノクリスタル化合物であって、1つ以上の親和性分子に連結し得、(1)第一エネルギーの曝露に応答して、第二エネルギーを提供し得る1つ以上の半導体ナノクリスタル、および1つ以上の半導体ナノクリスタルに連結する第一部分および1つ以上の親和性分子に連結し得る第二部分を有する、1つ以上の連結剤を含む。1つ以上の半導体ナノクリスタル化合物であって、1つ以上の親和性分子に連結され、半導体ナノクリスタルプローブに連結され、分析される物質中の1つ以上の検出可能物質と結合し得、第一エネルギーに応答して第二エネルギーを提供し得る。プローブは、狭い波長バンドの電磁放射線を放射し得、そして/あるいは狭いもしくは広いバンド幅の電磁照射供給源、または粒子線により誘発される場合、エネルギーを吸収、散乱、または回折し得る。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】金属イオンMに対して錯体形成した式(I)の配位子を含む錯体。
【化102】


(式中、R1はそれぞれ同一または異なっていてもよく、水素、置換されていてもよいC1-20ヒドロカルビル基、N(R52、シリル、シロキシ、置換されていてもよいヘテロアリール基、置換されていてもよいヘテロシクリル基であるか、あるいは隣接する炭素原子上の2個のR1基は一緒になって、置換されていてもよい5〜8員縮合環を形成してもよく;
2はそれぞれ同一または異なっていてもよく、水素、置換されていてもよいC1-20ヒドロカルビル基、N(R52、シリル、シロキシ、置換されていてもよいヘテロアリール基、あるいは置換されていてもよいヘテロシクリル基であり;
インデニル基の6員環に結合するR3は、−(Si(R52p−、ここでpは1もしくは2、または−(C(R52n−、ここでnは2以上の整数であり;
4はそれぞれ同一または異なっていてもよく、水素、置換されていてもよいC1-20ヒドロカルビル基、N(R52、シリル、シロキシ、置換されていてもよいヘテロアリール基、置換されていてもよいヘテロシクリル基であるか、あるいは隣接する炭素原子上の2個のR4基は一緒になって、置換されていてもよい5〜8員縮合炭素環を形成してもよく;
5はそれぞれ同一または異なっていてもよく、水素、置換されていてもよいC1-20ヒドロカルビル基であるか、あるいは2個のR5は一緒になって、置換されていてもよい5〜8員環を形成してもよく;
aは0〜3であり;
bは0〜3であり;
cは0〜4である。)
(もっと読む)


1 - 4 / 4